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原创 ORCAD17.2原理图DRC规则检查
ORCAD17.2原理图规则检查工具栏1.打开菜单栏2.打开工具窗口3.电气规则4.物理规则5.ERC Matrix6.DRC Reports工具栏1.打开菜单栏2.打开工具窗口3.电气规则4.物理规则5.ERC Matrix6.DRC Reports一、打开菜单栏1.根据下图1中箭头指示,选中整个.dsn文件,这样才能检查整个原理图。2.点击Tools菜单栏,选中Design...
2020-04-17 15:16:06
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原创 Cadence (Allegro) 转 Altium Designer--Candence17.4已验证
第二步:在cadence安装目录下找到 extracta.exe文件的路径,(对于Cadence 17.4在 安装目录……在 extracta.exe 前面加上 这个文件在本电脑的路径,这个.bat 文件运行时会依赖 Cadence的extracta.exe文件,输入命令 Allegro2Altium.bat TEST.brd,运行批处理程序,之后会生成一个TEST.brd.alg。第四步:Copy 需要转换的brd 文件 和 cmd.exe 文件到这个新建文件夹,运行cmd.exe。
2025-02-05 08:00:00
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原创 MLCC电容、铝电解电容寿命计算及影响分析
例如,85oC,16V条件的高温负荷测试是比65oC4V环境高2,374.16倍的加速测试,MTTF(测试样本数40pcs,可信度60%情况下)预计为103,562,200h, FIT预计为 9.656。算式中使用的 n和 Ea会根据陶瓷材料的类型和结构有所不同,因此每种机型都会有所差异。随着时间的推移,容量会下降,ESR(等效串联电阻)会上升,最终导致电解液干涸,电容开路。MLCC的寿命受温度条件和施加的DC电压条件影响,可以用下列加速方程式来表示。由于电解电容的特殊构造,在高海拔应用中需要降额使用。
2025-01-22 20:00:00
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原创 X电容和Y电容在开关电源中的位置
X电容作用:X电容用来消除差模干扰。主要是起滤波作用,与共模电感匹配,并联在输入的两端,滤除L、N线之间的差模信号。在开关电源输入部位,必装X电容的,不然产品的EMI干扰时过不了。X电容是滤除差模干扰,必须要安装,容量也不能大,X电容的容量10nF-2.2μF之间。另外,这个电容在端口,接触的是高压220V。对于这个电容,是由特别的规定的,不是什么电容都可以。必须是要经过认证的安规电容。其他任何电容都不能替代他。X电容的特殊性就在这里。Y电容:Y电容用来消除共模干扰。
2025-01-13 11:51:05
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原创 反激式开关电源变压器设计详细过程-根据设计要求计算变压器参数
自供电绕组线径:由于自供电绕组的电流非常小只有5mA,因此对线径要求并不是很严格,在这里主要考虑为便于与次级更好的耦合及机械强度,因此也采用裸线径为0.35mm的漆包线进行绕置,使其刚好一层绕下,减小与次级之间的漏感,保证短路时使自供电电压降低。当变压器决定后,变压器的Bobbin(骨架)即可决定,依据Bobbin(骨架)的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可计算出线径的电流密度,电流密度一般以6A/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做参考值,最终应以温升记录为准。
2024-11-27 10:24:54
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原创 推挽电路、开集、开漏的区别(上下拉电阻)-MOS管、三极管推挽电路
上拉电阻的定义:在某信号线上,通过电阻与一个固定的高电平VCC相接,使其电压在空闲状态保持在VCC电平,此时电阻被称为上拉电阻。2)开漏输出:实现电平转换,实现”线与“逻辑(I2C等接口总线应用中),利用外电路提高驱动能力,利用上拉电阻提供高电平,显然,没有上拉电阻只能输出低电平。开漏(OC/OD门)输出最主要的特性就是高电平没有驱动能力,需要借助外部上拉电阻才能真正输出高电平,此时,如果在集电极或漏极上增加上拉电阻,就具备了输出高、低电平的功能,而且电平被固定的钳位在VCC或者GND。
2024-11-27 10:05:09
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原创 运放电源抑制比PSRR-计算电源引起的运放输出失调电压
