ltqdxl的博客

原创 ORCAD17.2原理图DRC规则检查

ORCAD17.2原理图规则检查工具栏1.打开菜单栏2.打开工具窗口3.电气规则4.物理规则5.ERC Matrix6.DRC Reports工具栏1.打开菜单栏2.打开工具窗口3.电气规则4.物理规则5.ERC Matrix6.DRC Reports一、打开菜单栏1.根据下图1中箭头指示，选中整个.dsn文件，这样才能检查整个原理图。2.点击Tools菜单栏，选中Design...

原创 在BUCK降压电路的电感选型过程中，必须先确定电流纹波系数。

摘要：在Buck电路设计中，电感值与纹波电流存在相互耦合的问题。为解决这一难题，工程上引入纹波电流系数r（ΔIL/IOUT），将纹波电流与输出电流关联，从而解耦变量。通过确定r值（通常20%-40%），可直接计算电感值L=(VIN-VOUT)×VOUT/(VIN×r×IOUT×Fsw)。该方法简化了设计流程，避免了迭代计算，使工程师能在电感尺寸、成本与性能间取得平衡，实现高效可靠的电源设计。

原创 电机控制-MOS驱动和MOSFET如何匹配的,并计算栅极驱动电阻

栅极串联电阻的取值和布局是电机驱动设计里非常关键的实操细节，我把它总结成了一个清晰的“四步法”，你可以照着这个流程来确定。结合24V/5A应用，一个非常可靠的设计起点是：开通电阻 R on ：15Ω关断电阻 R off ：4.7Ω（配合一个1N4148二极管使用）从这个配置开始，用示波器观察 V GS 和 V DS 波形，再根据上述第三步的调试流程微调即可。这些电阻的封装建议使用0603或0805。调试时，需要一个带宽至少100MHz的示波器来捕捉振铃细节。

原创 Maltab Simulink常用模块位置

简单介绍了matlab simulink常用库的位置，仿真电机控制主要调用simscape和simulink这两个模块库

转载 Win11安装Claud Code配置流程

原文参考。

原创 Node.js安装，提示选择打开方式的解决办法

摘要：记录Node.js安装问题及解决方案。从官网下载node-v24.14.0-x64.msi后，双击出现"选择打开方式"而非安装向导。提供两种解决方法：1）通过命令行执行msiexec /i "node-v24.14.0-x64.msi"安装；2）右键选择"以管理员身份运行"安装文件。问题可能由Windows Installer服务文件关联异常或权限不足导致。建议优先使用管理员权限运行安装程序。（149字）

原创 vscode离线插件下载-vscode编译嵌入式C语言配置

VScode离线插件Vsix以及vscode配置

原创 嵌入式C语言-static用法

static修饰局部变量，局部变量只初始化一次，只在当前作用域可用，不能跨作用域使用。static修饰全局变量，全局变量只初始化一次，只能在本文件内使用。static修饰函数，只能本文件内使用。static默认值是0。

原创 嵌入式C语言-函数指针和指针函数

函数指针和指针函数

原创 嵌入式C语言-指针数组和数组指针

指针数组和数组指针

原创 立创EDA使用初体验

嘉立创的立创EDA专业版绘图功能获得用户好评，操作便捷性显著提升。官方提供了专业版和标准版的操作教程链接（https://prodocs.easyeda.com/cn/ 和 https://docs.lceda.cn/cn/），并附有软件界面截图展示。文章推荐用户使用该工具进行电路设计。

原创 电源设计中--电解电容不同频率下的ESR参数计算

电解电容器选型时需关注ESR参数，但规格书通常只提供损耗角(tanδ)而非直接给出ESR值。这是因为损耗角能更全面反映电容器在不同频率下的性能表现，而ESR会随频率、温度和使用寿命变化。通过公式ESR=tanδ/(2πfC)，可利用规格书提供的120Hz和100kHz下的损耗角数据，结合线性插值法计算任意频率下的ESR值。此外，规格书中的阻抗比参数可用于温度补偿计算。这种方法为工程师提供了更准确的ESR评估手段。

