MOS管的耐压对性能参数及栅极电荷的影响

最新推荐文章于 2023-09-15 17:37:06 发布
最新推荐文章于 2023-09-15 17:37:06 发布
阅读量4.7k 收藏 8
点赞数
分类专栏： 硬件 文章标签： MOS管
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/qq_29545231/article/details/89439968
版权

功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS的导通压降和开关速度是最佳的。

  MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管是多数载流子导电器件，芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而同样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6)，大约为6400倍！如果

最低0.47元/天 解锁文章
码农u号
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 8
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
一文详解MOS管耐压特性及栅极电荷影响，你了解吗？
weixin_43747182的博客
06-28 8904
功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS管的导通压降和开关速度是最佳的。 　　MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS管的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管是多数载流子导电器件，芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。 　　通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而同样大的芯片的...
基于MOS管最大耐压值的反激变压器设计
07-20
由变换器预定技术指标可知变压器初级侧电压Vdcmin= 240 V, Vdcmax= 380 V, 预设效率η= 85%, 工作频率f = 65 kHz, 电源输出功率P out= 25 W。 变压器的输入功率： 根据面积乘积法来确定磁芯型号， 为了留有一定裕量， 选用锰锌铁氧体磁芯EE25/ 20, 电感量系数A L=1 750 nH/ N2 , 初始磁导率μi= 2 300, 有效截面积A e= 42. 2 mm2 . 因为所选的MOS 管的最大耐压值V MOSmax= 700 V.在150 V 裕量条件下所允许的最大反射电压： 其中， 磁感应强度Bw= 0?? 23 T ; 由于此变换器设计在断续工作模式k= 1（ 连续模式k= 0.5）。 其中， Va 是辅助绕组电压， V . 为了减小变压器漏感， 采用夹心式绕法， 初级绕组分N p1 （ 78 T ） 和N p2 （ 78 T） 两部分绕制， 如图4 所示， Np1 绕在骨架最里层， 次级绕组N s绕在N p1和N p2之间， 辅助绕组绕Na 在最外层。 图4 变压器绕制示意图
MOS管器件选型
打怪升级ing
07-23 4995
参考：仅仅只需7步 便秒懂MOS管选型-细说MOS管选型技巧-KIA MOS管 MOS管选型技巧 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求...
MOS管的选择
保持每天的清醒
09-29 6700
MOSFET是电路中非常常见的元件，常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多，应用面广，所以MOSFET的选型需要考虑的因素也比较多，许多工程师在选型时感觉无从下手。今天小编就来分享一下MOSFET的选型技巧。 我们以一个具体的项目来举例，现有一个直流有刷电机调速器项目。需要控制一个额定电压24V，额定电流2A的直流电机，实现调速。 选型的第一步，是要确定要用P沟道MOSFET还是N沟道MOSFET，这两种类型的MOSFET驱动电压是完全不同的。 P沟...
MOS管和电机驱动（一）：MOS管的栅极电阻和GS电阻 米勒效应与米勒平台
工大技术底层人员的博客
02-07 1万+
注：本系列需要一定的模拟电路基础 MOS管，又叫绝缘栅型场效应管，属于电压控制电流型元件，是开关电路中的基本元件。其特点是栅极（G）的内阻极高。场效应管分为P型和N型，P型场效应管由于跨导小、阈值电压高等原因，已经逐渐被NMOS所取代。 图1 我们知道，MOS管还分为耗尽型和增强型，在实际工程中。我们使用的只有增强型P/NMOS，因为我们肯定不希望一开始就有一个漏极电流。在正式介绍mos管的驱动之前我们得说几个零碎的小知识（以下所有分析都是对NMOS而言的） Ⅰ寄生二极管（如上图中） 由于mos管本身的结
MOS管参数详解.doc
09-01
本文将深入探讨MOS管的一些关键参数，包括总栅极电荷（Qg）和动态输入特性。 **总栅极电荷（Qg）**是评估MOSFET性能的重要参数之一。Qg是为使MOSFET从截止状态切换到导通状态所需注入到栅极的电荷量，它直接影响...
MOS管被静电击穿的几个原因
08-20
1. **高输入电阻和小电容**：MOS管的栅极（Gate）与源极（Source）之间的绝缘层由二氧化硅构成，具有很高的电阻，这使得MOS管对微小的电荷变化非常敏感。同时，栅-源极间的电容（Cgs）很小，因此即使微弱的静电也能...
MOS管中的寄生二极管作用.docx
02-29
