硬件基础知识之三极管&MOS管（OC门与OD门）

最新推荐文章于 2024-05-03 22:24:14 发布
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分类专栏： 杂项 文章标签： 嵌入式硬件 单片机 硬件架构
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 硬件基础知识之三极管&MOS管（OC门与OD门）

硬件基础知识之三极管&MOS管（OC门与OD门）1、OC门采用的是三极管，OD门采用的是MOS管。\x0d\x0a2、都只能输出低电平或者高阻态，都需要上拉电阻上拉，才能输出高电平。\x0d\x0a3、可以通过控制上拉电压的大小，设置输出的电压大小。icon-default.png?t=N7T8https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=Mzg2MjYwMTg3OQ==&mid=2247483997&idx=1&sn=751029859f1b534309c6f8841dd3747d&chksm=ce0415a5f9739cb3a518dc323d829fce279a005cdf46888a1a7eea9ff38d2fc70064935fb55c#rd欢迎关注公众号！

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专栏目录
1.3 OC与OD门（硬件基础系列）
医疗电子的博客
02-27 1407
INPUT = 0时，Q1截至，Q1的集电极为高，Q2导通，OUTPUT = 0;INPUT = 1时，Q1导通，Q1的集电极为低，Q2截至，OUTPUT = 1;INPUT = 0时，Q3截至，Q3的集电极为高，Q4导通，OUTPUT = 0;INPUT = 1时，Q3导通，Q3的集电极为低，Q4截至，OUTPUT = 1;都只能输出低电平或者高阻态，都需要上拉电阻上拉，才能输出高电平。OC门采用的是OC门，OD门采用的是MOS管。图1. 23 OC门电路。1.3 OC与OD门。1.3.3 案例总结。
利用oc门或od门实现线与_TTL电平,CMOS电平,OC门,OD门基础知识
weixin_35144564的博客
12-24 2109
TTLTTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8VCMOSCMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电...
利用oc门或od门实现线与_OC门电路和OD门电路原理
weixin_39850150的博客
12-24 1554
OC门与OD门以及线与逻辑OC(Open Collector)门又叫集电极开路门，主要针对的是BJT电路(从上往下依次是基极，集电极，发射极)OD(Open Drain)门又叫漏极开路门，主要针对的是MOS管(从上往下依次是漏极、栅极、源极)线与逻辑指的是两个输出端直接互联就可以实现“AND”的功能，如下图如果按照该图的做法直接互联的话，会导致形成阻值低的通道，产生大电流，电路会出现问题的那么这个...
一文搞懂OC门、OD门及其作用
csdn10626的博客
07-20 1万+
OC门、OD门、OC门的作用
利用oc门或od门实现线与_TTL,CMOS,OC门,OD门的理解
weixin_42524499的博客
12-24 3135
转载自：http://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/4197991.html一．TTLTTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门(transistor-transistor logicgate)，TTL大部分都采用5V电源。1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8V二．...
OC门与OD门
AirCity123的博客
02-02 1万+
作者：AirCity 2020.2.2 [email protected] 本文所有权归作者Aircity所有 1 OC门 集电极开路，结构如下： A由软件控制，写“0”时，输出低电平，写“1”时，输出高电平（开漏输出）。 A=0，①截止，②导通，相当于开关闭合，输出0V（实际输出不是0V，因为三极管存在饱和压降）。 A=1，①导通，②截止，相当于开关断开，C点呈现高阻态，通常情况下C点要...
理一理 OC/OD 门、开漏输出、推挽输出等一些相关概念
不浮夸，不将就，认真对待学知识的我们
08-18 8465
电子设计基础知识，讲一讲OC/OD门，开漏/推挽输出，以及图腾柱 ... 矜辰所致
OC门电路和OD门电路的区别
m0_46642108的博客
09-10 1万+
OC门电路和OD门电路的区别一、OC门电路是什么？二、OD门电路是什么？三、总结 一、OC门电路是什么？ OC门电路：集电极开路（open collector） OC门电路的工作原理： 1）当INPUT输入高电平，Ube>0.7V，三极管U3导通，三极管U4的b点电位为0，U4截止，OUTPUT输出高电平； 2）当INPUT输入高电平，Ube<0.7V，三极管U3截止，三极管U4的b点电位为高，U4导通，OUTPUT输出低电平； 其中R25为上拉电阻：何为上拉电阻?将不确定的信号上拉至高电平。
MOS管，三极管基础知识总结
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霁风AI
08-11 4万+
