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青牛科技实业01
这个作者很懒,什么都没留下…
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双极性 ADC 和差分 ADC 中的失调误差和增益误差
V i n , D= 3 - ( - 3 ) 2.5 L S B - ( - 2.5 L S B )= 6 5数L S B _ _ _ _������=�����?��������,�?例如,FS = 2.5 V 的 16 位 ADC 中相同的 -8 mV 偏移对应于大约 -210 LSB。根据系统中可用的测试信号和系统线性的输入范围,我们可以选择适当的点来确定传递函数的斜率。原创 2024-06-21 09:58:48 · 377 阅读 · 0 评论 -
利用智能交流控制设计方法实现更好的家电安全
ACS 开关的栅极结构在以前的三端双向可控硅开关结构中是不可能的,它允许芯片的背面保持电气稳定:可以在单框架封装中创建交流开关阵列,专用于洗碗机等设备的集中执行器驱动。例如,0.8A 开关可保证 500V/μs 的抗扰度,是具有相同栅极灵敏度 (Igt= 10mA) 的等效 1A 三端双向可控硅开关元件的 10 倍。例如,在制冷设计中,通过使用数字控制可以实现更好的食品保存和更高的压缩机效率;从机电到数字控制的转变首先是通过现成的电子设备完成的——系统架构是围绕 MCU、分立晶体管和高压双向可控硅构建的。原创 2024-06-17 10:25:41 · 369 阅读 · 0 评论 -
利用智能交流控制设计方法实现更好的家电安全
ACS 开关的栅极结构在以前的三端双向可控硅开关结构中是不可能的,它允许芯片的背面保持电气稳定:可以在单框架封装中创建交流开关阵列,专用于洗碗机等设备的集中执行器驱动。例如,0.8A 开关可保证 500V/μs 的抗扰度,是具有相同栅极灵敏度 (Igt= 10mA) 的等效 1A 三端双向可控硅开关元件的 10 倍。例如,在制冷设计中,通过使用数字控制可以实现更好的食品保存和更高的压缩机效率;从机电到数字控制的转变首先是通过现成的电子设备完成的——系统架构是围绕 MCU、分立晶体管和高压双向可控硅构建的。原创 2024-06-15 15:20:19 · 770 阅读 · 0 评论 -
什么叫特高压电网
特高压电网(Ultra High Voltage, UHV)是指输电线路中所使用的电压级别非常高的电网系统。技术挑战: 特高压电网的建设和运行涉及到高电压、大电流等复杂技术,对设备和绝缘材料的要求较高,也面临着一定的技术挑战。能量损耗低: 由于特高压电网的电压级别高,因此输电损耗较低。这减少了输电过程中的能量损失,提高了电网的效率。节省用地: 特高压输电线路相比于低压或中压输电线路的输电能力更大,因此可以减少用地需求。环保性: 由于输电损耗低,特高压电网有助于减少温室气体排放,从而降低对环境的影响。原创 2024-06-14 13:58:22 · 165 阅读 · 0 评论 -
用于驱动和保护电源开关的解决方案
操作时,编程栅极位于源极,控制栅极位于漏极,其中两个电极的边缘场调制两个栅电极之间未覆盖的硅沟道(p型,1015 cm -3 )的电荷载流子浓度从而允许设备正常运行。到目前为止,我们考虑的是具有金属触点的纳米线 FET,其源极触点处具有 SB Ф s SB,漏极触点处具有 Ф d SB,如图 1 所示。从上式中,λ 是电势变化的屏蔽长度尺度,反映了所考虑的器件几何形状,Ф g + Ф bi是栅极和内置势能,Ф f (x) 是沟道处的势能介电界面。当观察不同偏置电压的导带时,可以理解次线性行为的原因。原创 2024-06-13 10:25:33 · 303 阅读 · 0 评论 -
过滤器简介
