atmega8 Flash的使用

 

GCCAVR中读取Flash区数据


定义(只能为全局变量):
const int temp PROGMEM = 1;
读取:
pgm_read_byte(addr);
pgm_read_word(addr);
pgm_read_dword(addr);

 

字符串:

全局定义:
const char ss[]PROGMEM = "hello";
函数内定义:
const char *ss = PSTR("hello");

读取同上

 

注意包含:#include <avr/pgmspace.h>

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产品特性 • 高性能、低功耗的 8 位AVR® 微处理器 • 先进的RISC 结构 – 130 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期 – 32个8 位通用工作寄存器 – 全静态工作 – 工作于16 MHz 时性能高达16 MIPS – 只需两个时钟周期的硬件乘法器 • 非易失性程序和数据存储器 – 8K 字节的系统内可编程Flash 擦写寿命: 10,000 次 – 具有独立锁定位的可选Boot 代码区 通过片上Boot 程序实现系统内编程 真正的同时写操作 – 512 字节的EEPROM 擦写寿命: 100,000 次 – 1K字节的片内SRAM – 可以对锁定位进行编程以实现用户程序的加密 • 外设特点 – 两个具有独立预分频器8 位定时器/ 计数器, 其中之一有比较功能 – 一个具有预分频器、比较功能和捕捉功能的16 位定时器/ 计数器 – 具有独立振荡器的实时计数器RTC – 三通道PWM – TQFP与MLF 封装的8 路ADC 8 路10 位ADC – PDIP封装的6 路ADC 8 路10 位ADC – 面向字节的两线接口 – 两个可编程的串行USART – 可工作于主机/ 从机模式的SPI 串行接口 – 具有独立片内振荡器的可编程看门狗定时器 – 片内模拟比较器 • 特殊的处理器特点 – 上电复位以及可编程的掉电检测 – 片内经过标定的RC 振荡器 – 片内/ 片外中断源 – 5种睡眠模式: 空闲模式、ADC 噪声抑制模式、省电模式、掉电模式及Standby 模式 • I/O 和封装 – 23个可编程的I/O 口 – 28引脚PDIP 封装,32 引脚TQFP 封装,32 引脚MLF 封装 • 工作电压 – 2.7 - 5.5V (ATmega8L) – 4.5 - 5.5V (ATmega8) • 速度等级 – 0 - 8 MHz (ATmega8L) – 0 - 16 MHz (ATmega8) • 4 Mhz 时功耗, 3V, 25°C – 工作模式: 3.6 mA – 空闲模式: 1.0 mA – 掉电模式: 0.5 μA
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