note - telink soc boot flow without bootloader-CSDN博客

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note - telink soc boot flow without bootloader

telink soc 分为了两大类：

b825x/827x 等自研架构系列，采用 tc32 toolchain；
b9218/8518 等基于开源架构 risc-v，采用 risc-v toolchain；

两者从启动方式来讲比较类似。

多地址启动

telink soc 根据 flash size 512k(0x80000)/1M(0x100000) 支持多地址启动，以支持固件在线更新后可以不用拷贝到固定运行地址，所以多地址启动另一方面也限定了固件大小，以 1M 为例：

0 地址启动，固件默认最大 512k；
0x20000 地址启动，则第一个固件区 0-0x20000，第二个固件区为 0x20000-0x40000，最大128k，但由于 soc 设计原因，当实现非 0 地址启动，默认最后 4k 用于数据备份（应该是多地址计算设计缺陷），导致无法使用，实际最大 124k，即 0x20000-0x3f000；
0x40000 地址启动，参照上述，最大252k；
0x80000 地址启动，最大 508k；注：512k 由于 size 限制，不支持此项。

通常 flash 最后一段空间用于保留预配置信息，例如 mac，calibration，serial num 等，需要依据实际情况对应设计 flash mapping。

当确定了运行地址后，硬件会设置地址偏移寄存器 multi_addr，当 mcu 取址会自行累加偏移地址，即当启动地址为 0x80000 时，mcu 取址 0x10000，实际取址为 0x10000+0x80000=0x90000。

低功耗模式

telink soc 支持三种低功耗模式：

suspend，芯片 stall 在当前指令，唤醒后继续执行，mcu 暂停运行可降低部分功耗，大多数模块保持供电，功耗相对较高，如果手动关闭其他模块，功耗约为几十uA；
deepsleep with retention，只有 pm 模块和 sram retention 部分保持上电（通常 sram retention size可自定义，16k/32k/64k，相对电流区别不大），其他全部掉线，（analog register 不掉电，包括上下拉配置寄存器可保持芯片在低功耗模式下保证 io 电平；retention register 8bytes，用户可用于保存状态，通常按位使用），唤醒后从 sram 0 地址运行，功耗较低，通常为10uA 级；
deepsleep，只要 pm 模块保持上电，以及 analog register（上下拉配置寄存器和 retention register），唤醒后类似重新上电的流程，可通过 retention register 区分，功耗较 deepsleep with retention 更低，通常为 5uA 以下。

注：以上为实测功耗，datasheet 标定数据更优，暂以实际为准；同时 deepsleep with retention 由于从 sram 启动，并且主要数据保留，所以启动时间相对 deepsleep 要快。

以 ble 为例，通常 ble 保持连接过程中，对包期间为空闲状态，可休眠，但 deepsleep 会导致连接数据丢失，所以采用 deepsleep with retention，当断开连接并持续一段时间无操作后，才会选择进入 deepsleep。

程序链接段定义

通常链接阶段可自定程序分为以下几个段：

retention data - 数据段，用于保存低功耗不掉电数据，通过 attribute 指定段来定义相关变量；
ram code - 程序段，通常保存在不掉电 sram 中，attribute 指定段来定义相关函数，通常为 flash 操作函数，启动汇编函数，irq 函数，或部分需要提供运行速度之类的函数，如语音编码等；
text - 程序段，即 .c 中定义的函数；
ro - read only，通常为 const 类型数据或直接自定的字符串；
data - 数据段，在定义中直接有初值的数据，需存入生成的固件，在上电运行时由启动汇编函数复制到 sram 中；
bss - 数据段，在定义中为 0 或未初始化的数据，此段不需要存入生成的固件，在上电运行时由启动汇编函数初始化为 0。

启动流程

首次上电：

硬件/rom 程序检查 0/0x20000/0x40000/0x80000 对应偏移是否有 “TLNK” 启动标志位（通常 telink 在 startup.s 文件中定义 “TLNK” 到指定偏移，b85和b91不同，参考代码），按顺序检测，检测到即执行；通常可依据这一特定实现在线升级后的固件切换，参考下一节在线升级和固件切换；
读取 0 地址（通常为 reset 指令或地址），跳转到 reset；此处 0 地址会累加实际启动地址；
设置栈地址，通常为 sram 最大值，准备 c语言执行环境；
将 retention data + ram code 拷贝至 sram；
初始化 data 段，将对应 flash 保存的 data 段 copy 到 sram 中；
初始化 bss 段，初始化为0；
跳转到 main，执行 c语言。

suspend 唤醒：
从暂停处继续运行；

deepsleep with retention 唤醒：
从 sram 0 地址运行，此时 sram 不掉电，sram 中保存了首次上电时 step 4 时的 startup.s，执行 reset 指令，但无需重新拷贝 retention data + ram code，只需从 step 5 继续执行即可，因此节省了时间；

deepsleep 唤醒：
同首次上电。
此时可通过 retention register 区分是否首次上电，部分应用设计为只有首次上电前 5s 按键或者其他操作，才可进入某种模式等。