LLC开关电源详细工作过程

本文详细阐述了LLC谐振转换器的工作过程,包括三种不同的开关频率与谐振频率关系下的工作状态。在fs>fr时,转换器实现ZVS;在fr1<fs<fr时,不仅开关管实现ZVS,整流二极管也能实现ZCS。通过分析各个阶段的波形和电流变化,揭示了LLC转换器的高效能和低损耗特性。

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1 简述

LLC开关电源一般使用PFM,在某些工况下可能使用PWM。
LLC具有三个谐振器件,两个谐振频率。常说的谐振频率是指谐振电感与谐振电容的谐振频率 f r f_{r} fr。还有一个是谐振电感、谐振电容和励磁电感之间的谐振,谐振频率 f r 1 f_{r_{1}} fr1
对于PFM,根据开关频率和谐振频率的关系分为三种情况。
1 f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr,工作于谐振频率 f r f_{r} fr之上。该频率段LLC的开关管可实现ZVS。
2 f r 1 < f s < f r f_{r_{1}}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr,工作于谐振频率 f r f_{r} fr之下,但高于另一个谐振频率 f r 1 f_{r_{1}} fr1。该频率段LLC的开关管可实现ZVS和整流二极管可实现ZCS。
3 f s < f r 1 f_{s}<f_{r_{1}} fs<fr1,工作频率小于谐振频率 f r 1 f_{r_{1}} fr1。可以实现LLC开关管的ZCS。

2 主拓扑

以全桥LLC,副边全波整流为例,进行说明。拓扑如下:

在这里插入图片描述说明:D11与下文中的副边D1,D12与下文中的副边D2是同一个器件,均为副边整流二极管。开关管的体二极管D1、D2与副边二极管D1、D2不是同一个器件,画图失误。

3 具体工作过程

根据三种状态分别分析,
(1) f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr时,波形如下图。其中 f s f_{s} fs是工作开关频率, f r f_{r} fr为谐振频率。
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr时工作波形

其中, i L r i_{L_{r}} iLr是谐振电流, i L m i_{L_{m}} iLm是励磁电流, i 0 i_{0} i0是副边整流二极管的电流, g 1 , 4 g_{1,4} g1,4是Q1和Q4的驱动信号, g 2 , 3 g_{2,3} g2,3是Q2和Q3的驱动信号。

(2) f s = f r f_{s}=f_{r} fs=fr时,波形如下图:
在这里插入图片描述

f s = f r f_{s}=f_{r} fs=fr时工作波形

f s = f r f_{s}=f_{r} fs=fr时,当脉冲信号结束时,谐振电流刚好等于励磁电流,管子的并联电容开始充放电;整流二极管的电流处于断续和连续的临界状态。

(3) f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr时,波形如下图:

在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r_{1}}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr时工作波形

3.1 f s f_{s} fs> f r f_{r} fr时工作过程

(1) t 0 t_{0} t0~ t 1 t_{1} t1时间段
请添加图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 0 t_{0} t0~ t 1 t_{1} t1时间段

其中,红色表示流通。

t 0 t_{0} t0~ t 1 t_{1} t1段时,Q1和Q4开通,电路通路如红线所示。此时 i L r > i L m i_{L_{r}}>i_{L_{m}} iLr>iLm,有输出电流,且为正; t 0 t_{0} t0时刻, V C 1 V_{C_{1}} VC1 V C 4 V_{C_{4}} VC4为二极管管压降, V C 2 V_{C_{2}} VC2 V C 3 V_{C_{3}} VC3和为 V i n V_{in} Vin ,因此开关管是ZVS。当 t 1 t_{1} t1时刻,Q1和Q4脉冲信号结束,此时间段结束。

(2) t 1 t_{1} t1~ t 2 t_{2} t2时间第一阶段
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 1 t_{1} t1~ t 2 t_{2} t2时间第一阶段

当在 t 1 t_{1} t1~ t 2 t_{2} t2时,四个管子均关断,由于此时 i L r > i L m i_{L_{r}}>i_{L_{m}} iLr>iLm,所以还继续有输出电流,并且谐振电感给Q1和Q4的并联电容开始充电,Q2和Q3的电容也开始放电,当电压下降到0时,D2和D3导通,此时 V C 2 V_{C_{2}} VC2 V C 3 V_{C_{3}} VC3为二极管管压降,该阶段结束。

(3) t 1 t_{1} t1~ t 2 t_{2} t2时间第二阶段
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 1 t_{1} t1~ t 2 t_{2} t2时间第二阶段