1.MOS管符号箭头指向在所有半导体元件中, 箭头的意义表示p-n结的方向。场效应管是电压控制型元器件，只要对栅极施加电压，DS就会导通。三极管是电流控制型元器件，只要基极B有输入（或输出）电流就可以对这个晶体管进行控制。eg:N-channel-JFET:P-channel JFET:电路中的 MOS 管符号：寄生二极管的方向： MOS 管 指向 NMOS S极——>D极 PMO
三极管和MOS管应用在开关中怎样区分
08-05
在一些开关上，我们会应用到三极管和MOS管这两种类别，但是这两种有啥具体的区分和功能，一些人还是不清楚，为了方便大家知晓，现在就从专业的角度上来给大家来说说这两者的区别。
基础电子中的上下拉电阻作用的引申—OC,OD门
10-19
简介：由上下拉电阻的作用引出本文的内容，OC和OD门。　OC(open collector)是集电极开路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。 ...
三极管_MOS管.docx
09-11
改文档简要介绍了三极管和MOS管的基础知识及使用时的注意事项。
三极管和MOS管作为开关管时如何选择?
07-12
三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？ 三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而...
三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？
01-20
　三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处，在选型时需要考虑耐压、电流等参数。 　1.根据耐压选型 　三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不能超过...
嵌入式硬件中优化设计PCB提高焊接质量方法
最新发布
嵌入式技术开发
05-03 664
主要有以下因素：PCB图、电路板的质量、器件的质量、器件管脚的氧化程度、 锡膏的质量、锡膏的印刷质量、贴片机的程序编制的精确程度、贴片机的贴装质量、回流焊炉的温度曲线的设定等等因素。SOP、PLCC、QFP等封装的IC，画PCB时应注意焊盘的宽度，PCB上焊盘a的宽度=IC脚部宽度(即：datasheet中的Nom.值)，请不要增宽，保证b(即两焊盘间)有足够的宽度，以免造成连焊。PCB板上要标注Mark点，具体位置：在板的斜对角，可以是圆形，或方形的焊盘，不要跟其它器件的焊盘混在一起。
打印机-STM32版本 硬件部分
hmh520i的博客
04-28 2542
打印机-STM32版本 硬件部分
9种单片机常用的软件架构
无际单片机编程
04-29 2581
后面有幸，接触了稍微复杂点的项目，感觉以前水平Hold不住，然后借着项目需求，学习了很多优秀的代码架构，比如以前同事的，一些模组厂的SDK，还有市面上成熟的系统。因为我在做研发工程师的第6年，才开始意识到这个东西，在此之前，都是做一些比较简单的项目，一个main函数干到底，架构复杂了反而是累赘。下面是一个简化的示例，展示如何在C语言中模拟面向对象的编程风格，以51单片机为背景，创建一个简单的LED类。事实上，真正的事件型驱动架构，是非常复杂的，我职业生涯的巅峰之作，就是用的事件型驱动架构。
objdump命令解析
SimpleForest的博客
05-02 975
这里显示的选项的长格式和短格式都是可以的，他们是等效的。以下选项中至少一项需要给出：-a,-d,-D,-e,-f,-g,-G,-h,-H,-p,-P,-r,-R,-s,-S,-t,-T,-V,-x。选项决定显示的具体信息。
三极管与mos管的区别
07-28
三极管与MOS管之间有几个主要的区别。首先，三极管是电流控制元件，而MOS管是电压控制元件。这意味着在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选择MOS管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选择三极管。\[2\] 其次，三极管的导通需要在其b极提供电流，才能使ce导通。流过ce之间的电流与b极电流的关系是Ib*β=Ice，其中β是三极管的放大倍数。这个放大倍数可以从规格书中获取，典型值是100，同一个芯片不同Ib的β也是不同的。\[3\] 另外，MOS管和三极管在结构上也有所不同。MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应管，它由金属栅极、氧化层和半导体基底组成。而三极管是由三个掺杂不同的半导体层组成，分别是发射极、基极和集电极。\[1\] 总结来说，三极管和MOS管在工作原理、控制方式和结构上都有所不同。根据具体的电路设计需求，选择合适的元件可以实现所需的电流或电压控制功能。 #### 引用[.reference_title] - *1* *2* [MOS管和三极管区别-对比很显然](https://blog.csdn.net/qq_42597971/article/details/101199651)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *3* [三极管和MOS管的区别](https://blog.csdn.net/weixin_42107954/article/details/126213590)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]

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