OpenOCD中flash编程算法的实现

OpenOCD中flash编程算法的实现

如何自己设计一个基于openocd调试架构的芯片下载算法，作为一个嵌入式er, 如果做MCU的开发是必须要了解的，因为各个芯片公司都有自己的芯片，而flash驱动各家有不同，所以往往需要自家的工程师去支持，今天就来介绍下基于OpenOCD的flash编程算法的设计方法~~

本文以riscv的flash算法为例，来说明flash编程算法在openocd中的实现，代码git路径：
https://gitee.com/riscv-mcu/riscv-openocd.git

openocd 源码中flash编程算法的实现是在src/flash下，openocd把编程算法称作flash dirver, 如下driver.c就是各个芯片的flash driver的汇总。

在driver.c中例化自己设计的driver对象, 本次介绍的是GD32VF的flash driver， 注册如下：

driver中的各个方法如下：

做flash driver其实就是要实现erase、protect、write、read、probe、info这几个函数，目前是这样理解，其他函数没看。

flash编程的话主要就是write的实现了，这里看下GD32V的代码，这里的实现它是借助了STM32的驱动写的，所以函数名称有stm32，这个函数里面首先会判断目标设备是否处于halt状态，也就是是否暂停，因为接下来其实是需要debug模块通过JTAG写flash，然后就是配置flash key寄存器，猜测这里的key寄存器和gd32f1的是同一个地址和key值，所以可以直接使用stm32的配置。


果然看数值都能对上。然后就是使能编程PG位，最后就是主要的编程函数，stm32x_write_block：

stm32x_write_block这里面上来会判断以下target是arm的还是riscv， 分别调用是不同的编程函数，这里就是GD公司设置的驱动区分方法，我们直接看stm32x_write_block_riscv：

这个函数上来会开辟一个work_area空间用来存放flash编程函数，这个函数是单独在contrib/loaders/flash/gd32vf103/gd32vf103.c中实现的，这个函数其实很简单，就是一个一个halfword的编程，直到编程到指定的数目，退出，代码如下：
写入一次flash，就等一次bsy位，然后再进行下一次的编程。

接下来，开辟一个空间存放要写入的数据：

接下来就是设置编程函数调用的时候的入参，因为上面的编程函数其实是单独编译成一个代码段，然后在需要编程的时候把这段代码放在work_area中，所以调用时需要设置入参，否则运行出错。

riscv的a0-a4是可以作为函数调用的入参寄存器的，所以在这里设置；

接下来就是一个循环调用target_run_algorithm这个接口，对flash编程了，编程之前就是设置4个入参寄存器的值，然后编程，然后等待bsy完成，继续下一次编程，因为一次编程的数据有限，如果一次没写完那就循环下一次。

target_run_algorithm这个函数就是openocd 提供的编程算法的接口了：

到此，一次编程写入操作流程完成，其他的函数后面再分享~~

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