原创 EMC辐射发射超标--容性耦合

从图6可以看出，此时虽然50MHz-100MHz干扰频率下降，但同时新增50MHz和200MHz窄带干扰，在图中是有规律的频点，判断是时钟信号的谐波。将RS422跳线与AC输入及DC输出的跳线从空间上分开，如图5所示。某产品在实验室测试辐射发射时，在1MHz-5MHz频段辐射发射裕量不足，在50MHz-100MHz频段辐射发射超标15dB，如图1所示，实验不通过。从图2可以看出，拔掉R422线缆后50MHz-100MHz频段电磁干扰消失，因此，确定引起50MHz-100MHz辐射发射的为RS422信号线。

原创 DC BUCK 环路补偿-运放环路补偿

本文介绍了基于拉普拉斯变换的Buck变换器环路补偿计算方法。通过分析GBI1650S芯片的Datasheet和参考视频教程，详细阐述了Buck电路的传递函数建模过程，包括功率级、PWM调制器和补偿网络的设计。重点讲解了利用频域分析法确定补偿器参数，实现系统稳定性的优化设计。文中包含多幅电路图和波特图说明补偿网络的设计要点，为DC/DC转换器的环路补偿提供了完整的计算方法和设计指导。

原创 屏蔽层是单端接地还是两端接地

低频时单点接地，高频时两点接地

原创 TI DSP-TMS32F28335开发

本文介绍了TI DSP开发环境搭建的要点。开发工具推荐使用Code Composer Studio（CCS），常见版本为CCS6或CCS9，最新版本为V20x.30.3.1。配套工具包括系统配置工具SYSCONFIG和代码生成工具TI-CGT。建议下载Controlsuit或C2000Ware开发套件获取示例程序。文中提供了CCS9.3安装包和F28335基础例程的下载链接，并指出作者使用的是CCS12.4.0配合sysconfig-1.17.0的配置方案。开发环境搭建完成后即可开始DSP编程工作。

原创 傅里叶变换和拉普拉斯变换

我们在做EMC试验时，经常看到某个频点超标了，这就需要用到傅里叶变换，将示波器测试的波形（时域）变换成频域波形。就拿示波器的这个波形分析，时序表现为占空比50%的方波，但是其在频域分析中是不同频率的正弦波叠加而成。今天闲来无事刷到一个视频讲拉普拉斯和傅里叶变换的，傅里叶常作为频域分析，拉普拉斯常作为时域分析。举例来说，我用用示波器测试的某个波形，这个波形是时序的，可以对应的是拉普拉斯波形。

原创 C语言中函数指针和指针函数的定义及用法

编写代码测试函数指针和指针函数的不同组合

原创 STM32标准库和HAL库SPI发送数据的区别-即SPI_I2S_SendData()和HAL_SPI_Transmit()互换

可以通过检测SPI_SR中的RXNE位，当数据寄存器里有数据时，RXNE位是0，当数据全部从数据寄存器的接收缓冲区传输到移位寄存器时RXNE位被置1，这时候可以从数据寄存器里读出数据。，可以通过检测SPI_SR中的TXE位，当数据寄存器里有数据时，TXE位是0，当数据全部从数据寄存器的发送缓冲区传输到移位寄存器时TXE位被置1，这时候可以再往数据寄存器里写入数据。可以看出，基本一直，除了 基本的io口配置区别，其他主要的读写函数不用动的。这是HAL库函数的SPI初始化配置。这是标准库的SPI初始化配置。

原创 Freertos学习第一篇-总体概述

FreeRTOS的核心是任务调度与资源管理，通过队列、信号量等组件实现多任务协作。先分模块验证功能，再逐步组合成完整系统。

原创 开关电源设计全过程-重点是变压器设计

开关电源的设计是一份非常耗时费力的苦差事，需要不断地修正多个设计变量，直到性能达到设计目标为止。本文step-by-step介绍反激变换器的设计步骤，并以一个6.5W隔离双路输出的反激变换器设计为例，主控芯片采用NCP1015。基本的反激变换器原理图如图1所示，在需要对输入输出进行电气隔离的低功率（1W～60W）开关电源应用场合，反激变换器（Flyback Converter）是最常用的一种拓扑结构（Topology）。简单、可靠、低成本、易于实现是反激变换器突出的优点。

原创 Cadence （Allegro） 转 Altium Designer--Candence17.4已验证

第二步：在cadence安装目录下找到 extracta.exe文件的路径，（对于Cadence 17.4在 安装目录……在 extracta.exe 前面加上 这个文件在本电脑的路径，这个.bat 文件运行时会依赖 Cadence的extracta.exe文件，输入命令 Allegro2Altium.bat TEST.brd，运行批处理程序，之后会生成一个TEST.brd.alg。第四步：Copy 需要转换的brd 文件 和 cmd.exe 文件到这个新建文件夹，运行cmd.exe。