对于带通或陷波滤波器,Q 表示中心频率与-3dB 带宽之间的比率(即f 1和f 2之间的距离)。中心频率是用于带通滤波器和陷波滤波器的术语,是上截止频率和下截止频率之间的中心频率。滤波器可以是有源的或无源的,滤波器的四种主要类型是低通、高通、带通和陷波/带阻(尽管也有全通滤波器)。滤波器的四种主要类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和陷波滤波器(或带阻或带阻滤波器)。带宽是通带的宽度,通带是从滤波器的输入移动到滤波器的输出时不会经历显着衰减的频带。对于带通滤波器和陷波滤波器,存在两个阻带频率。原创 2024-06-12 10:32:07 · 397 阅读 · 0 评论 -
同步带张紧的三种方式特性介绍分享
齿形则是带体上的一系列齿状突起,用来与带轮上的齿槽相咬合,实现动力传递。总结来说,同步带的张紧方式选择需要根据具体的应用场景和需求来决定。而在对张紧有特定要求的场景中,无外部张紧结构的纯拉扯方式可能更为合适。特点:这是优选的方式,纯靠两个同步带拉扯实现张紧,没有外部张紧结构,张紧结构非常紧凑。特点:在同步带外面增加一个张紧机构,不推荐作为,仅在必要情况下使用。特点:对张紧有要求的场景(如机器人设计)中,这是优选的一种方式。增加生产和维护的成本,因为增加了一个运动部件,增加了隐患。节省物料成本、装配成本。原创 2024-06-11 13:38:41 · 150 阅读 · 0 评论 -
电阻应变片的结构
当被测对象受力变形时,应变片的敏感栅也随之变形,其电阻值会发生相应变化,并通过转换电路转换为电压或电流的变化来进行测量。引出线用于连接电阻丝与测量电路,输出电参量,它是从应变片的敏感栅中引出的细金属线。使用金属应变片时,需用粘结剂将应变片基底粘贴在试件表面某个方向和位置上,以便试件受力后将表面应变传递给应变片的基底和敏感栅。常用的电阻应变片有金属应变片和半导体应变片两种。一般要求基底能准确地把试件的应变传递给敏感栅,同时基底绝缘性能要好,否则会漏掉应变片微小电信号。各类电阻应变片的结构形式如图2—4所示。原创 2024-06-06 10:40:21 · 300 阅读 · 0 评论 -
CCD(电荷耦合器件)架构的特点、优点和缺点
行间 CCD 不需要帧传输 CCD 中使用的大型存储部分,但它们引入了一个新的缺点:传感器将光子转换为电子的效率较低,因为每个像素位置现在由一个光电二极管和一部分组成。通过在传感器中添加微型透镜,将入射光集中到每个像素的光敏区域,可以大大减轻这种灵敏度的损失,但这些“微透镜”有其自身的一系列困难。正如我们从上一篇文章中了解到的,我们通过应用精心定时的时钟信号来获取 CCD 像素数据,这些时钟信号依次在器件的电荷传输结构中创建势阱和势垒。在电池供电的应用中,驱动物理物体所需的额外能量也是不受欢迎的。原创 2024-06-05 10:00:25 · 514 阅读 · 0 评论 -
隔离变压器的特点与作用
电气隔离: 隔离变压器的主要特点是将输入端和输出端完全电气隔离,通过磁耦合实现能量传递。这意味着输入端和输出端之间没有直接的电连接,从而有效地防止了电流或电压的干扰和传递。变换比固定: 隔离变压器具有固定的变换比。输入端的电压和输出端的电压之间的比例是固定的,不受负载变化的影响。它通过隔离输入端和输出端之间的电气连接,减少了传导和辐射噪声对系统的影响。绝缘性能: 由于输入端和输出端之间的电气隔离,隔离变压器具有良好的绝缘性能。电气隔离: 隔离变压器可以将电源与负载之间隔离开来,避免电流或电压的干扰和传递。原创 2024-06-04 14:25:12 · 419 阅读 · 0 评论 -
MOS产品在充电桩上的应用选型分析和简介
