STM32F030系列 HAL库FLASH读写(当EEPROM用)

此处以STM32F030F4P6为例,HAL库版本为Keil.STM32F0xx_DFP.2.1.1

1、解锁:程序下载后,默认Flash空间是保护的,所以要先进行解锁。我想大家都知道,解锁就是对FLASH_KEYR寄存器写两次数据,第一次是0x45670123,第二次是0xCDEF89AB,对应有现成的HAL库函数直接使用,HAL_FLASH_Unlock()。

2、擦除:关于Flash闪存的电气特性:flash编程原理只能将1写成0,不能将0写成1,等同于按位与的关系。比如经过擦除后的存储状态是0xFF(0b11111111),此时写一个数据0x03(0b00000011),也就是0xFF&0x03=0x03,则该空间存储状态即可变为0x03。如果不擦除,再给这个存储空间写0x04(0b00000100),则新的状态至为0x03&0x04=0x03,还是0x03。如果还不擦除,再给这个空间写0x01这个数据,则0x03&0x01=0x01,嗯,这个数是对的了。正是这个电气原理,所以在给Flash空间更新数据时,一定要先擦除再写,才能保证新的数据正确生效。(PS:有一种存储器叫EEPROM是可以将位1覆盖成0,将0覆盖成1,这种存储器写的时候就可以直接覆盖写,不用先擦除)。话太多,网上很多代码用HAL_PageErase()函数,但是STM32F030对应的方法HAL_FLASHEx_Erase:

FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress = ADDR_PG15;//这个page地址,实际是目标page所在空间首地址吧,这个ADDR_PG15是我自己定义的宏,对应0x08003F00
EraseInitStruct.NbPages = 1;
    
uint32_t PageError=0;//此处应该是错误跳转函数(地址)的,我直接略
uint32_t temp=0;
while(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)
  {

        //while里做什么,你自己定义,我这里怕出错,超时退出
        temp++;
        if(temp>1000000UL)
        {
            break;
        }  
  }    

再啰嗦,为什么是擦除页?这也是flash电气原理决定的,falsh擦除是耗时的,几百us至数ms级别,如果你想一个字一个字的改写,那耗时就大了,所以直接设计了一个最小擦除空间,一般以页为单位;还有块空间,或者整个芯片,这样这个程序烧写更新时,擦除也就非常快了。

3、写:注意主Flash只能是16位的写。你可在用户手册中搜索“The main Flash memory can be programmed 16 bits at a time”。如果是8位或者32位都会报错。虽然和FLASH_TYPEPROGRAM相关的宏定义有WORD和DOUBLEWORD,但WORD和DOUBLEWORD并不是给STM32F030F4P6用的,或者说不是给用户使用的。

#define FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD   (0x01U)  /*!<Program a half-word (16-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_WORD       (0x02U)  /*!<Program a word (32-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD (0x03U)  /*!<Program a double word (64-bit) at a specified address*/

所以只能是FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD:

uint32_t target_addr=0x08003F00;

uint16_t target_data=0x3344;

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,target_addr,target_date);

4、读,读就是指针读数喽,可以直接读32位的

uint32_t target_addr=0x08003FAA;

uint32_t target_data=0;

target_data=(*(uint32_t *)(target_addr));

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可以使用以下代码来读写32k数据到AT24C64的EEPROM: #include "stm32f2xx_hal.h" #include "i2c.h" #define EEPROM_ADDRESS 0xA0 void EEPROM_Write(uint16_t address, uint8_t* data, uint16_t size) { uint8_t buffer[32]; uint16_t i; for (i = 0; i < size; i += 32) { uint16_t chunk_size = size - i; if (chunk_size > 32) { chunk_size = 32; } buffer[0] = address >> 8; buffer[1] = address & 0xFF; memcpy(&buffer[2], &data[i], chunk_size); HAL_I2C_Master_Transmit(&hi2c1, EEPROM_ADDRESS, buffer, chunk_size + 2, HAL_MAX_DELAY); HAL_Delay(10); address += chunk_size; } } void EEPROM_Read(uint16_t address, uint8_t* data, uint16_t size) { uint8_t buffer[2]; buffer[0] = address >> 8; buffer[1] = address & 0xFF; HAL_I2C_Master_Transmit(&hi2c1, EEPROM_ADDRESS, buffer, 2, HAL_MAX_DELAY); HAL_I2C_Master_Receive(&hi2c1, EEPROM_ADDRESS, data, size, HAL_MAX_DELAY); } 在这个代码中,我们使用了STM32F2xx的HAL库读写EEPROM。我们首先定义了EEPROM的地址,然后定义了两个函数:EEPROM_Write和EEPROM_Read。EEPROM_Write函数用于将数据写入EEPROM,而EEPROM_Read函数用于从EEPROM中读取数据。 在EEPROM_Write函数中,我们首先定义了一个32字节的缓冲区,然后使用循环来将数据写入EEPROM。在每次循环中,我们将要写入的数据复制到缓冲区中,并将地址信息添加到缓冲区的前两个字节中。然后,我们使用HAL_I2C_Master_Transmit函数将缓冲区中的数据发送到EEPROM中。最后,我们使用HAL_Delay函数来等待一段时间,以确保EEPROM有足够的时间来处理数据。 在EEPROM_Read函数中,我们首先发送要读取的地址信息到EEPROM中,然后使用HAL_I2C_Master_Receive函数从EEPROM中读取数据。 这就是如何使用STM32F2xx的HAL库读写32k数据到AT24C64的EEPROM的方法。
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