由于MOS管的栅极与源极之间有很高的绝缘层，栅极无直流通路，若在操作或存储过程中积累静电，可能会导致栅极和源极之间的绝缘层被高电压击穿。有了DZ稳压二极管，当静电电压超过一定阈值时，DZ会先导通，将静电能量...
MOSFET（MOS管）原理概述
08-27
"MOSFET（MOS管）原理概述" MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），中文名是金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应管。MOSFET是一种单极型的电压控制半导体器件，具有驱动功率小...
MOS管识别，性质资料
01-24
- **输入阻抗极高**：由于栅极与半导体之间的绝缘层，MOS管的输入阻抗非常高，几乎不受栅极电流的影响。 - **开关速度快**：MOS管开启和关闭的速度快，适合高频应用。 - **热稳定性好**：MOS管没有PN结，因此其热...
MOS管选型：参数及其具体意义
最新发布
weixin_45274594的博客
09-15 3045
本文主要描述了MOS的相关参数及实际意义，希望在选型时能帮到大家
功率MOSFET的栅极电荷特性
weixin_42124162的博客
10-29 9523
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。 Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。 Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。 Qgd：栅极和漏极电荷 Qgs：栅极和源极电荷 栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流I...
MOS管正确选择的步骤
weixin_30429201的博客
11-17 1041
正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 　　为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，...
大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读
TaidL的博客
08-30 6029
主题：大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读！ 　　最近很多企业工程师在对功率mos管选型方面都纠结如何选择大功率mos管，小编认为首先要对所有的大功率mos管型号有一个全面的了解，大功率mos管到底有多少种型号？ 　　其实，说到大功率mos管，学过电子的朋友首先想到的就是如下图所示的插件mos管： 　　MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文 MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半
mos管的导通电阻和耐压有啥关系?
gtkknd的专栏
02-05 4127
同种工艺相同面积下，耐压越高内阻越大
中文图解功率MOS管的每一个参数!
二进制模----细微行动改变影响世界
08-30 4165
中文图解功率MOS管的每一个参数! 2017-08-22 20:14 第一部分 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性. VGS 最大栅源电压 VG...
场效应管图形符号、特性、说明解析-KIA MOS管
树卡花
09-29 1万+
场效应管图形符号、特性、说明解析 N型沟道结型场效应管电路图形符号如左图所示，场效应管共有3个电极，电路图形符号中用字母表示各电极，栅极用G表示，源级用S表示，漏极用D表示。电路图形符号中表示出了结型与N型沟道，G极的箭头方向表示是P型还是N型沟道，N型沟道场效应管其G极箭头朝里。旧的N型结型场效应管电路图形符号中有个圆圈，如下图： P型沟道结型场效应管电路图符号如左图所示，它的G极箭头向外，以表示是P型沟道，旧P型沟道结型场效应管的电路图形符号中有个圆圈，如下图： 左图为增强型P沟道绝缘栅极场效应管电
MOS管参数每一个参数详解-收藏版
热门推荐
树卡花
09-27 10万+
MOS管参数 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述. gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示...
MOS管的工作原理及关键参数
06-10
MOS管，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种半导体器件，由金属栅、氧化物介质和半导体材料组成。MOS管的工作原理是通过控制栅极电位，改变栅极与源极之间形成的电场，从而控制源极与漏极之间的电流。MOS管是一种电压控制器件，可以实现高电阻、低噪声、低功耗、高速度等特性。 MOS管的关键参数包括： 1.漏电流（IDSS）：指的是MOS管在栅极与源极电压为零时，漏极与源极之间的最大电流。这个参数越小，MOS管的关断状态就越好。 2.截止电压（VGSoff）：指的是MOS管在栅极与源极电压为零时，漏极与源极之间的电压。这个参数越大，MOS管的关断状态就越好。 3.最大耗散功率（PDmax）：指的是MOS管能够承受的最大功率。当MOS管通过电流时，会产生热损耗，如果超过这个值，MOS管就会被烧坏。 4.漏极电阻（rDSon）：指的是MOS管导通时，漏极与源极之间的电阻。这个参数越小，MOS管导通时的电阻就越小，MOS管的导通特性就越好。 5.门电压范围（VGS）：指的是MOS管栅极电压的工作范围。如果栅极电压超出了这个范围，MOS管就会被损坏或失效。

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值