MOS管的耐压对性能参数及栅极电荷的影响

MOS管在低电压器件中因其电压型控制和低驱动功率而广泛应用。耐压水平影响导通电阻,导通电阻随着耐压的增加呈指数增长。同时,开关速度主要受栅极电荷影响,栅极电荷越小,开关速度越快。选择MOS管时,应考虑耐压、导通电阻和栅极电荷对性能的影响,以优化开关变换器的效率和成本。

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功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管,其优点是电压型控制,驱动功率低,低电压器件中MOS的导通压降和开关速度是最佳的。

  MOS管的耐压对导通电阻的影响:MOS的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定,而MOS管是多数载流子导电器件,芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍,而同样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6),大约为6400倍!如果

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