LDO芯片SAVX930（矽力杰SILERGY）

一、芯片简介

SAVX930是一款可充电电池备份系统管理IC。它包括一个500mA线性稳压器和一个400mA线性充电器，可以支持1节或2节锂离子或者锂聚合物电池。低静态电流和低压差可最大限度地减少发热。调节器具有过载和短路保护功能。充电器在充电前和充电过程中都有充电状态指示和电池温度监测。

其主要特征包括：

• 4.5V~36V的宽范围输入电压

• 集成一个支持过载和短路保护的500mA线性稳压器

• 集成了一个400mA线性充电器

• 可以支持1节或2节锂离子或者锂聚合物电池

• 支持4.05V、4.1V和4.2V单个电池电压

• ±0.5%的充电电压精度

• 可设置的恒定充电电流和终止电流

• 100mA~400mA的精度±10%的恒定充电电流

• 20mA~100mA的精度±20%的终止电流

• 热调节和热关断

• QFN4*4-16封装

• 满足AEC-Q100 Grade1

芯片典型的应用举例：

二、管脚定义

芯片封装如下图：

具体管脚的描述如下：

三、电气特性

1.绝对最大范围

各管脚的最大电压范围，热阻、结温、回流焊、存储温度范围等要求如下：

2.建议正常工作范围

3.电气特性

测试条件：VLDOIN=VLDOEN=12V，VLDOOUT=10V，VCHGIN=VCHGEN=10V，VBAT=7V，TA=-40℃~125℃，典型值的TA=25℃。

4.典型性能曲线

测试条件：VLDOIN=12V, VLDOOUT=10V, VCHGIN=10V, VBAT=7V, CLDOIN=2.2μF, CLDOOUT=4.7μF, CCHGIN=2.2μF, CBAT=20μF, TA= 25°C

电压跌落和输出电流值的关系：

线性调节，输入电压和输出电压在输出电流10mA时的关系：

跌落电压和温度的关系（估计是内阻变大了）：

反馈电压和温度关系：

负载的瞬态响应曲线：

线性的瞬态响应曲线：

启动/关机时各电压曲线：

短路触发/恢复时瞬态曲线：

短路状态下输出电流的曲线：

充电在各个模式下的热插入时状态曲线：

CC模式下电池插拔时响应曲线：

电池过压保护和恢复曲线：

NTC超限值保护曲线：

四、详细描述

1.输出保护

芯片可以在500mA的输出电流状态下持续工作，如果输出对地短路，芯片将关机300ms，然后进行软启动，如果短路仍然存在，将重复本过程，直到短路消失。

2.充电描述

充电电源存在时，当CHGEN被拉高，在50ms后启动充电。当VCHGIN低于VBAT+$$\varDelta$$VSLEEP，则进入睡眠模式；否则芯片将依据VBAT的电压决定采用涓流模式、恒流模式或者恒压模式充电。当充电电流降低到ITERM，并且VBAT>VBAT_REG-$$\varDelta$$VRCH时，将中止充电。如果自动充电功能打开时，VBAT也低于VBAT_REG-$$\varDelta$$VRCH的时候，将自动启动电池充电。

3.电池组选择

芯片支持单节或2节电池充电，如果CELL管脚是低电平，则为单节电池；CELL是高电平则为2节电池；CELL管脚禁止悬空。

4.充电保护

VBAT＞VBAT_OVP时，充电将会关闭，当VBAT降低到正常范围后充电恢复。

NTC管脚使用一个电阻分压来设置检测电压，当VNTC超出规定范围，充电随时可能被终止。

5.充电状态指示

STAT管脚是开漏输出，需要外置一个上拉电阻，主要功能是输出芯片的充电状态。一般是在CHGIN和STAT管脚间连接一个LED。

充电过程中，STAT管脚输出低电平，灯亮；

充电暂停，STAT管脚输出高电平，灯灭；

错误模式（例如NTC的过温、低温保护和电池过压保护等），STAT管脚输出1.3Hz的高低变换电平，LED灯闪烁；

6.热调节和热关机

热调节功能是指当结温达到120℃时，充电电流会降低来平衡结温。当然，如果结温持续升高达到165℃时，芯片将会关机，然后待结温降低到30℃，芯片会重新恢复正常。

五、应用信息

1.设置输出电压

通过分压电阻设置输出电压，如下图：

计算公式为：

2.输入电容

LDOIN和CHGIN管脚均应靠近放置一个2.2uF的陶瓷电容，当然如输入电源质量不好，应放置足够大的电容，来保证电压在最大的负载时的稳定。

3.输出电容

LDOOUT管脚需要一个4.7uF的陶瓷电容，如输出电压负载经常变化，为了改善瞬态响应，R1可以并联一个2.2nF的陶瓷电容。

充电输出管脚为了保持环路稳定不需要电容，但是在电池不在位的情况下，为保持输出电压稳定可以放置输出电容，此时由于有低漏电流的关系，会形成纹波，具体频率和输出电容的大小有关，例如20uF的输出电容，其纹波频率大概是10Hz，增大电容可降低纹波频率。

4.NTC电阻

通过NTC上电压触发低温保护和高温保护，令K=VNTC/VCHGIN，则KUT=VNTC_H/VCHGIN，KOT=VNTC_L/VCHGIN，其中KUT为低温阈值，KOT为高温阈值。

R3和R4的阻值计算公式为：

六、PCB布局

PCB布局会影响纹波抑制、瞬态响应、线性性能和热性能等，建议直接采用开发板的布局。如需改动，有如下建议：

• 输入/输出陶瓷电容应尽量靠近LDOIN、CHGIN、LDOOUT和BAT管脚；

• 反馈回路尽量短，分压电阻放置靠靠近芯片；

• LDOIN、CHGIN、LDOOUT、BAT和GND要连在大片铜皮上，利于散热；