以下内容不细纠各个概念的差异,而是侧重其本质概念,浏览需要一定的基础
RAM
要作为系统的ram,其中最重要的就是要求,能够随机读写,即,可直接操作任意位置的字节
DRAM
表示动态随机存取存储器。和SRAM相比需要动态的刷新数据以防止丢失。
SDRAM
SDRAM中文名字是同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random-access memory,简称SDRAM),
意思是指理论上其速度可达到与CPU同步。CPU的核心频率=系统外部频率×倍频的方式,内存工作在系统的外
部频率下,由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式,因此,基本上消除了等待时
间,提高了系统整体性能。
简单来说,SDRAM比DRAM多了一个同步信号。
DDR SDRAM
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速率SDRAM“的意思。
DDR可以说是SDRAM的升级版本,DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据,这使
得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
简单来说,DDR SDRAM把SDRM同步信号的两个边沿都利用了起来
SRAM
表示静态态随机存取存储器。 因此只要供电它就会保持一个值。一般而言,SRAM 比DRAM要
快,这是因为SRAM没有刷新周期。但相对的,SRAM密度低,不适合量产商用。
ROM
EEPROM
1)rom最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活。
2)prom,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片。
3)EPROM,可多次擦除,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下。
4)EEPROM,Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。可以用电多次擦除。
有单片机经验的应该知道,有些芯片是自带EEPROM的,当然,有些是用FLASH模拟的EEPROM
FLASH
实际上flash也可以算作是EEPROM的一种,不过flash牺牲了EEPROM可以随机读写的特性,换取了
更大的容量。同时,在自身可以随机读的同时,将写flash变成了先读出整页到内存,然后擦除整页,最后将原
来的内容和待写入内容一起写入到flash的对应页
NOR FLASH
可以支持任意地址读取,这也是为什么程序能够直接从norflash启动,但是不能够作为ram使用,因为不能够
随机写。其本质还是一块flash,所以具备flash不可改变的特性,要写,必须先读出整页到内存,擦除页后再将
读出的数据和待写入数据一起写入。
网上很多人说可以作为内存使用,相当的似是而非,自己必须理清楚概念。
NAND FLASH
和norflash相比,显然nandflash不能够随机读取,只能够整块读取,写入也是基于flash特色的写入,不过
似乎更快一点。
另外补充几点,U盘等移动存储器,里面也是用flash来做存储的。ROM有一些特别的例子,比如机械硬盘,机械硬盘是基于另外一种技术/结构的。
SSD内部其实是NAND FLASH.