易失性存储:掉电数据丢失
SRAM
不需要周期性刷新;
DRAM
需要周期性刷新;
SRAM与DRAM对比
SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 Cache),它利用晶体管来存储数据,与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小;
SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache);
非易失性存储:掉电数据不丢失
EEPROM
擦写次数大,容量小;
NAND Flash与NOR Flash对比
NOR Flash容量密度小、写入速度慢、擦除速度慢、价格高,但是NOR Flash由于其地址线和数据线分开的特性,不必再把代码读到系统RAM中,应用程序可以直接在NOR上运行(XIP,eXecute In Place),且NOR Flash还具备更快的读取速度、更强的可靠性和更长的使用寿命;
EEPROM与Flash区别
1)FLASH按区块操作,EEPROM则按字节操作
2)FLASH写入时间长,EEPROM