原创 MLCC电容、铝电解电容寿命计算及影响分析

例如，85oC,16V条件的高温负荷测试是比65oC4V环境高2,374.16倍的加速测试，MTTF(测试样本数40pcs,可信度60%情况下)预计为103,562,200h， FIT预计为 9.656。算式中使用的 n和 Ea会根据陶瓷材料的类型和结构有所不同，因此每种机型都会有所差异。随着时间的推移，容量会下降，ESR（等效串联电阻）会上升，最终导致电解液干涸，电容开路。MLCC的寿命受温度条件和施加的DC电压条件影响，可以用下列加速方程式来表示。由于电解电容的特殊构造，在高海拔应用中需要降额使用。

原创 单相电机调速原理-可控硅调速原理

吸收电路，压敏电阻耐压值<可控硅电压；

转载 X电容和Y电容在开关电源中的位置

X电容作用：X电容用来消除差模干扰。主要是起滤波作用，与共模电感匹配，并联在输入的两端，滤除L、N线之间的差模信号。在开关电源输入部位，必装X电容的，不然产品的EMI干扰时过不了。X电容是滤除差模干扰，必须要安装，容量也不能大，X电容的容量10nF-2.2μF之间。另外，这个电容在端口，接触的是高压220V。对于这个电容，是由特别的规定的，不是什么电容都可以。必须是要经过认证的安规电容。其他任何电容都不能替代他。X电容的特殊性就在这里。Y电容：Y电容用来消除共模干扰。

转载 解决AD中PCB芯片引脚Pin之间间距太小导致的DRC报错

原创 反激式开关电源变压器设计详细过程-根据设计要求计算变压器参数

自供电绕组线径：由于自供电绕组的电流非常小只有5mA，因此对线径要求并不是很严格，在这里主要考虑为便于与次级更好的耦合及机械强度，因此也采用裸线径为0.35mm的漆包线进行绕置，使其刚好一层绕下，减小与次级之间的漏感，保证短路时使自供电电压降低。当变压器决定后，变压器的Bobbin（骨架）即可决定，依据Bobbin（骨架）的槽宽，可决定变压器的线径及线数，亦可计算出线径的电流密度，电流密度一般以6A/mm2为参考，电流密度对变压器的设计而言，只能当做参考值，最终应以温升记录为准。

原创 推挽电路、开集、开漏的区别（上下拉电阻）-MOS管、三极管推挽电路

上拉电阻的定义：在某信号线上，通过电阻与一个固定的高电平VCC相接，使其电压在空闲状态保持在VCC电平，此时电阻被称为上拉电阻。2）开漏输出：实现电平转换，实现”线与“逻辑(I2C等接口总线应用中)，利用外电路提高驱动能力，利用上拉电阻提供高电平，显然，没有上拉电阻只能输出低电平。开漏（OC/OD门）输出最主要的特性就是高电平没有驱动能力，需要借助外部上拉电阻才能真正输出高电平，此时，如果在集电极或漏极上增加上拉电阻，就具备了输出高、低电平的功能，而且电平被固定的钳位在VCC或者GND。

原创 运放电源抑制比PSRR-计算电源引起的运放输出失调电压

电源抑制比的代号是PSRR，这个词不是运算放大器的专属，如果你研究过LDO，或DCDC芯片，你会发现，PSRR也是LDO以及DCDC的关键指标参数。通俗点来说，PSRR是表征电路对电源电压波动抑制能力的一个关键指标。它一般以dB为单位，通过这一指标，我们能评估器件是否可以有效抑制电源上的变化或噪声对输出信号的影响。在运算放大器电路中，PSRR参数描述了放大器在直流电源变化时保持输出稳定的能力。对于LDO和DC/DC电路，PSRR用于衡量电路抑制输入电源纹波对输出端的影响。

原创 MOSFET电路栅源极GS之间并联电容后，MOS炸管原因分析

在介绍，在进行MOSFET相关的电路设计时，可能会遇到MOSFET误导通的问题，为了解决此问题，我们提出了两种方法，一种是增大MOSFET栅极串联电阻的阻值，另外一种是在MOSFET栅-源极之间并联一个电容，有读者在评论区说如果在栅-源极并联一个电容，MOSFET可能会出现炸管的问题？那么在MOSFET栅-源极并联电容和MOSFET炸管是否真的有联系？内在的机制又是什么？如何解决？今天我们就详细分析一下。

