Qualcomm Quick charge原理（摘自网络）

标准下行端口（SDP）

     这种端口的D+和D-线上具有15kΩ下拉电阻。限流值如上讨论：挂起时为2.5mA，连接时为100mA，连接并配置为较高功率时为500mA。

专用充电端口（DCP）

    这种端口不支持任何数据传输，但能够提供1.5A以上的电流。端口的D+和D-线之间短路。这种类型的端口支持较高充电能力的墙上充电器和车载充电器，无需枚举。

充电下行端口（CDP）

     这种端口既支持大电流充电，也支持完全兼容USB 2.0的数据传输。端口具有D+和D-通信所必需的15kΩ下拉电阻，也具有充电器检测阶段切换的内部电路。内部电路允许便携设备将CDP与其它类型端口区分开来

当OTG驱动捕获到VBUS中断的时候，断开DP/DM与SIE接口的连接，然后等待数据线的连接(DCD)并设置超时，一般是750ms，如果超时，可启动usb gadget驱动做识别；否则在DP上加载0.6V的电压，检测DM上是否有0.6V的电压，这里有两种情况

情况一：如果有0.6V电压，那么可能是DCP或者CDP充电器，接着在DP上撤销0.6V电压并加载0.8V电压，检测DM上的电压，如果是0.8V那么就是DCP充电器，否则由于CDP充电器对DP上的0.8V电压不做响应，得出是CDP充电器；

情况二：如果没有0.6V电压，那么就是SDP即是数据线连到了PC上。

探测完毕后，重新打开DP/DM和SIE的连接

 

QC2.0：

1) 假设手机端使能了高速充电协议。Android用户空间的hvdcp(high voltage dedicated charger port)进程启动，而且在D+上载入0.325V的电压维持超过1.25s上；

 

2) 充电器检測到D+上电压0.325V维持超过了1.25s。就断开D+和D-的短接，因为D+和D-断开，所以D-上的电压不再尾随D+上的电压0.325V变动。此时開始下降；

 

3) 手机端检測到D-上的电压从0.325V開始下降维持1ms以上时，hvdcp读取/sys/class/power_supply/usb/voltage_max的值，假设是9000000uV，就设置D+上的电压为3.3V。D-上 的电压为0.6V，否则设置D+为0.6V。D-为0V；

 

4) 充电器检測到D+和D-上的电压后，就调整充电器输出电压。详细D+和D-上的电压和充电器输出电压如下

QC 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，QC 3.0则以200 mV为步幅，提供从3.6 V到20 V电压的灵活选择。

 

关于QC3.0支持的总线电压（VBUS） 范围，A级为3.6 V至12 V。B级为3.6 V至20 V。QC 3.0在分立模式下等同于QC 2.0，以0 V、0.6 V、3.3 V三级逻辑通过静态D+/D- 值选择VBUS；在连续模式下，新的QC 3.0以200 mV小步幅添加或减少VBUS，让便携式设备选择最适合的电压达到理想充电效率。更具灵活性，其最大负载电流限制为3 A，最高功率可达60 W