目前非 800V系统充电桩采用三相维也纳整流+LLC电路,其中PFC整流可以采用二极管,PFC升压可以采用650V IGBT或者SJ MOSFET,LLC采用650V SJ MOSFET。2023年1-11月,月度平均新增公共桩7.5万台,同比+41.8%,公共充电桩行业保持高速增长。在充电过程中起控制电流的作用,输出的交流电接入电动车后,通过电动车上的OBC变为直流电,进而实现对动力电池的充电过程。具有导通损耗小,开关损耗小,抗雷击浪涌能力强的特性,在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。原创 2024-05-07 13:45:45 · 291 阅读 · 0 评论 -
化成分容设备MOSFET选型推荐与电池化成分容简介
电池制成后,其内部的正负极活性物质并没有激活,此时的电池并不具有提供能量的功能,需要通过充放电激活电池内的活性物质,使电池具有储能和自放电的能力,这一充放电激活电池的过程称之电池化成。原创 2024-04-25 13:58:16 · 444 阅读 · 0 评论 -
QC/PD快充电源产品MOS选型分析
• 原边650-700V SJ MOSFET采用低FOM值的ESM 技术,有利于提高系统效 率, 以及更佳的EAS和EMI等特性,对于一些不含PFC电路的系统更友好。• 我们的产品覆盖原边650/700V SJ,副边 40-100V SGT,以及 30-40V VBUS 产品,提供全套 Power 产品方案。• 副边采用低FOM值的SGT同步整流电路,相比肖特基二极管整流能有更低的 损耗,有利于系统效率的提高。原创 2024-01-05 15:05:33 · 393 阅读 · 0 评论 -
QC/PD快充电源选型分析
• 原边650-700V SJ MOSFET采用低FOM值的ESM 技术,有利于提高系统效 率, 以及更佳的EAS和EMI等特性,对于一些不含PFC电路的系统更友好。• 我们的产品覆盖原边650/700V SJ,副边 40-100V SGT,以及 30-40V VBUS 产品,提供全套 Power 产品方案。• 副边采用低FOM值的SGT同步整流电路,相比肖特基二极管整流能有更低的 损耗,有利于系统效率的提高。原创 2023-12-29 17:06:18 · 362 阅读 · 0 评论 -
充电桩MOS选型分析
• 目前非 800V系统充电桩采用三相维也纳整流 +LLC 电路,其中 PFC 整流可以采用二 极管,PFC 升压可以采用650V IGBT 或者 SJ MOSFET, LLC 采用 650V SJ MOSFET。• 对于 800V 系统,通过并联以上两路也可以实现,但是其损耗较大,通常采用 SiC 二 极管, SiC MOS 来显著提高效率。• 充电桩是大功率 AC-DC 转换电源,用于给新能源电动汽车快速充电。原创 2023-12-26 15:26:26 · 142 阅读 · 0 评论 -
充电桩如何选型MOS
• 目前非 800V系统充电桩采用三相维也纳整流 +LLC 电路,其中 PFC 整流可以采用二 极管,PFC 升压可以采用650V IGBT 或者 SJ MOSFET, LLC 采用 650V SJ MOSFET。• 对于 800V 系统,通过并联以上两路也可以实现,但是其损耗较大,通常采用 SiC 二 极管, SiC MOS 来显著提高效率。• 充电桩是大功率 AC-DC 转换电源,用于给新能源电动汽车快速充电。原创 2023-12-25 14:01:26 · 181 阅读 · 0 评论 -
小电流MOSFET 选型分析数据,可应用于电子烟,电动工具,智能穿戴等产品上
小电流双N,D-N通道MOSFET,电压60V-100V左右 电流300mA-500MA,采用封装形式多样。具有低导通电阻,可快速切换速度,易于设计的驱动电路也易于并联,ESD保护,低电压驱动使该器件非常适合便携式设备等特点。原创 2023-12-11 14:52:03 · 73 阅读 · 0 评论