硬件 - 电子元器件
nolatin
这个作者很懒,什么都没留下…
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电容的作用?电容器的作用?
电容的作用?电容的作用有滤波、耦合、旁路、去耦的功能。请问下:1、滤波、旁路和去耦有什么区别?2、滤波、旁路和去耦是指电容并联在电路中吗?耦合是指电容串联在电路中吗?3、0.1UF的电容(并联)能滤除范围为多少赫兹的信号?0.01UF呢?是不是电容容量越小滤波的频率就转载 2011-08-13 21:17:44 · 3912 阅读 · 2 评论 -
低通滤波器、高通滤波器,积分电路、微分电路
http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0916/article_11769.html输出信号与输入信号的积分成正比的电路:积分电路输出信号与输入信号的微分成正比的电路:微分电路1)一阶RC低通滤波器RC低通滤波器的电路及其幅频、相频特性如下图所示。设滤波器的输入电压为ex输出电压为ey,电路的原创 2011-08-14 10:38:42 · 15650 阅读 · 0 评论 -
FLASH基本原理
http://www.doc88.com/p-717689673615.html与SRAM、DRAM等易失性存储器不同,FLASH是利用浮栅中是否有电荷来存储信息的,如图1所示。其中浮栅与沟道间氧化层的厚度约为10nm,写入通过浮栅与源漏的穿过氧化层的隧道击穿来实现。而浮栅中的电荷会影响阈值电压,当栅极施加一定的电压时,浮栅中是否有电荷会通过源漏电流体现出来,反映存储的信息转载 2012-09-02 22:11:10 · 1446 阅读 · 0 评论 -
为何NPN三极管集电极带载能力比发射极带载能力强
如果负载接在发射极与地之间,则负载两段的电压为VCC减去三极管的压降、三极管串联的电阻原创 2012-09-17 19:22:14 · 2746 阅读 · 0 评论 -
flash存储原理
norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节;nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。flash存储原理一、半导体存转载 2012-09-03 15:17:14 · 7221 阅读 · 0 评论 -
什么是CMOS
MOS器件分为NMOS和PMOS,而CMOS是指互补的MOS管组成的电路,也就是PMOS,NMOS组成NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道,靠电子的流动PMOS是指 n型 p沟道,靠空穴的流动 CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成,它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至,比线性的三极管(BJT)转载 2012-09-21 09:19:35 · 3973 阅读 · 0 评论 -
什么是耗尽型MOS晶体管
据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。耗尽型MOS场效应管,是在制造过程中,预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子,因此,在UGS=0时,这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子,形成N型导电沟道。当UDS>0时,将产生较大的漏极电流ID。如果转载 2012-09-21 09:06:02 · 11168 阅读 · 0 评论 -
上电瞬间电容相当于短路
刚接入直流电路时由于处于充电状态,那在短时间内可视为短路,但充满电后由于电压等于充电电压,没有电流流动,所以可视为断路。接入交流电路后,由于电容的特性是通交流,但并不是短路,而是根据电容容量的大小可以看做是一只特殊的电阻,容量越大对于低频电路导通率越好,等效电阻越小,反之则越大;容量越小对于高频电路导通率愈好,等效电阻越小,反之则越大http://wenku.baidu.com/vi转载 2012-10-12 22:45:47 · 16537 阅读 · 0 评论 -
射极跟随器特点
输出信号和输入信号同相,大小基本相等。原创 2012-09-23 16:02:06 · 1400 阅读 · 0 评论 -
电子元件继电器五个引脚具体定义
转载 2013-05-22 21:15:29 · 17142 阅读 · 1 评论 -
X2电容有什么作用
X2系列的薄膜电容,主要用于电源输入的L/N跨接进行EMI抑制用,和输入口并联使用,优点如下:1. 这种电容非常稳定,随着时间和稳度的变化很小,所以输入不容易受到环境因素影响。2. 和其他的类型的陶瓷电容器不同,薄膜电容器的容值受电压的影响小。一个X7R的陶瓷电容在0V和50%的应用电压的时候,容值变化达到40%。3. 和大多数类型的电容不同,薄膜电容的耗散因子非常低。这就意味着在AC电流流转载 2013-05-25 10:02:07 · 6861 阅读 · 0 评论 -
