很想用ADS来计算一下CST DEMO低通滤波器微带电路,然后比较一下结果,两种不同软件之间的差异有多大,非常好奇,于是就动手做了。
1. 按照CST DEMO低通滤波器微带电路参数建立了ADS的微带模型电路。由于ADS和CST 电路中的微带模块有一些差异,不能之接照搬,通过简单分析也是可以在最后结构上完全对应的。
下图就是建立的ADS低通滤波器电路模型,完全和CST的等效。我不知道读者在双击截图后能不能完全看得清每个模组的参数,后面我会上传原文件。
这个图是转到FEM环境中后的截图,可以看到结构和CST中的是完全一样的。
2. ADS和CST微带电路和3D场的仿真计算结果对比
ADS微带电路计算结果如下。
CST微带电路计算结果如下。
在上面两张图总体上是一致的,6-7GHz衰减曲线相差比较大。两张图中都标记了三个关键点,也就是转折频率附近的谐振点和插损值。
通带内谐振点频率3.899/3.895GHz,相差4MHz, 相差无几;
通带内谐振点回波损耗 -35.5/-35.5dB, 相差基本为零;
通带内谐振点插损-0.311/-0.277,相差0.034dB;
阻带谐振点频率5.215/5.260GHz, 相差45MHz,这个相差也不太大。
阻带谐振点插损-55.5/-57.1, 相差1.6dB;
ADS FEM仿真计算如下:
CST 3D 频域仿真结果如下
通带内谐振点频率3.801/3.896GHz,相差5MHz, 相差无几;
通带内谐振点回波损耗 -28.6/-25.1dB, 相差3.5dB;
通带内谐振点插损-0.673/-0.634,相差0.029dB;
阻带谐振点频率5.103/5.087GHz, 相差15MHz,这个相差无几。
阻带谐振点插损-53.4/-54.5, 相差1.9dB;
经过仿真计算结果对比,ADS 和CST 无论在微带电路还是3D场上都基本一致,特别是3D场上的关键位置点的结果相差无几,在工程角度看两种软件计算的结果是一样的。