C2和C3电压已下降,C2、C3体二极管已导通, V C 2 V_{C_{2}} VC2 V C 3 V_{C_{3}} VC3为二极管管压降。 i L r i_{L_{r}} iLr i L m i_{L_{m}} iLm这个阶段均下降, i L r = i L m i_{L_{r}}=i_{L_{m}} iLr=iLm当此阶段结束。

(4) t 2 t_2 t2时刻
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 2 t_{2} t2时刻

t 2 t_{2} t2时刻, i L r = i L m i_{L_{r}}=i_{L_{m}} iLr=iLm,此刻无输出电流。

(5) t 2 t_{2} t2~ t 3 t_{3} t3时间段
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 2 t_{2} t2~ t 3 t_{3} t3时间段

t 2 t_{2} t2~ t 3 t_{3} t3时,四个管子继续关断,谐振电流和励磁电流继续下降,此时 i L r < i L m i_{L_{r}}<i_{L_{m}} iLr<iLm,变压器原边电流为负,副边D2导通。当Q2和Q3管子脉冲信号来时,此阶段结束。

(6) t 3 t_{3} t3~ t 4 t_{4} t4时间段
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 3 t_{3} t3~ t 4 t_{4} t4时间段

t 3 t_{3} t3~ t 4 t_{4} t4时,Q2和Q3导通,由于此时Q2和Q3的电压被二极管钳位因此可以实现零电压开通;开通后 V C 2 V_{C_{2}} VC2 V C 3 V_{C_{3}} VC3此时为MOSFET管压降, V C 1 V_{C_{1}} VC1 V C 4 V_{C_{4}} VC4 V i n V_{in} Vin,变压器原边电流还是为负,副边D2导通。当Q2和Q3脉冲结束,此阶段结束。

(7) t 4 t_{4} t4~ t 5 t_{5} t5时间第一阶段
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 4 t_{4} t4~ t 5 t_{5} t5时间第一阶段

t 4 t_{4} t4~ t 5 t_{5} t5时,谐振电流给Q2和Q3的并联电容充电,Q1和Q4的并联电容放电。当Q1和Q4的并联电容,电压为0,Q1和Q4的二极管导通,Q1和Q4的电压被钳位为二极管管压降,此阶段结束。

(8) t 4 t_{4} t4~ t 5 t_{5} t5时间第二阶段
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 4 t_{4} t4~ t 5 t_{5} t5时间第二阶段

Q1和Q4的二极管导通,Q1和Q4的电压被钳位为二极管管压降,当励磁电流和电感电流相等,此阶段结束。

(9) t 5 t_{5} t5时刻
在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 5 t_{5} t5时刻

当在 t 5 t_{5} t5时刻,谐振电流等于励磁电流,没有输出电流。

(8) t 5 t_{5} t5~ t 6 t_{6} t6时间段

在这里插入图片描述

f s > f r f_{s}>f_{r} fs>fr t 5 t_{5} t5~ t 6 t_{6} t6时间段

t 5 t_{5} t5~ t 6 t_{6} t6时,四个管子继续关断,谐振电流和励磁电流幅值继续下降,此时幅值大小关系为励磁电流大于电感电流。原边电流开始为正,副边D1导通,且增大,此阶段到Q1和Q4的脉冲信号到来。然后继续循环。

3.1 f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr时工作过程

(1) t 0 t_{0} t0~ t 1 t_{1} t1时间段
在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 0 t_{0} t0~ t 1 t_{1} t1时间段

t 0 t_{0} t0~ t 1 t_{1} t1时,Q1和Q4开通,电路通路如红线所示。此时 i L r > i L m i_{L_{r}}>i_{L_{m}} iLr>iLm,有输出电流,且为正;开通后 V C 1 V_{C_{1}} VC1 V C 4 V_{C_{4}} VC4为MOSFET管压降, V C 2 V_{C_{2}} VC2 V C 3 V_{C_{3}} VC3 V i n V_{in} Vin,当t1时刻, i L r = i L m i_{L_{r}}=i_{L_{m}} iLr=iLm ,此时间段结束。

(2) t 1 t_{1} t1~ t 2 t_{2} t2时间段

在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 1 t_{1} t1~ t 2 t_{2} t2时间段

此阶段,Q1和Q4没有关断, i L r = i L m i_{L_{r}}=i_{L_{m}} iLr=iLm,两个电感和电容进行谐振,该谐振频率低。此时副边电流为0,输出电容向负载放电。该阶段持续到Q1和Q4关断。Q1和Q4关断的时候,因此整流二极管电流副边D1已经为0,因此整流二极管副边D1可以实现ZCS。