电源抑制比的代号是PSRR,这个词不是运算放大器的专属,如果你研究过LDO,或DCDC芯片,你会发现,PSRR也是LDO以及DCDC的关键指标参数。通俗点来说,PSRR是表征电路对电源电压波动抑制能力的一个关键指标。它一般以dB为单位,通过这一指标,我们能评估器件是否可以有效抑制电源上的变化或噪声对输出信号的影响。在运算放大器电路中,PSRR参数描述了放大器在直流电源变化时保持输出稳定的能力。对于LDO和DC/DC电路,PSRR用于衡量电路抑制输入电源纹波对输出端的影响。
2024-11-19 11:29:15
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原创 MOSFET电路栅源极GS之间并联电容后,MOS炸管原因分析
在介绍,在进行MOSFET相关的电路设计时,可能会遇到MOSFET误导通的问题,为了解决此问题,我们提出了两种方法,一种是增大MOSFET栅极串联电阻的阻值,另外一种是在MOSFET栅-源极之间并联一个电容,有读者在评论区说如果在栅-源极并联一个电容,MOSFET可能会出现炸管的问题?那么在MOSFET栅-源极并联电容和MOSFET炸管是否真的有联系?内在的机制又是什么?如何解决?今天我们就详细分析一下。
2024-11-15 17:42:20
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原创 反激式电源-小功率电源-控制芯片应用介绍-已实际应用
小功率,额定功率4W。推荐使用5V/0.5A,设计电路详细,包含变压器参数。没有设计器件的参数,也没有变压器相关设计。
2024-11-07 10:53:41
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原创 基准电压源的灌电流和拉电流的问题
而由于REF3025不支持灌电流,所以说当输入电压VIN大于3.125V时会导致REF3025的输出不能维持为2.5V,而是被拉高了。由于虚短存在,所以当运放输入电压超过3.125V时(并不是到3.7V才会出现问题),反相输入端电压就会开始大于2.5V,由于虚断的存在,必然会像REF3025灌电流。这个问题和基准源的内部结构是密切相关的,这个就像NPN射极输出类的LDO是一样的,不能接收灌电流。当VIN大于3.75V时,REF3025这个基准源芯片输出电压会到2.7V,而不是输出2.5V,这是怎么回事?
2024-10-30 10:42:05
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原创 VSCode+EIDE开发STM32
2、VSCode+Embedded IDE+Cortex Debug,可以编译+下载+仿真。1、VSCode+keil Assistant,可以编译+下载,不能仿真。配合VSCode插件Fitten Code使用更加666.
2024-10-25 17:52:52
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原创 STM32F103和STM32F030的SPI不同之处
再用兆易GD32F103替代STM32F103时,发现GD的定义与STM相同,但是MISO必须改为GPIO_MODE_AF_PP才能正常接收,否则 SPI 可以发送,接收错误。这里表示是 GD 的缺陷,待确认。其中区别在于, F103的MISO要配置成输入(GPIO_MODE_INPUT), 而F030的要配置成复用(GPIO_MODE_AF_PP),的确非常奇怪。可以查看,两个片子的识别定义不同所以,配置当然也不同了。再查询手册的UART RX定义,也有同样的不同。发现原来的MISO配置不同。
2024-10-25 15:22:37
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转载 比较器设计--比较器有开漏和推完输出区别
据我了解,绝大多数比较器都是开漏输出的,因此设计时最好预留一个上拉电阻,这是一个小案例,大家平时设计时需要注意仔细阅读规格书中的关键参数,以防设计时有遗漏或发生错误。电路比较简单,如下图所示:大致意思是用比较器输出控制NPN三极管Q2,进而控制PMOS管Q1,从而达到打开关闭LED的目的,LED电路未在图中画出。设计者忽略了LM2903这是一颗开漏输出的比较器,无法输出高电平,因此无法按照预想打开Q2,所以LED也不会亮。关于比较器电路设计,我也写过一篇比较长的文章,涉及基础原理,实例计算等。
2024-10-17 08:59:36
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原创 EMC-LISN是什么
在整个测量频率范围内,对于不同建筑物、不同插座从交流电源系统的墙面插座看进去的阻抗有很大的变化。这种负载阻抗的变化影响到从电源线传导出去的噪声电流的大小。为了保证测试场地之间的一致性,各试验场地从产品交流或者直流的电源线看进去的阻抗必须是稳定的。我们还要解决测试环境电源输入的阻抗一致性的问题:在整个传导发射测量频率范围内,给产品电源线提供一个稳定的阻抗。我们需要有办法,来实现:隔离被测设备以外的传导发射而仅测量被测产品的传导发射。我们希望只测试到待测产品传导出来的干扰,能够不测试到电源输入本身上面的干扰。
