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硅片是MOSMOS电路中最常用的材料，这主要是由于在硅片上的氧化硅/硅界面产生的界面电荷最少，并且载流子具有较高的迁移率.根据量子力学，孤立原子的电子只能位于一些不连续的特定的能级或轨道上，这种能级或轨道由量子数的特征值决定。当两个原子相互接近时，能级就会分裂，形成能容纳系统中所有电子的能级。在晶体材料中，能量较高的能及倾向于合并成两个允许电子占据的分立的能带，分别称为价带和导带。价带上的能级基本

根据量子理论，电子具有粒子性和波动性。只有当电子坐标的误差△x与动量误差△p可以忽略时，才可将电子当做经典粒子来处理。△x与△p之间存在测不准关系：固体中原子间距为10^-8cm的数量级，如果要把电子当做经典粒子，其坐标的误差至少应小于10^-8cm。这时速度的误差为。根据经典理论，电子动能的平均值应为3/2kT，由此算出在室温下电子的均方根速度。可以看出，如果把晶体内的电子当做经典粒子，速度

The threshold voltage (Vth) of the virgin FinFET device is given by[1][2]where VFB is flat-band voltage, Ψs(inv) is the surface potential at threshold voltage, Cox=(εox/tox) is the gate oxide ca

在纯半导体单晶中，导带中的电子全部来自价带中电子的热激发，称之为本征半导体。1.电子和空穴的有效质量导带中的电子和价带中的空穴可以像自由粒子一样在晶体中运动，它们的运动只是偶尔受到分布在晶体中的杂质和缺陷引起的散射的影响。因此电子和空穴的运动类似于电子在真空中的运动。但是电子会收到带电原子核的电势和库仑力的作用，这些带电原子核位于具有周期性势场的晶格中，这种周期性势场对导带中电子和价带中空

在热平衡状态下，能量为E的能态被电子占据的几率由费米-狄拉克函数表示，该函数也叫费米函数。式中Ef为费米能级。费米能级只是一个纯数学参数，它提供了与其它能级相互比较的基准。本征硅中的费米能级通常称为本征费米能级Ei。在T=300K时它只比禁带的中线低0.0073eV，因此在所有的实际应用中，都可假定Ei位于禁带的中央。

添加杂质后的硅叫做非本征硅或掺杂硅，最常见的杂质为B、P和As。根据能带图，掺入施主杂质后，会在导带底附近增加允许电子占据的施主能级；掺入受主杂质后，会在价带顶附近增加允许电子占据的受主能级。    当禁带中的费米能级距两个能带（Ec和Ev）的边缘均大于多个kT(~3kT）时，这种半导体称为非简并半导体。反之，若半导体的费米能级距某个能带边缘的距离在几个kT（~3kT)以内，则称此半导体为简并

根据自由电子模型，允许能量值自零连续分布至无限。自由电子波函数具有如下的形式：它们表示行波，并且携带动量常常采用近自由电子模型描述晶体的能带结构，在这种模型中能带电子看做是仅仅受到离子实的周期势场的微扰。这个模型能够给出关于金属中电子行为的几乎所有定性问题的答案。我们知道，布拉格发射反映了晶体中波传播的特征性质。晶体中电子波的布拉格反射是能隙的起因。