(3) t 2 t_{2} t2~ t 3 t_{3} t3时间第一阶段
在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 2 t_{2} t2~ t 3 t_{3} t3时间第一阶段

Q1和Q4关断后,谐振电流给Q1和Q4的并联电容充电,Q2和Q3的并联电容放电,。当Q2和Q3的并联电容,电压为0,Q2和Q3的二极管导通,Q2和Q3的电压被钳位为二极管管压降,此阶段结束。

(4) t 2 t_{2} t2~ t 3 t_{3} t3时间第二阶段
在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 2 t_{2} t2~ t 3 t_{3} t3时间第二阶段

励磁电流和电感电流继续下降,一直到Q2和Q3开通,此阶段结束。

(5) t 3 t_{3} t3~ t 4 t_{4} t4时间段
在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 3 t_{3} t3~ t 4 t_{4} t4时间段

t 3 t_{3} t3~ t 4 t_{4} t4时,Q2和Q3导通,由于此时Q2和Q3的电压被二极管钳位,因此可以实现零电压开通;开通后 V C 2 V_{C_{2}} VC2 V C 3 V_{C_{3}} VC3此时为MOSFET管压降, V C 1 V_{C_{1}} VC1 V C 4 V_{C_{4}} VC4 V i n V_{in} Vin,变压器原边电流为负,副边D2导通。 i L r = i L m i_{L_{r}}=i_{L_{m}} iLr=iLm,此阶段结束。

(6) t 4 t_{4} t4~ t 5 t_{5} t5时间段
在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 4 t_{4} t4~ t 5 t_{5} t5时间段

此阶段,Q2和Q3没有关断, i L r = i L m i_{L_{r}}=i_{L_{m}} iLr=iLm,两个电感和电容进行谐振,该谐振频率低。此时副边电流为0,输出电容向负载放电。该阶段持续到Q2和Q3关断。Q2和Q3关断的时候,因此整流二极管电流已经为0,因此整流二极管ZCS
(7) t 5 t_{5} t5~ t 6 t_{6} t6时间第一阶段
在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 5 t_{5} t5~ t 6 t_{6} t6时间第一阶段

Q2和Q3关断后,谐振电流给Q2和Q3的并联电容充电,Q1和Q4的并联电容放电,。当Q1和Q4的并联电容,电压为0,Q1和Q4的二极管导通,Q1和Q4的电压被钳位为二极管管压降,此阶段结束。

