MOS产品在充电桩上的应用选型分析和简介

充电桩是新能源汽车基础设施建设的重要组成部分，一个完整的充电桩主要包括充电系统、监控系统、计量计费系统等。在政策和市场双重驱动下，充电桩产业迎来加速发展，市场规模实现快速增长。根据中国充电联盟数据，截至2023年11月，中国公共充电桩保有量263万台，同比+52%；2023年1-11月，月度平均新增公共桩7.5万台，同比+41.8%，公共充电桩行业保持高速增长。

                       1、充电桩简介

交流充电桩（慢充）：在充电过程中起控制电流的作用，输出的交流电接入电动车后，通过电动车上的OBC变为直流电，进而实现对动力电池的充电过程。常见输出功率为7kW(单相220V/32A)，充电时间约5-8小时，适用于家庭、公司等具备长时间停车条件的场所。

直流充电桩（快充）：不需要通过OBC，可直接为电动车充电。根据功率大小不同有一体式和分体式结构，一体式常搭载1-2个充电枪，功率60-180kW；分体式结构常搭载6-8个充电枪，功率360kW和480kW，适用于商场、高速公路服务区等对充电效率要求高的场所。

2、行业厂家及行业特点

行业厂家：

国内主要行业厂家有优优绿能、英可瑞、英飞源、特来电、永联科技、盛弘股份、通和科技等诸多优秀企业。

行业特点：

• 充电桩行业前期投入大，投资回报周期长，行业进入壁垒较高。

• 国家从政策层面大力推进充电基础设施发展，新能源补贴从“补车”到“补桩”，充电基础设施建设纳入“新基建”。

• 多项政策持续出台，行业内现有企业增能扩产，同时不断有新玩家进入，但行业当前仍处于成长期、未来国内竞争格局存在较大不确定性。

• 小功率交流桩直流化成行业趋势。

                      3、典型拓扑结构

  充电桩是大功率AC-DC转换电源，用于给新能源电动汽车快速充电。目前非 800V系统充电桩采用三相维也纳整流+LLC电路，其中PFC整流可以采用二极管，PFC升压可以采用650V IGBT或者SJ MOSFET，LLC采用650V SJ MOSFET。对于 800V系统，通过并联以上两路也可以实现，但是其损耗较大，通常采用SiC二极管，SiC MOS来显著提高效率。

                  4、MOSFET选型推荐

650V/800V超结MOS：

采用多层外延工艺，优化元胞结构，具有电流能力强，短路能力好的特点。二极管反向恢复特性优，dV/dt能力优，可靠性高，一致性好。

750V/1200V SiC MOS：

极低的门电荷（QG）、极低反向恢复的快速本征体二极管、可最大限度减少传导损失，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力；器件参数一致性好；高频率的运行、能让被动元器件做得更小，显著提高效率。

1200V SiC SBD：

具有导通损耗小，开关损耗小，抗雷击浪涌能力强的特性，在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

产品选型如下：