原创 反激式电源-小功率电源-控制芯片应用介绍-已实际应用

小功率，额定功率4W。推荐使用5V/0.5A，设计电路详细，包含变压器参数。没有设计器件的参数，也没有变压器相关设计。

原创 基准电压源的灌电流和拉电流的问题

而由于REF3025不支持灌电流，所以说当输入电压VIN大于3.125V时会导致REF3025的输出不能维持为2.5V，而是被拉高了。由于虚短存在，所以当运放输入电压超过3.125V时（并不是到3.7V才会出现问题），反相输入端电压就会开始大于2.5V，由于虚断的存在，必然会像REF3025灌电流。这个问题和基准源的内部结构是密切相关的，这个就像NPN射极输出类的LDO是一样的，不能接收灌电流。当VIN大于3.75V时，REF3025这个基准源芯片输出电压会到2.7V，而不是输出2.5V，这是怎么回事？

原创 VSCode+EIDE开发STM32

2、VSCode+Embedded IDE+Cortex Debug，可以编译+下载+仿真。1、VSCode+keil Assistant，可以编译+下载，不能仿真。配合VSCode插件Fitten Code使用更加666.

原创 STM32F103和STM32F030的SPI不同之处

再用兆易GD32F103替代STM32F103时，发现GD的定义与STM相同，但是MISO必须改为GPIO_MODE_AF_PP才能正常接收，否则 SPI 可以发送，接收错误。这里表示是 GD 的缺陷，待确认。其中区别在于, F103的MISO要配置成输入（GPIO_MODE_INPUT), 而F030的要配置成复用(GPIO_MODE_AF_PP)，的确非常奇怪。可以查看，两个片子的识别定义不同所以，配置当然也不同了。再查询手册的UART RX定义，也有同样的不同。发现原来的MISO配置不同。

转载 gitcode上传代码

gitcode代码管理工具

转载 比较器设计--比较器有开漏和推完输出区别

据我了解，绝大多数比较器都是开漏输出的，因此设计时最好预留一个上拉电阻，这是一个小案例，大家平时设计时需要注意仔细阅读规格书中的关键参数，以防设计时有遗漏或发生错误。电路比较简单，如下图所示：大致意思是用比较器输出控制NPN三极管Q2，进而控制PMOS管Q1，从而达到打开关闭LED的目的，LED电路未在图中画出。设计者忽略了LM2903这是一颗开漏输出的比较器，无法输出高电平，因此无法按照预想打开Q2，所以LED也不会亮。关于比较器电路设计，我也写过一篇比较长的文章，涉及基础原理，实例计算等。

原创 EMC-LISN是什么

在整个测量频率范围内，对于不同建筑物、不同插座从交流电源系统的墙面插座看进去的阻抗有很大的变化。这种负载阻抗的变化影响到从电源线传导出去的噪声电流的大小。为了保证测试场地之间的一致性，各试验场地从产品交流或者直流的电源线看进去的阻抗必须是稳定的。我们还要解决测试环境电源输入的阻抗一致性的问题：在整个传导发射测量频率范围内，给产品电源线提供一个稳定的阻抗。我们需要有办法，来实现：隔离被测设备以外的传导发射而仅测量被测产品的传导发射。我们希望只测试到待测产品传导出来的干扰，能够不测试到电源输入本身上面的干扰。

原创 EMC-BCI大电流注入法-传导干扰整改案例

参考原文：《某车载影音产品BCI问题整改案例》

原创 EMC-共模耦合

共模干扰的形成需要两个因素，一个是驱动源，一个是等效天线，通过线束形成共模干扰是典型的存在，为了降低共模干扰，可以参考以下公式：E正比于f，I，L，反比于干扰距离R，可见如果干扰是由线束产生的，那么我们如果减小线束的长度，应该可以降低RE辐射问题，对待CE问题，除了降低频率，减小驱动电流，降低线束长度外，也可以增加差模滤波电容，增加共模电感，磁珠等方式。本次内容主要谈论共模耦合，EMC中数量可观且极为棘手的问题大都由共模引起，近端时间一直在研究共模问题，有一点心得，跟大家一起分享。

原创 永磁同步、交流异步和电励磁同步电机-演示视频

永磁同步、交流异步和电励磁同步电机-演示视频。