存储器_队列属于存储器的一部分吗?-CSDN博客

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存储器是计算机系统中的记忆设备, 计算机中全部信息, 包括输入的原始数据, 计算机程序, 中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中.
构成存储器的存储介质, 目前主要采用半导体器件和磁性材料. 存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元, 它可存储一个二进制代码,. 由若干个存储元组成一个存储单元, 然后再由许多存储单元组成一个存储器, 一个存储器包含许多存储单元, 每个存储单元可存放一个字节(按字节编址). 每个存储单元的位置都有一个编号, 即地址, 一般用十六进制表示. 一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量. 假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成, 则可表示2的20次方, 即1M个存储单元地址. 每个存储单元存放一个字节, 则该存储器的存储容量为1MB.

存储器分类

按存储介质分类
- 磁存储器: 利用涂覆在载体表面的磁性材料具有两种不同的磁化状态来表示二进制信息完成存储. 将磁性材料均匀地涂覆在圆形的铝合金或塑料的载体上就成为磁盘, 涂覆在聚酯塑料带上就成为磁带. 常见的有 机械式硬盘(硬磁盘) , 软盘(软磁盘) , 磁带等.
- 光存储器: 光盘表面有凹凸不平的小坑, 光照射到上面有不同的反射, 再转化为二进制信号形成光存储. 主要有只读型的 CD-Audio , CD-Video , CD-ROM , DVD-Audio , DVD- Video , DVD-ROM 等; 另一类是可写型的 CD-R , CD-RW , DVD-R , DVD+R , DVD+RW, DVD-RAM 等.
- 半导体存储器: 利用半导体电路完成存储. 目前所说的 ROM , RAM 等都属于半导体存储器. 下面的分类将主要讨论半导体存储器和机械硬盘.
按存储方式分
- 随机存储器: 任何存储单元的内容都能被随机存取, 且存取时间和存储单元的物理位置无关.
- 只能按某种顺序来存取, 存取时间和存储单元的物理位置有关. 比如 FIFO队列存储器 .
按读写功能分
- 只读存储器(ROM, read only memory): 存储的内容是固定不变的, 只能读出而不能写入的存储器.
- 随机读写存储器(RAM, random access memory): 既可以读又可以写的存储器.
按用途分
- 内存: 存放计算机运行期间的大量程序和数据, 一般包括 ROM RAM 和 Cache(高速缓冲存储器)
- 外存: 存放系统程序和大型数据文件及数据库等.
按信息保存性分
存储根据易失性(volatile)和非易失性(non-volatile)可以做如下分类:

几种常见存储器

RAM
RAM(Random access memory, 随机存取存储器)存储单元的内容可按需随意取出或存入, 且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器. 这种存储器在断电时将丢失其存储内容, 故主要用于存储短时间使用的程序.
SRAM
SRAM(Static RAM, 静态随机存储器)速度非常快, 不需要刷新电路, 在快速读取和刷新时能够保持数据完整性,. SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据, 所以SRAM的电路结构非常复杂. 一般用在CPU的一级缓冲，二级缓冲中.
DRAM
DRAM(Dynamic RAM, 动态随机存取存储器)每隔一段时间就要刷新一次数据, 才能保存数据.
SDRAM
SDRAM(Synchronous DRAM, 同步动态随机存储器), 即数据的读写需要时钟来同步。其存储单元不是按线性排列的，是分页的. 一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM. 电脑的内存也是用的这种RAM, 叫DDR SDRAM, 其集成度非常高, 因为是动态的, 所以必须有刷新电路, 每隔一段时间必须得刷新数据.
ROM
ROM(Read only memory, 只读存储器)所存储的信息在正常情况下只能读取, 不能随意改变. 其信息是在特殊条件下生成的. 即使停电其信息也不会丢失. 这种存储器适用于存储固定不变的程序和数据.
M-ROM
M-ROM(Mask-ROM, 掩膜ROM)其存储的信息是在掩膜工艺制造过程中写进去的, 信息一旦写入便不能再修改. 掩膜ROM适合于大批量的定型产品, 它具有工作可靠和成本低等优点.
PROM
PROM(Programmable ROM, 可编程ROM)其信息可由用户通过特殊手段写入，但它只能写入一次，并且写入的信息不能修改.
EPROM
EPROM(Erasable PROM, 可擦除可编程ROM)用户可根据需要对它进行多次写入和擦除, 但每次写入之前, 一定要先用紫外线擦除.
EEPROM
EEPROM(Elctronic erasable PROM, 电可擦除可编程ROM)与EPROM不同, EEPROM的擦写可以用电路而不是紫外线完成. 擦写速度比EPROM快.
FALSH
FLASH(闪存)是一种可以写入和读取的存储器, FLASH也叫FLASH ROM, FLASH和EEPROM相比, FLASH的存储容量大. FLASH的速度比现在的机械硬盘速度快.
NOR FLASH
NOR FLASH的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place), 这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行, 不必再把代码读到系统RAM中,. NOR FLASH的传输效率很高, 在1～4MB的小容量时具有很高的成本效, 但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能.
NAND FLASH
NAND FLASH结构能提供极高的单元密度, 可以达到高存储密度, 并且写入和擦除的速度也很快. 应用NAND FALSH的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口. 现在的U盘和SSD固态硬盘都是NAND FALSH.