芯片和cpu制造工艺流程-详细版

芯片和cpu制造流程

芯片

芯片属于半导体，半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。元素周期表中的硅、锗、硒的单质都属于半导体。除了这些单质，通过掺杂生成的一些化合物，也属于半导体的范畴。这些化合物在常温下可激发载流子的能力大大增强，同时弥补了单质的一些缺点，因此在半导体行业中也广泛应用，如砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓等。这几天集成电路概念股大涨，看到有人又炒作石墨烯，估计想趁机炒作一把。石墨烯其实不能算作半导体，虽然它可能通过掺杂实现半导体，但目前主要还是当导体使用，比如在充电电池中的应用。在这些半导体材料中，目前只有硅在集成电路中大规模应用，充当着集成电路的原材料。在自然界中，硅是第二大丰富的元素，比如沙子，就含有大量的二氧化硅。所以说制造芯片的原材料是极大丰富，取之不尽的。

如何从沙子中提取单质硅呢，这就牵涉到一系列化学反应，具体不表。提取的硅纯度越高，质量越高。提取出的单晶硅根据不同的需求和工艺，做成不同的尺寸，常见的如6寸、8寸、12寸等。

接下来，把这些硅棒像切黄瓜一样，切成一片一片的。每一片我们称为：晶圆(wafer)或者翻译为晶元。晶元是设计集成电路的载体，我们设计的电路，最后就要在晶元上实现。每一个晶元上，可以实现上百上千个芯片电路，如下图，每一个小格子都可以看作是一个芯片电路的实现。接下来还要将这些芯片电路切割、封装、引出管脚，才能焊接到我们的开发板上，做成整机产品。

那在晶元上是如何实现电路的呢？将晶元拿到显微镜下观察，你会发现，里面全是密密麻麻的3D电路，犹如一座巨大的迷宫：

要想弄明白在晶元上是如何实现我们设计的电路，就需要一点电子电路的基础知识了。电路都是由大量的三极管、二极管、CMOS管、电容等元器件组成的，我们搞懂了一个CMOS管是如何在硅片上实现的，也就搞懂了整个电路在晶元硅片上的实现原理。这些元器件的实现原理，其实就是PN结的实现原理。而PN节的工作原理也是半导体的基本工作原理。PN结是构成二极管、二极管等半导体器件的基础。想要了解PN节的导电原理，还需要稍微了解一下金属的导电原理。

我们知道，一个原子由质子、中子和核外电子组成：中子不带电，质子带正电，原子带负电，整个原子显中性。根据电子的能级分布，一个原子的最外层电子数为8时最稳定。对于钠原子，核外电子层分布为2-8-1，最外层1个电子，能量最大、受原子核的约束力小，所以最不稳定，受到激发容易发生跃迁，脱离钠原子，成为自由移动的电子。这些自由移动的电子在电场的作用下，就会发生自由移动，形成电流，这就是导体导电的原理。很多金属元素最外层的电子数小于4个，容易丢失电子，所以容易导电，是导体。而对于氯原子，最外层7个电子，倾向于捕获一个电子，形成最外层8个电子的稳定结构，氯原子不能产生自由移动的电子，所以不能导电，是绝缘体。

半导体元素，一般最外层4个电子，比较特殊：这些原子之间往往通过“共享电子”的模式存在，多个原子之间分别共享其最外层的电子，通过共价键形成稳定的结构。

但是稳定也不是绝对的，当这些电子收到能量激发时，也会发生跃迁，成为自由移动的电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴。这些自由移动的电子非常少，在电场的作用下，也会发生移动，形成电流；同时，临近空穴的的电子也很容易跳过去填补这个空穴，造成空穴的移动，空穴带正电荷，空穴的移动也会形成电流。

因此，半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴。但是因为硅元素的特性，只能生成极少数的自由电子和空穴，这就决定了半导体无法像金属那样导电，但也不像绝缘体那样一点也不导电。然而正是这种特性，才促成了半导体的飞速发展。

既然半导体内自由电子和空穴浓度很小，导电能力弱，那我们能不能想办法增加两种载流子的浓度呢？浓度上去了，导电能力不就增强了吗？办法是有的，那就是掺杂。我们可以在一块半导体两边掺入两种不同的元素：一边掺入三价元素，