硬件电路设计之——DC-DC上电时电压输出尖峰电压

最新推荐文章于 2025-04-28 09:44:04 发布
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#芯片 #单片机

在硬件电路设计中，使用XL1509-5.0E时遇到上电瞬间8V尖峰电压问题，导致USB过流短路保护芯片受损。经过分析发现，电容并联过大导致反馈电流减小，从而使电源芯片误判并提升输出电压。解决方案是加入10Ω NTC限制上电电流，成功抑制电压尖峰。

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硬件电路设计之——DC-DC上电时电压输出尖峰电压

发现问题

在使用XL1509-5.0E时发现，当电源在上电瞬间会出现一个上升到 8V的尖峰电压。使用的STC单片机好像能抗住这个电压，并且不损坏。但是使用的USB过流短路保护芯片的芯片就扛不住了，上电几次 之后就回出现保护芯片电压输出脚和地线之间出现极低的阻值，大概在10Ω左右，同时，芯片会高度发烫（为什么是高度发烫，因为我在摸芯片温度的那一瞬间，我的手被烫了一个泡。就那么一瞬间）。
百思不得其解呀，电源芯片发展的这么多年了，按道理来说不应该会有这个现象啊，各种查找问题。最后发现一个规律，当电源芯片输出的5V上并联电容越大，输出的电压尖峰越嚣张。按道理来说输出的5V上并联的电容越大，上电时需要给电容充电，上升不应该更慢吗？应该是可以把尖峰电压稳稳的摁下来的么？出鬼了还???上电瞬间的电压尖峰现象，大概就是这样的
最后在网上找到大佬的分析，感觉很有道理。大致是：在电源芯片内部，不管是DC-DC芯片，还是LDO芯片，都是通过电阻分压来获取反馈。当输出上面的电容并联的容值太大，由于电容上电瞬间需要充电，相当于对地短路，大部分电流会流向电容内部，从而导致流到反馈端的电流变小。而反馈端电流变小，便会导致反馈的电压偏低。然后电源芯片一看反馈回来的电压才这么一点，显然和设定的反馈电压不一样呀，肯定得把电压拼命的抬起来！当反馈的电压

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电路中的导线和元件具有一定的电感，当MOS管快速开关时，电流变化率（di/dt）较大，会在电路中产生较大的电感压降（L*di/dt），这个压降会叠加在MOS管的漏极电压上，形成尖峰。如果MOS管的驱动电路不能提供足够的电流来快速充放电，或者驱动电路的响应速度不够快，也可能导致尖峰的产生。电源和地线的阻抗在高频下可能变得显著，当MOS管快速开关时，电源和地线的阻抗可能导致电压波动，形成尖峰。使用软开关技术，如零电压切换（ZVS）和零电流切换（ZCS），以减少开关过程中的电压和电流突变。
【DCDC电源电路不满足最小导通时间要求导致输出纹波过大问题】
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DCDC电源电路设计的时候需要考虑电源IC的最小导通时间（Minimum on time或者称为消隐时间），而且要保证需要的导通时间大于Minimum on time的最大值，如果芯片中没有体现最大值要求，需要找厂家确认清楚。否则电源输出会有问题。
反击开关mos管电压尖峰
02-14
### MOS管电压尖峰的原因分析 MOS管在开关过程中产生的电压尖峰主要源于寄生参数的影响。当MOS管快速关闭时，由于电路中存在的杂散电感和分布电容，会产生振荡现象并形成高压尖峰[^2]。 具体来说，在全桥逆变电路和其他高频开关应用中，MOS管的漏源极之间存在一定的寄生电感Ls以及栅极与源极间的寄生电容Cgs。这些元件共同作用使得MOS管在高速切换状态时容易引发过冲效应，即所谓的“关断尖峰”。 ### 解决方案概述 为了有效抑制这种有害的电压尖峰，可以采取以下几种措施： #### 1. 使用缓冲网络（Snubber Circuit） 通过引入RC吸收回路来消耗掉部分能量从而减少峰值电压水平。该方法简单易行且效果显著。对于大多数情况下，选择合适的电阻R和电容C组合即可实现良好性能优化[^4]。 ```python def calculate_snubber_values(V_peak, I_max): """ 计算适合用于抑制MOSFET关断尖峰的最佳RC值 参数: V_peak (float): 预期的最大允许电压尖峰值[V] I_max (float): 流经MOSFET的最大电流[A] 返回: tuple: 合适的电阻(R)和电容(C)组成的元组(Ω,F) """ R = sqrt(L * C / Q**2 - L / (I_max ** 2)) C = (V_peak / omega)**2 / R return round(R), round(C,9) ``` 其中`omega=2*pi*f`, f为工作频率；Q代表品质因数，通常取0.7~1之间较为合适。 #### 2. 改善PCB布局设计 合理规划印刷电路板上的走线路径有助于降低布线引起的额外感应成分，并提高整体系统的稳定性。特别是要缩短关键节点之间的距离，比如门控信号线应尽可能靠近器件放置以减小环路面积带来的负面影响[^3]. #### 3. 增加软启动功能 采用渐进式的开启方式代替瞬间导通模式可以在一定程度上缓解冲击力矩造成的损害风险。这不仅有利于保护敏感组件免受瞬态事件干扰，还能延长使用寿命。 #### 4. 提升散热管理策略 良好的热传导机制同样重要，因为它直接影响着半导体材料内部载流子迁移率的变化趋势。确保充分冷却条件下操作可使阈值电压保持稳定不变，进而维持正常的电气特性表现[^1].
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