电磁式继电器使用注意事项
电磁继电器的使用:1 触点通断时线圈两端会感应出较大的电动势,如果不加隔离,便很容易通过地电势将干扰引入板上其它电路,导致单片机复位。线圈控制端加光耦隔离,线圈的电源与板子的电源隔离。另外线圈两端要加续流二极管(见后说明),可选常用的1N4007或,1N4148,1N5403等 2 触点两端并接去火花的RC电路,R用来抑制触点闭合时的短路电流,C用来抑制触点断开时转载 2013-06-02 18:38:59 · 4826 阅读 · 0 评论 -
瞬态电压抑制二极管(TVS)与压敏电阻有什么不同特点
都是限压型元器件,压敏单体通流量最大可达70KA TVS管单体最大可达20KA ;反应速度:压敏是ns级的稍慢,TVS管ps级的比较快;电容:压敏几百至几千皮法,TVS管几十至几千皮法;击穿电压精度:压敏较高,TVS管最高;击穿电压:压敏比较低,TVS管最低!基本上就这么些区别!转载 2013-06-05 21:00:00 · 3574 阅读 · 0 评论 -
稳压二极管参考表
http://wenku.baidu.com/view/653ef2c25fbfc77da269b1d0.html转载 2013-06-05 22:30:34 · 1225 阅读 · 0 评论 -
MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢
MOS管导通的时候,沟道是什么类型的就是什么沟道,比如源漏都是N型的,那么MOS管要导通,沟道必须也是N型的才能把源漏连接起来进行导电,所以最简单的判断就是看源漏是什么类型掺杂的,就是什么类型的沟道。当然上面说的这些是针对你初学半导体器件时候知道器件截面图时用来判断的,如果是实际的产品的话,就看栅压是加正压MOS管能导通,还是栅压加负压能导通,如果加正压能导通的就是N沟道MOS管,如果加负压能导通转载 2012-09-09 17:09:00 · 5500 阅读 · 0 评论 -
在绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管中,为什么Vds增大,反型层靠近漏极部分变窄
"没加Uds时,只在Ugs的作用下反型层应该是均匀分布的",确实是这样;MOS在用的时候,通常源和衬底接地,所以Ugs=Vg;当Vds增大时,栅和漏之间电压为Ugs-Vds,电压变小,反型层自然变窄。场效应管工作时,漏极和源极之间有一电压Vds,而栅极和源极之间也有一电压Vgs。Vds增加时,由电流Id流过,由于沟道存在一定的电阻,因此,Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等,转载 2012-09-09 15:15:21 · 19527 阅读 · 4 评论 -
麦克风灵敏度
麦克风灵敏度,通常都是以负数形式呈现,比如-45db、-47db。麦克风灵敏度为何是负数呢?db是一个无量纲单位,因此就有一个参考系。麦克风0db的定义是:在1pa声压下,麦克风输出1V电压时为0db。计算公式如下:Lm=20lgVm/Vs,Vs=1v,Vm为麦克风在1帕时输出的电压。通常情况下,麦克风输出的电压都是mV级别,因此得到的Lm一般为负数。比如 -47db,对应的Vm值原创 2011-11-06 13:01:47 · 17164 阅读 · 4 评论 -
光电耦合器(光耦)的应用电路集
光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强.无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点,因而在各种电子设备上得到广泛的应用.光电耦合器可用于隔离电路、负载接口及各种家用电器等电路中.下面介绍最常见的应用电路.1.光耦组成的开关电路图1电路中,当输入信号ui为低电平时,晶体管V1处于截止状态,光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零,输出端Q11、Q12间的电阻很大转载 2011-12-08 12:29:56 · 4279 阅读 · 1 评论 -
贴片、直插元器件封装介绍
链接:http://wenku.baidu.com/view/8d3a7aefe009581b6bd9eb87.html原创 2012-01-31 15:58:43 · 1782 阅读 · 0 评论 -
门电路
参考资料:http://wenku.baidu.com/view/8c1acc7101f69e3143329418.html数字电子技术第二版李中发制作中国水利水电出版社1,可以用两个二极管、一个上拉电阻构成“与门”2,可以用两个二极管、一个下拉电阻构成“或门”3,可以用一个三极管、一个上拉电阻构成“非门”,也就是平时用得较多的电平反向电路4转载 2012-06-11 23:53:47 · 792 阅读 · 0 评论 -
