【正点原子探索者STM32F4】TFTLCD实验学习记录：FSMC控制 TFTLCD的寄存器配置

异步模式 A控制 TFTLCD

LCD以ILI9341为例

FSMC寄存器配置

对于异步突发访问方式， FSMC 主要设置 3 个时间参数：地址建立时间(ADDSET)、 数据
建立时间(DATAST)和地址保持时间(ADDHLD)。 FSMC 综合了 SRAM／ ROM、 PSRAM 和 NOR
Flash 产品的信号特点，定义了 4 种不同的异步时序模型。选用不同的时序模型时，需要设置不
同的时序参数

使用异步模式 A（ModeA）方式来控制 TFTLCD，模式 A 的读操作时序如图


SRAM/NOR 闪存片选控制寄存器： FSMC_BCRx（x=1~4）

EXTMOD：扩展模式使能位，也就是是否允许读写不同的时序，需要读
写不同的时序，故该位需要设置为 1。
设置了 EXTMOD 位，则有两个时序寄存器分别对应读(本寄存器)和写操作(FSMC_BWTRx 寄存器)
WREN：写使能位。我们需要向 TFTLCD 写数据，故该位必须设置为 1。
MWID[1:0]：存储器数据总线宽度。 00，表示 8 位数据模式； 01 表示 16 位数据模式； 10
和 11 保留。我们的 TFTLCD 是 16 位数据线，所以设置 WMID[1:0]=01。
MTYP[1:0]：存储器类型。 00 表示 SRAM、 ROM； 01 表示 PSRAM； 10 表示 NOR FLASH;11
保留。前面提到，我们把 TFTLCD 当成 SRAM 用，所以需要设置 MTYP[1:0]=00。
MBKEN：存储块使能位。这个容易理解，我们需要用到该存储块控制 TFTLCD，MBKEN=1

SRAM/NOR 闪存片选时序寄存器： FSMC_BTRx（x=1~4）

ACCMOD[1:0]：访问模式。 00 访问模式 A；同理 01 表示 B； 10 表示 C；11 表示 D，本章我们用到模式 A，故设置为 00。
DATAST[7:0]：数据保持时间。 0 为保留设置，其他设置则代表保持时间为: DATAST 个
HCLK 时钟周期，最大为 255 个 HCLK 周期。对 ILI9341 来说，其实就是 RD 低电平持续时间，
一般为 355ns。而一个 HCLK 时钟周期为 6ns 左右（1/168Mhz），为了兼容其他屏，我们这里设
置 DATAST 为 60，也就是 60 个 HCLK 周期，时间大约是 360ns。
ADDSET[3:0]：地址建立时间。其建立时间为： ADDSET 个 HCLK 周期，最大为 15 个 HCLK
周期。对 ILI9341 来说，这里相当于 RD 高电平持续时间，为 90ns，我们设置 ADDSET 为 15，
即 15*6=90ns。

SRAM/NOR 闪写时序寄存器： FSMC_BWTRx（x=1~4）

ACCMOD、 DATAST
和 ADDSET 这三个设置。这三个设置的方法同 FSMC_BTRx 一模一样，只是这里对应的是写
操作的时序， ACCMOD 设置同 FSMC_BTRx 一模一样，同样是选择模式 A，另外 DATAST 和
ADDSET 则对应低电平和高电平持续时间，对 ILI9341 来说，这两个时间只需要 15ns 就够了，
比读操作快得多。所以我们这里设置 DATAST 为 2，即 3 个 HCLK 周期，时间约为 18ns。然后
ADDSET 设置为 3，即 3 个 HCLK 周期，时间为 18ns。
FSMC_BCRx 和 FSMC_BTRx，组合成 BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：
BTCR[0]对应 FSMC_BCR1， BTCR[1]对应 FSMC_BTR1
BTCR[2]对应 FSMC_BCR2， BTCR[3]对应 FSMC_BTR2
BTCR[4]对应 FSMC_BCR3， BTCR[5]对应 FSMC_BTR3
BTCR[6]对应 FSMC_BCR4， BTCR[7]对应 FSMC_BTR4
FSMC_BWTRx 则组合成 BWTR[7]，他们的对应关系如下：
BWTR[0]对应 FSMC_BWTR1， BWTR[2]对应 FSMC_BWTR2，
BWTR[4]对应 FSMC_BWTR3， BWTR[6]对应 FSMC_BWTR4，

ILI9341电平持续时间要求

参考

STM32F4开发指南-库函数版本_V1.2
ILI9341_DS