硬件设计——反激电源设计（1）

1 引言

前几天面试，我画了一个反激电源拓扑图。面试官问我激磁场电感的电流，mos管波形。我发现我不会（不会的东西多呢去，很正常，哈哈！），但却勾引起我对反激电源波形的好奇。
下来我一步一步按照教程去搭，探索反激电源从理论——电磁计算——仿真——EDA设计——打样焊接——测试等过程。

2 路基础知识

PS：楼主也是边回忆边学，学了忘，忘了学。哈哈哈！

2.1 三要素

全响应 = 零输入响应 + 零状态响应
零输入响应：电压源/电流源 输入源为0值，电容/电感初始时刻为（0-）状态。
零状态响应：电容/电感初始状态为0值，但电压源/电流源为输入数值。

2.2 换路定则

1 i_L（0+） = i_L（0-）；u_C（0+） = u_C（0-）。
2 当 t = 0 时，电感为断路，电容为短路；
当 t —> 无穷时，电感为短路，电容为断路。

3 反激电源理论

3.1 反激电源拓扑及理论波形

反激电源拓扑

理论波形

4 反激电源数学模型建立

反激电源进行变压器模型等效建立。
MOS管导通阶段：

其中，Vc怎么算？？？

MOS管关断阶段：

时间【mos关断时刻0+,副边绕组放电完成时刻】

可能推着不对，但大概就是电感在关断0时刻电压最强，对电阻和电容充电。这时，侧边电感成线性下降。

V_NP 为电感零时刻之前储存的电压，它一直在阻碍，在放电，故为负。
V_NS为电感零时刻之前储存的电压，它阻碍充电，放电，因为参考方向问题，故为正。
V_Q为MOS管电压，V_Q = V_NP（0-）+ V_in。
副边绕组一直在导通，故V_D = 0。

时间 【副边绕组放电完成时刻，MOS管关闭完成时刻】

I_P = I₁ = 0；MOS继续关闭。
I_s = I₂ = 0；副边绕组放电完成。
V_NP = V_NS = 0；原边绕组，副边绕组放电完成，故为0；
V_Q为MOS管电压，V_Q = V_in 。

V_D = ? (以后再想想) 。