前三章-基础介绍

第0章 射频电路基础

1产品数据手册中，P1dB重点关注点，超过P1dB放大器很容易被烧掉，饱和功率Psat基本上不能用。

2.为什么功率10*log, 电压20*log？因为要统一，电压增益1dB,功率也增加1dB. P=U2/R

3.温度越高，放大器增益越低。（电子迁移率和阈值电压）

4.已知Pout和IMD(IMD为Pout与三次谐波分量的差值)，Pip3=Pout+IMD/2；注意，已知量都是在线性状态下测出的。

5.动态范围：线性工作范围和无杂散工作范围

前者是灵敏度与P1db之间的范围；后者是IM3（IM3刚好为接收灵敏度的值）与Pout之间的范围。

第一章 有源设备和S参数

1.n沟道比p沟道的载流子速率更快，性能会更好，一般会选择n沟道管子。

2. ft:电流增益为0dB时对应的频率。ft与哪些因素有关。

3.短沟道效应，

4.1/f 噪声：DC附近该噪声非常大，对于VCO的设计重点关注。HBT和BJT最适合做VCO，HEMT适合做LNA(因为它的termal noise较低)

5.S参数

a,b分别为入射波和反射波，波的平方为功率。注意S参数是20*log.

6.矢网（安捷伦）的工作原理：

7.BJT的S参数：在不同bias下，S参数是不同的。

输入阻抗在低频时阻抗高，在高频时阻抗低。

S11在Smith圆图上顺时针旋转，S22也顺时针旋转。

Smith圆图是反射系数对应到阻抗的反映。所以S11和S22一般用Smith圆图，S21和S12一般画在极坐标中。

S21为什么是180度？，对于共射放大器而言,

x decade=log(x)=;如0.5decade=log(0.5)

一个decade是10^1倍频率，0.5decade是10^0.5倍频率；

20dB/decade(十倍频程)= 6dB/octave(倍频程)

如何读datasheet:MSG 和MAG;

第二章  放大器阻抗匹配技术

1.戴维宁等效：功率不可叠加（P=U*I）；U和I是线性的，可叠加。

入射功率是固定的，当负载匹配时，即为入射功率。负载上功率为入射功率-反射功率。

2.Smith圆图（反射系数圆）

发射系数Γ为0，即为匹配点。

3.阻抗匹配电路中，尽量少用电感，电感价格是电容10倍，且电感损耗更大。

并联电感时，可以用短路微带线（小于四分之波长）替换；同理，并联电容可以用开路微带线替换。史密斯圆图的一圈是半波长。

匹配时，串联微带线时，绕着反射系数圆旋转。

4.带宽和反射系数不可兼得；’

要想带宽宽，匹配元件一定要多；

关于匹配网络的插入损耗：元件数目越多，插损越大；带宽越小，插损越大；元件的Q值越小，插损越大。匹配网络的插损一般要小于，甚至0.5dB.

5.功率增益的分类

（1）Transducer power gain，GT=PL/Pavs; Pavs为信号源能提供的最大功率（信号源资用功率），Pnavs为网络能提供的最大功率（网络资用功率）

（2）Available power gain,GA=Pnavs/Pavs, 在GT永远维持输出端口共轭匹配所化简而成。Ga适合LNA的设计，输出一定匹配，此时ΓS=Γopt(minimum noise)以获得最低噪声系数，而非增益。

（3）Operating Power Gain,Gp=PL/Pin，在GT永远维持输入端口共轭匹配所化简而成。适合用于PA的设计。此时ΓL=Γopt（optimun load）以获得最大输出功率，而非增益。

（3）MSG:在K=1时的增益，物理意义：当电晶体被外加的阻性元件加以稳定后，所能得到的最大增益绝不会超过MSG。MSG=|S21/S12|；MSG(dB)=1/2(S21(dB)-S12(dB))

单向性增益：（单向性元件，可假设S12=0）

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