半导体复习-能带模型1

• <100>硅片是MOSMOS电路中最常用的材料，这主要是由于在<100>硅片上的氧化硅/硅界面产生的界面电荷最少，并且载流子具有较高的迁移率.
• 根据量子力学，孤立原子的电子只能位于一些不连续的特定的能级或轨道上，这种能级或轨道由量子数的特征值决定。当两个原子相互接近时，能级就会分裂，形成能容纳系统中所有电子的能级。在晶体材料中，能量较高的能及倾向于合并成两个允许电子占据的分立的能带，分别称为价带和导带。价带上的能级基本上被形成共价键的电子填充，导带上的能及几乎是空的，位于导带上的电子称为自由电子。在导带和价带之间，通常存在一个区域不存在被电子占据的量子态或能级，这个区域被称为禁带。若EC和EV分别表示导带底和价带顶的能级，那么禁带宽度Eg为：Eg=Ec-Ev （eV)。
• 对于大多数半导体，包括硅在内，由于晶格的热膨胀，禁带宽度Eg随温度的增加而减小。硅的禁带宽度与温度的关系可以用一些方程来表示，在SPICE中计算Eg的方程为[1]。在T=300K时，利用该方程得到的Eg=1.115eV。

[1] Y.P. Varshni, Temperature dependence of the energy gap in semiconductors, Physica (Amsterdam).34.p.149(1967)