三极管(如NPN)集电极正偏 发射极反偏会怎么样呢? 电流会倒流吗? 其他三种都知道,就是不知道这种情况
三极管除了你知道的放大,饱和和截止三种工作状态之外,还有一种用得极少的“倒置”工作状态,就是你说的集电结正偏发射结反偏,这时跟对比放大状态的发射结正偏集电结反偏来理解,“倒置状态”的集电结,发射结分别充当了“放大状态”的发射结,集电结,即这时载流子(NPN是电子)从集电区发射,由发射区来收集载流子,这时集电区掺杂浓度不高故发射的电子少,同时发射区面积小故最终收集的电子也少,形成的电流很小。没有放大转载 2012-07-08 10:43:26 · 26921 阅读 · 0 评论 -
什么是功率电感,主要作用是什么,在哪些电子设计中要用到
所謂功率電感就是指能耐大電流的電感http://wenku.baidu.com/view/e1fa23c5aa00b52acfc7ca3d.html转载 2012-07-12 12:58:25 · 1677 阅读 · 0 评论 -
SD卡资料
http://wenku.baidu.com/view/13be641514791711cc7917aa.htmlhttp://wenku.baidu.com/view/4f2d266427d3240c8447ef5f.htmlSD协议中文版http://wenku.baidu.com/view/1e82a742336c1eb91a375df4.html转载 2012-07-12 23:55:14 · 528 阅读 · 0 评论 -
2N2222三极管放大倍数和什么有关?
IC电流越大,放大倍数越大?原创 2012-07-15 11:43:17 · 6850 阅读 · 0 评论 -
有关SD卡接线的探索(为什么标准SD卡是九根线,而一般原理图上都是11根线或更多呢?)
首先说几个概念:SD卡:SDHC卡(SD High Capacity,大容量SD卡):4GB~32GBSDXC卡(SD eXtended Capacity):64GB~2TB,这是2009年SD协会发布的新标准SDIO:SD Input Output 带有输入输出设备的SD卡 SD技术是一个大家族,由SD协会负责设置行业标准,应用在超过 400 种品转载 2012-07-17 21:28:26 · 8288 阅读 · 0 评论 -
NAND FLASH 内存详解与读写寻址方式
一、内存详解NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0"。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以 采用称为"映射(sha转载 2012-09-02 20:33:28 · 2667 阅读 · 0 评论 -
.场效应管在漏端预夹断后,为什么还有漏电ID
当两个耗尽区有交点时,就出现预夹断当漏一源之间接上+ VDS时,从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度:源区为零电位,漏区为+ VIB,而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在沟道的不同位置上,沟道厚度不同,源湍最厚,漏端最薄,逐渐升高。在沟道的不同位置上,沟道厚度不同,源端最厚,漏端最薄,当VDS增大到栅一漏电位差VGS= VLS= VGS(rh)时,漏端预夹转载 2012-09-09 10:59:51 · 7010 阅读 · 0 评论 -
瞬态抑制二极管
http://zhidao.baidu.com/question/395955705.html&__bd_tkn__=66bd59363028b034530cec34a6b434fbc24797af8078338d51fed8133ea5c69d362ad36bb4bcda3b39bb3949f6bbe47087ac3af56e60b1f4e7eb60157b55f83b9862aef85b0f0转载 2012-09-07 23:34:16 · 735 阅读 · 0 评论 -
硬件基础知识
http://wenku.baidu.com/view/1609701a6bd97f192279e907.html转载 2012-09-09 17:38:57 · 603 阅读 · 0 评论 -
石英晶体、晶振介绍
石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器、手机等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。 可以说只要需要稳定时钟的地方,就必需要有晶体振荡器。一:认识晶体、晶振常见晶体振荡器有两类,一类是无源晶体,也叫无源晶振,另一类是有源晶振,也叫钟振。无源晶体外形如下图:转载 2012-08-17 23:43:15 · 4608 阅读 · 0 评论