2024-10-08 15:51:06
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原创 EMC-共模耦合
共模干扰的形成需要两个因素,一个是驱动源,一个是等效天线,通过线束形成共模干扰是典型的存在,为了降低共模干扰,可以参考以下公式:E正比于f,I,L,反比于干扰距离R,可见如果干扰是由线束产生的,那么我们如果减小线束的长度,应该可以降低RE辐射问题,对待CE问题,除了降低频率,减小驱动电流,降低线束长度外,也可以增加差模滤波电容,增加共模电感,磁珠等方式。本次内容主要谈论共模耦合,EMC中数量可观且极为棘手的问题大都由共模引起,近端时间一直在研究共模问题,有一点心得,跟大家一起分享。
2024-10-08 13:38:42
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原创 运放-增益带宽积-datasheet参数
这个意思是OPA2333的开环放大倍数乘对应的频率,刚好等于350KHz,我们在图中的开环频率曲线看下,在频率为100Hz时的开环增益是71dB,71dB的放大倍数是3548倍(dB与放大倍数的转换参考1.4.8小节),3548*100Hz=354.8KHz,非常接近手册中的增益带宽积350KHz。在运放开环增益频率曲线中,在一定频率范围内,运放的开环增益与对应的频率乘积为常数:增益带宽积(Gain Bandwidth Product, GBP 或者 GBW),即开环增益*频率=增益带宽积。
2024-07-26 13:34:21
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原创 传输线阻抗匹配电阻端接的方式
众所周知,电路中如果阻抗不连续,就会造成信号的反射,引起上冲下冲、振铃等信号失真,严重影响信号质量。所以在进行电路设计的时候阻抗匹配是很重要的考虑因素。对我们的PCB走线进行阻抗控制已经不是什么高深的技术了,基本上是每个硬件工程师必备的基本能力。但在具体电路中,只考虑走线的阻抗还不够。实际电路都是由发送端、连线和接收端共同组成的。我们希望做到的是整个链路的阻抗都一致。但是实际电路中很难做到这一点,一般发送端的输出阻抗会比较小,而接收端的输入阻抗又很高,那么要处理好这对矛盾,端接就成为一种很自然的手段。
2024-07-03 13:49:40
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原创 传输线在阻抗匹配时串联端接电阻为什么要靠近发送端
在进行阻抗匹配的时候我们可以在电阻源端放置一个串联端接电阻,但是有时候受到空间的限制可能会把电阻摆的稍微远一点,那么这个时候大家可能会有疑问,电阻离发送端远一点或者电阻放置在接收端,那么电阻还能消除传输线的反射吗?下面我们一起来验证一下!
2024-07-03 09:12:15
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原创 开关电源调试记录-基于DK112(DK1203也一样)作为开关主控芯片的开关电源
b.芯片VCC引脚,图中标识“4”的位置。d、芯片OC引脚,图中标识“5”的位置。c.芯片FB引脚,图中标识“3”的位置。a.输出波形,图中标识“5V”的位置。
2024-06-27 16:23:45
1807
原创 Allegro 16.6 Dimension尺寸标注以及删除操作
1.菜单栏 Dimension–>Dimension Environment2.在绘图框中右键,弹出一个长长的菜单,这个 Delete命令 就躲在这长长的菜单中了,见图:《Allegro 16.6尺寸标注以及删除操作记录》
2024-06-22 11:51:32
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转载 USB Type-C引脚信号及PCB布局布线
USB-C是一种相对较新的标准,旨在提供高达10Gb/s的高速数据传输以及高达100W的功率。这些功能可以使USB-C成为现代设备的真正通用连接标准。USB-C接口有三个主要功能:●它有一个可翻转的连接接口。接口的设计使插头可以相对于插座翻转。●它支持USB 2.0、USB 3.0和USB 3.1 Gen 2标准。此外,它还可以在称为备用模式(Alternate Mode)的操作模式下支持第三方协议,如DisplayPort和HDMI。● 它允许设备协商并通过接口选择适当的功率流。
2024-06-19 20:30:00
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原创 揭秘DC-DC转换器设计:环路补偿如何影响你的电源稳定性---电源设计
