STM32（hal库）软硬件学习

硬件部分

一、原理图设计

1、产品需求

2、处理器选型

首先计算所需要多少个IO口以及满足功能要求：

TF卡：7个

SRAM：26个

FLASH：4个

SPI LCD屏幕：8个

蓝牙、WiFi：2个+2个=4个

RS232、RS485共用一个串口：2个

CAN、USB：2+2=4个

步进电机和直流电机共用：4个+1个控制=5个

继电器、电压电流（ADC）、温湿度、亮度、按键、蜂鸣器、LED、RTC：

1+1+1+1+1+2+4+1+3=15个

总共的需要的IO=75个

所选用的芯片至少有100个IO口才可以。

3、电源的选型

 3.1功耗评估：

3.2选型考虑

为什么设计电源过程中，不能直接使用单个LDO12V 1A—3.3V 1A，而要使用DCDC+LDO？

如果使用单个的LDO，那么功率损耗为（12-3.3）*1=8.7w，要以热量的形式散热出去。

以芯片AMS1117为例，考虑热阻系数，每产生1W的损耗，温度升高100℃，单靠PCB散热不太现实。

电源芯片选型需要考虑：

满足功能、性能要求、使用广泛、货源稳定、设计简单、价格、兼容等。

3.3DCDC选用TMI3253SH

1、参数解读：

OVP Threshold ：Over-Voltage Protection Threshold（过压保护阈值） 指的是电路或芯片中过压保护功能触发的电压阈值。当输入电压或输出电压超过此阈值时，过压保护电路会启动，以防止器件或系统损坏。

UVLO Rising Threshold ：Under-Voltage Lockout Rising Threshold（欠压锁定上升阈值） 的缩写，指的是芯片或电路在电压从低到高上升时，解除欠压锁定状态并开始正常工作的电压阈值。

UVLO：（Under-Voltage Lockout）的上升阈值（Rising Threshold）和下降阈值（Falling Threshold）之间的电压差。

UVLO Hysteresis：欠压锁定功能的滞回电压，防止电压波动导致频繁开关。

Switch Valley Current Limit：限制开关管的最小电流，确保稳定工作。

Hiccup on Time：打嗝模式中每次尝试重启的时间。

EN Rising Threshold：使能引脚启动芯片的电压阈值。

EN Hysteresis：使能引脚的滞回电压，防止频繁启动和关闭。

Thermal Shutdown Threshold：芯片热关断的温度阈值，防止过热损坏。

注意：芯片手册中的Maximum Duty Cycle(最大占空比)为65%，指输出电压与输入电压最大只能为65%，那么如果时5V输入，3.3V输出，占空比为66%，达不到要求。

2、管脚描述：

BS：自举电容管脚

3、电感、电阻和电容的计算

电感的计算：

△IL纹波电流按最大值3A的30%计算。

L=[ 5×（12-5) ]/ [12×1×1MHz]=2.91μH

DCDC-BUCK输出电容的计算：

经验取值：

输出电流3A以内的，选取10~47μF并联0.1μF；

输出电流3~5A以内的，47~100μF并联0.1μF；

输出电流5~10A以内的，100~200μF并联0.1μF；

输出电容计算：（纹波电流按10mV计算）

C=12μF，一般选取计算值的2倍左右，选用47μF。

输入电容的计算：Vpmax选取50mV

C=14μF，一般选取结算结构的2倍左右，选取22μF。

4、前馈电容

在反馈电阻R1加一个前馈电容，可以使得DCDC芯片环路多一个零点和极点，提高稳定性。

电路设计：

3.4电源接口设计

3.5LDO选用TLV1117

1、参数解读

线性调整率：

负载调整率：

PSRR电源抑制比:

注意：注意Dropout voltage在具体的电压电流时，压差范围是多少。

例如：在输出小于3.3V，电流为200mA时，压降典型值是115mV；那么如果想将2V降压到1.7V（压降为200mV），VIN=2V<Vout=1.7+VDo=0.115=1.815V，则可能达不到要求。

2、管脚描述

电路设计：

输入输出电容经验值选取10μF+0.1μF。

3.6MCU电源部分

MCU电源分为VDD模拟电源和VDDA数字电源，如果使用DCDC芯片转换给VDDA供电，VDDA对电源纹波比较敏感，需要加一个Π形滤波；如果是使用LDO转出的，可以不使用Π形滤波。

为什么需要在VBAT端加一个47K电阻？

起限流作用，VBAT管脚需要2uA的电流，串一个47K的电阻，能提供足够的电流，同时能限流使得电池使用寿命更长。

4、晶振电路设计

为什么需要在晶振两端并连电容？

因为在晶振的精度就是在一定的负载电容下测试的。

晶振的匹配电容如何计算，为什么要加反馈电阻，以及反馈电阻如何计算？

匹配电容计算如下图所示，Cs取3~5pF；

加反馈电阻的原因是为了预防有些MCU的晶振端口内部没有加反馈电阻，方便调试；

反馈电阻的取值如下图所示。

8M的晶振电路：

32.768K晶振电路：

5、复位电路和调试电路

复位电路：

NRST中的N表示低电平有效

调试电路：

BOOT模式选择：

6、RS232、RS485和CAN

RS232和RS485共用UART1，用模拟开关进行切换；

RS232电路：

T1IN和T2IN用就连接上，不用就不接即可，OUT端也是；

TX空闲时默认为高电平，所以接上拉；RX内部有下拉电阻和反相器，所以一般不用接上拉。

RS485电路：

CAN电路：

Vref不用，接一个电容到地做一个滤波即可。

7、USB_BLUE_WIFI

USB接口：

蓝牙模块：

RELOAD/LED：芯片上电时为RELOAD恢复出厂设置功能输入引脚，检测到连续2秒低电平后恢复出厂设置；芯片上电完成后为LED芯片状态指示信号输出引脚，低电平有效；

所以外接3V3和LED。

WiFi模块：

8、FLASH_EEROM_TF

FLASH：

EERROM：

IIC通信接口

TF卡：

9、电机电路

 采用光耦隔离+H桥驱动

10、按键和LED灯

11、Other

注意：

温湿度的端口为IIC类型的，所以要接上拉电阻。