(8) t 5 t_{5} t5~ t 6 t_{6} t6时间第二阶段
在这里插入图片描述

f r 1 < f s < f r f_{r1}<f_{s}<f_{r} fr1<fs<fr t 5 t_{5} t5~ t 6 t_{6} t6时间第二阶段

励磁电流和电感电流幅值继续下降,一直到励磁电流等于电感电流,此阶段结束。

<think>好的,我现在要解决的问题是关于MOS管在半桥整流电路中的应用及其原理。首先,我需要明确用户的需求,他们想知道MOS管在半桥整流电路中的工作原理以及具体应用场景。用户可能具备一定的电子电路基础,但对半桥整流和MOS管的结合使用还不够了解,需要详细解释。 首先,我应该回顾半桥整流电路的基本原理。根据用户提供的引用内容,三相全桥整流电路在功率增加时被使用,而半波整流电路每个相单独形成半波整流。不过这里用户提到的是半桥整流,可能指的是单相或三相中的半桥结构。需要确认半桥整流和全桥整流的区别,通常半桥使用两个开关管,而全桥使用四个。但可能用户指的是半波整流?或者可能混淆了术语?需要进一步确认。 不过用户明确提到“半桥整流”,所以应该按照半桥结构来分析。半桥整流通常用于高频开关电源中,比如在逆变器或DC-DC转换器中。半桥结构由两个开关管(如MOS管)组成,交替导通,将交流转换为直流。而传统的二极管半桥整流可能效率较低,特别是在高频应用中,因此使用MOS管替代二极管进行同步整流可以提高效率。 接下来,我需要考虑MOS管在半桥整流中的作用。MOS管作为开关器件,可以通过控制其栅极电压来实现导通或关断。在同步整流中,MOS管的导通电阻(RDS(on))较低,从而减少导通损耗,提高整体效率。这对于高频率、大电流的应用尤为重要。 然后,需要描述半桥整流电路的基本结构。半桥通常包括两个MOS管,连接在交流电源的两端,中间点作为输出。通过交替驱动两个MOS管,使得在交流的正半周和负半周都能导通,从而将交流转换为直流。控制电路需要确保两个MOS管不同时导通,否则会导致短路。因此,死区时间的设置很重要。 在原理部分,需要详细说明工作过程。例如,当输入电压为正半周时,上桥臂的MOS管导通,电流流经上管到负载;负半周时,下桥臂的MOS管导通,电流路径改变。这样在输出端得到脉动的直流电压,再通过滤波电容平滑波形。 应用方面,MOS管半桥整流常用于开关电源、不间断电源(UPS)、电机驱动等场合。特别是高频场合下,MOS管的快速开关特性能够减少开关损耗,提升效率。此外,同步整流技术也广泛应用于计算机电源、通信设备电源等高效能需求领域。 需要检查是否有错误,比如是否混淆了整流和逆变的功能。半桥电路既可以用于整流(AC转DC)也可以用于逆变(DC转AC),但这里用户明确提到整流,所以应侧重于整流应用。同时,注意同步整流与传统二极管整流的区别,强调MOS管在此的优势,如效率高、热损耗小等。 可能还需要考虑保护电路,比如防止过压、过流,以及驱动电路的设计,确保MOS管正确开关。此外,MOS管的体二极管在关断期间是否起到续流作用,这也是需要考虑的因素。 总结起来,回答的结构应包括: 1. MOS管在半桥整流中的工作原理,包括电路结构和工作过程。 2. 同步整流的优势,如效率提升。 3. 实际应用场景举例。 4. 可能的设计考虑,如驱动信号、死区时间、保护措施等。 需要确保使用正确的中文术语,并按照用户的格式要求,使用$...$和$$...$$来标注数学公式,如计算导通损耗时使用$P = I^2 \cdot R_{DS(on)}$。同时,生成相关问题,帮助用户进一步学习。 现在需要验证这些信息是否正确。例如,同步整流确实用MOS管替代二极管,导通损耗更低。半桥结构在高频应用中常见,如LLC谐振转换器。同时,引用提供的三相整流信息可能不直接相关,但用户的问题是关于半桥,所以需要专注于半桥而非三相全桥。 可能存在需要更详细解释的部分,比如驱动信号的同步如何实现,是否需要专门的控制器,以及MOS管的体二极管在整流中的作用。这些细节可能需要简要提及,但不过于深入,以免超出用户需求。 最后,生成的相关问题应围绕MOS管半桥整流的扩展,如设计注意事项、效率优化、与其他整流电路的比较等。</think>### MOS管半桥整流电路原理及应用 #### 1. 电路原理 半桥整流电路通常由两个MOS管构成,拓扑结构如图1所示。在交流输入的正半周期,上桥臂MOS管$Q_1$导通,电流路径为$V_{AC}^+ \rightarrow Q_1 \rightarrow 负载 \rightarrow 地$;在负半周期,下桥臂MOS管$Q_2$导通,路径为$地 \rightarrow Q_2 \rightarrow 负载 \rightarrow V_{AC}^-$。通过控制$Q_1$和$Q_2$的栅极信号,实现交流到直流的转换[^1]。 $$V_{out} = \frac{V_{AC}}{2} \cdot D$$ 其中$D$为占空比,控制输出电压大小。 MOS管的优势在于其低导通电阻($R_{DS(on)}$),导通损耗为$P = I_{RMS}^2 \cdot R_{DS(on)}$,远低于二极管正向压降($V_F \cdot I_{avg}$)。例如,若$I_{RMS}=5A$且$R_{DS(on)}=10m\Omega$,则损耗仅$0.25W$,而二极管($V_F=0.7V$)损耗为$3.5W$。 #### 2. 同步整流技术 在半桥整流中,MOS管需与输入电压同步开关,称为**同步整流**(Synchronous Rectification)。控制电路需满足: - **死区时间**:避免$Q_1$和$Q_2$同时导通造成短路; - **驱动信号同步**:通过检测输入电压极性或使用PWM控制器(如UC3845)生成互补信号。 #### 3. 应用场景 1. **开关电源**:如LLC谐振转换器,工作频率可达数百kHz,MOS管的高频特性降低磁性元件体积; 2. **电机驱动**:在无刷直流电机中,半桥结构用于换向控制; 3. **光伏逆变器**:将太阳能板的直流转换为交流时,半桥作为预稳压整流级。 #### 4. 设计注意事项 - **驱动电压**:需保证$V_{GS}$高于阈值电压(如12V),以完全导通; - **散热设计**:尽管损耗低,但高频开关损耗需考虑散热片或PCB铜箔面积; - **体二极管利用**:MOS管关断时,体二极管提供续流通路,但反向恢复时间需匹配电路频率。 --- ###
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