TLC能力加QLC价格：Solidigm D5-P5430评测

最新推荐文章于 2024-09-22 23:54:42 发布

老胡说科技

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文章标签：数据库服务器 linux

本文链接：https://blog.csdn.net/nH2ihuQ6uT8n7sO1eYD/article/details/131443278

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Solidigm D5-P5430是一款采用第四代QLC闪存的数据中心级SSD，提供15.36TB的大容量和0.58 DWPD的写入耐久度。对比D5-P5316，它的性能和耐久度有所提升，适合更广泛的工作负载。通过使用192层堆叠的QLC闪存，D5-P5430在保持成本优势的同时，可媲美TLC产品的性能，降低总拥有成本。测试显示，即使在限制功率模式下，SSD仍能保持良好的读写性能，尤其在增加OP预留空间后，性能和稳定性显著增强。Solidigm D5-P5430是主流和读取密集型工作负载的理想选择，为数据中心提供了成本效益高的存储解决方案。

摘要由CSDN通过智能技术生成

产品介绍

前段时间在Solidigm D5-P5316的帮助下，计算圆周率100万亿位数的世界纪录被刷新，新纪录的计算效率达到之前的三倍。我们一方面能够感受到SSD对高性能计算的影响，另一方面也看到QLC已经在数据中心中得到广泛采用。今天PCEVA评测的是使用Solidigm第四代QLC闪存的D5-P5430 15.36TB数据中心级SSD。

作为QLC闪存产品，D5-P5430延续大容量高密度优势，最大存储容量可达30.72TB。写入耐久度指标从0.41 DWPD提升至0.58 DWPD，同时提供U.2、E1.S和E3.S多种丰富的规格选项。

相比前面提到的D5-P5316，采用Solidigm第四代192层堆叠QLC闪存的D5-P5430在性能和写入耐久度表现上更进一步，定位也从“高效和读取优化的PCIe 4.0 SSD”提升为“高效和坚固耐用的PCIe 4.0 SSD”，适合的工作负载类型不再局限于顺序读写，而是可以满足更加广泛的主流和读取密集型工作负载。

读取密集型SSD通常提供1 DWPD的写入耐久度指标，D5-P5430虽然在DWPD上仍有一些差距，但更高的存储容量可以弥补这一不足，并在PBW指标上超越一些采用TLC闪存的竞争对手。与此同时，D5-P5430还可在主流应用中提供媲美TLC闪存产品的使用性能，帮助优化总拥有成本(TCO)。

硬件拆解

Solidigm成立于2021年底，名称由Solid-state（固态）和paradigm（范式）两个词组合而成，取树立固态存储行业范式之意，是当前唯一同时掌握Charge Trap电荷捕获结构和Floating Gate浮栅结构两种当代3D NAND技术的公司。相比去年评测时依旧带着英特尔标签的D7-P5520，这次我们收到的D5-P5430样品已经完全换上了Solidigm标签。

当然这个U.2外壳的结构还是一点没变，包括螺丝和卡扣设计还是过去那个已经被证明是非常合理的方式。

Solidigm D5-P5430使用了D5-P5520同款主控，这颗主控在洛斯阿拉莫斯国家实验室的中子源经过SDC（Silent Data Corruption静默数据损坏）测试。所谓静默数据损坏，就是未被ECC纠错机制捕获的、无法在第一时间被发现的错误，到数据需要使用时才被发现，即便有RAID阵列也不一定能修正。前几年就曾有国内云存储大厂因SDC丢失客户数据并招致巨额索赔。

静默数据损坏通常是偶发性事件，可由一些射线或环境影响引发比特翻转所产生。Solidigm的SDC测试通过将中子束聚焦在主控中心来进行，SSD内预先填充了数据，测试过程中主控连续发出I/O指令。实验室会检查数据完整性来确认有无静默数据损坏。Solidigm已经在数代产品中采用了这种测试程序，累计测试时间相当于超过600万年运行寿命，期间没有发现任何SDC错误，可见其对数据完整性的保护非常到位。

Solidigm第四代192层堆叠3D QLC闪存基于Float Gate浮栅结构，由位于大连的晶圆厂制造。Solidigm LOGO靠近颗粒边缘，正面是8颗编号为29F04P2BNCQL1的QLC闪存颗粒(4die 4CE)，PCB背面另有8颗编号为29F08P2BOCQL1的QLC闪存颗粒(8die 8CE)。