在自然界中,控制系统无处不在。空调控制室内温度,驾驶员控制汽车行驶的方向,控制煮饺子时的水温,诸如此类。控制是指对生产过程中的一台设备或一个物理量进行操作,使一个变量保持恒定或沿预设轨迹运动的动态过程。通常,自然界中的系统是非线性的,但微观过程可以被视为线性系统。在半导体领域,我们将微电子学视为一个线性系统。可实现自动控制的系统是闭环系统,反之则是开环系统。开环系统的特点是系统的输出信号不影响输入信号。就像在图1中,G(s)是系统在复频域的传递函数。图1. 开环系统。
2024-05-31 11:25:13
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转载 技术实例 | 开关电源环路测量时,注入信号的幅值对测量结果的影响
对比1)中的图,会发现随着注入电压幅值的加大,在低频时波形更趋于稳定,但是在中频段会出现明显的不稳定点(红圏所示),这是由于注入电压幅值过大,在环路中产生了饱合效应导致的,这时测出的穿越频率为964Hz,这个结果并不可信。上图中可以看到500Hz之前采用13dBm的较大的电压幅值,中频段500Hz–5KHz采用较小的幅值-5dBm,在高频段,对于某些电源来说,为了提高信号的抗扰度,可采用5dBm的幅值。1)输入电压的低频纹波会对测量的波形低频段产生较大影响,在测试过程中,尽量避免大的输入纹波。
2024-05-29 10:20:07
1685
原创 反激式开关电源-9反激式变压器计算
反激变压器的具体计算过程,我按照之前的步骤将实例带入到每个步骤中进行详细的计算例子我们还是用之前的反激式电源;
2024-05-16 10:22:44
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原创 反激式开关电源-8利用AP法进行变压器设计
Bm,公式中Krp我们称为脉动系数,在一次侧电流连续模式下,它的取值小于1,在非连续电流模式下,它的取值等于1,Z为损耗分配系数,表示二次侧的损耗与总功率的比值,如果Z=0,那么表示电源损耗全部发生在一次侧,如果Z=1,那么表示所有损耗都在二次侧,一般情况下,我们取Z=0.5,所以Bac=0.5。按照我们设计的经验,Ae=Sj=0.15*根号PM进行估算,可以得到Ae=21.3,依照上表与之最接近的是EE19磁芯,AP=23,综合两种情况,为了满足电源的需求,我们最终选择EE19磁芯。
2024-05-16 10:15:10
3400
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原创 PADS 规则设置-导线不跟随器件-导线允许回路
1、PADS Layout中设置拖动器件时导线不跟着移动。2、PADS Router中设置走线允许回路。
2024-05-06 10:04:46
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原创 直流无刷BLDC、永磁同步PMSM、三相异步电机ACIM工作原理及结构
三相异步电动机 与 永磁同步电机 的区别主要在转子上。永磁同步电机的转子是永磁体,三项异步电机的转子为 铝条或铜条组成的绕组 或 鼠笼结构,靠感应来产生磁场。直流无刷电机 与 永磁同步电机的主要区别是,绕组的绕线方式不同,所以导致感应电动势一个是方波,一个是正弦波。永磁体在高温下会出现退磁现象,霍尔位置传感器、旋变转子总成,2、三相永磁同步电机。
2024-04-26 15:20:00
720
DC24V-10-650W-双电阻无感控制
2025-02-10
AC/DC控制芯片PN8370,12W,5V/2.4A
2025-01-13
THX208手册,小功率电源方案5V/0.5A,最大4W
2024-11-07
gitcode上传代码需要的工具包
2024-10-18
HD1611 通过初级侧电压及电流采样技术,无需光耦和二次侧控制电路,简化 CV/CC 模式开关电源设计 并具有精确的输出电压
2024-09-18
TMF0X65,TMF0X65 芯片是一款高集成度、高性能的 PWM+MOSFET 二合一的电流型离线式开关电源控制器
2024-09-18
ME8125,电流模式 PWM 开关电源控制器
2024-09-18
SM7012,8W,SM7012 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片
2024-09-18
THX3030,12W,开关电源控制器集成电路
2024-09-18
THX202H高性能电流模式PWM控制器,在85V-265V的款电压范围内提供高达12W的连续输出功率
2024-09-18
DK 1203 小功率离线式开关电源控制芯片,12W
2024-09-18
LP3773A,3.0W(5V/600mA)
2024-09-18
DK112-2W~18W专用小功率开关电源控制芯片
2024-06-27
TPS61196-LED背光-输入8-30V-输出6路120V/200mA-PWM400mA
2024-04-18
视频接口转换-HDMI2RGB-HDMI2V-BY-ONE
2024-04-18
空空如也
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