第0章 射频电路基础
1产品数据手册中,P1dB重点关注点,超过P1dB放大器很容易被烧掉,饱和功率Psat基本上不能用。
2.为什么功率10*log, 电压20*log?因为要统一,电压增益1dB,功率也增加1dB. P=U2/R
3.温度越高,放大器增益越低。(电子迁移率和阈值电压)
4.已知Pout和IMD(IMD为Pout与三次谐波分量的差值),Pip3=Pout+IMD/2;注意,已知量都是在线性状态下测出的。
5.动态范围:线性工作范围和无杂散工作范围
前者是灵敏度与P1db之间的范围;后者是IM3(IM3刚好为接收灵敏度的值)与Pout之间的范围。
第一章 有源设备和S参数
1.n沟道比p沟道的载流子速率更快,性能会更好,一般会选择n沟道管子。
2. ft:电流增益为0dB时对应的频率。ft与哪些因素有关。
3.短沟道效应,
4.1/f 噪声:DC附近该噪声非常大,对于VCO的设计重点关注。HBT和BJT最适合做VCO,HEMT适合做LNA(因为它的termal noise较低)
5.S参数
a,b分别为入射波和反射波,波的平方为功率。注意S参数是20*log.
6.矢网(安捷伦)的工作原理:
7.BJT的S参数:在不同bias下,S参数是不同的。
输入阻抗在低频时阻抗高,在高频时阻抗低。
S11在Smith圆图上顺时针旋转,S22也顺时针旋转。
Smith圆图是反射系数对应到阻抗的反映。所以S11和S22一般用Smith圆图,S21和S12一般画在极坐标中。
S21为什么是180度?,对于共射放大器而言,
x decade=log(x)=;如0.5decade=log(0.5)一个decade是10^1倍频率,0.5decade是10^0.5倍频率;
20dB/decade(十倍频程)= 6dB/octave(倍频程)
如何读datasheet:MSG 和MAG;
第二章 放大器阻抗匹配技术
1.戴维宁等效:功率不可叠加(P=U*I);U和I是线性的,可叠加。
入射功率是固定的,当负载匹配时,即为入射功率。负载上功率为入射功率-反射功率。
2.Smith圆图(反射系数圆)
发射系数Γ为0,即为匹配点。
3.阻抗匹配电路中,尽量少用电感,电感价格是电容10倍,且电感损耗更大。
并联电感时,可以用短路微带线(小于四分之波长)替换;同理,并联电容可以用开路微带线替换。史密斯圆图的一圈是半波长。
匹配时,串联微带线时,绕着反射系数圆旋转。
4.带宽和反射系数不可兼得;’
要想带宽宽,匹配元件一定要多;
关于匹配网络的插入损耗:元件数目越多,插损越大;带宽越小,插损越大;元件的Q值越小,插损越大。匹配网络的插损一般要小于,甚至0.5dB.
5.功率增益的分类
(1)Transducer power gain,GT=PL/Pavs; Pavs为信号源能提供的最大功率(信号源资用功率),Pnavs为网络能提供的最大功率(网络资用功率)
(2)Available power gain,GA=Pnavs/Pavs, 在GT永远维持输出端口共轭匹配所化简而成。Ga适合LNA的设计,输出一定匹配,此时ΓS=Γopt(minimum noise)以获得最低噪声系数,而非增益。
(3)Operating Power Gain,Gp=PL/Pin,在GT永远维持输入端口共轭匹配所化简而成。适合用于PA的设计。此时ΓL=Γopt(optimun load)以获得最大输出功率,而非增益。
(3)MSG:在K=1时的增益,物理意义:当电晶体被外加的阻性元件加以稳定后,所能得到的最大增益绝不会超过MSG。MSG=|S21/S12|;MSG(dB)=1/2(S21(dB)-S12(dB))
单向性增益:(单向性元件,可假设S12=0)
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