搞清楚电场Ex,Ey,Ez,normE(电场模)场分布的影响,看懂了这些不需要看磁场就能明白基本上所有的场分布知识...

我们看下图可以得到对于TE基模在YZ平面的场分布,横向是Y。纵向是X,我们以环和波导靠近的地方作为6点钟,此位置关于竖直方向对称的位置为12点中位置。我们会发现首先TE基模是沿着径向方向的。然后Ez在3点钟和9点钟比较强,在6点和12点比较弱;如果我们有条件画出Ey在yz平面的场分布,我们就会发现,Ey在3点钟和9点钟比较弱,在6点和12点比较强,

 所以综合的电场模normE就是比较平均的:

 因此只要搞清楚电场Ex,Ey,Ez,normE(电场模)场分布的影响,看懂了这些不需要看磁场就能明白基本上所有的场分布知识。

下面这种情况可能就是由于直波导宽度减半(直波导宽度变化太大了错过了最优窗口,以后调节波导结构变化应该在注意:波导尺寸变化10nm就会看到影响,变化波导尺寸的20%就会变化很明显了,已而且变化20%可能就已经错过了最好的结果调过火了。)导致光在微环内激发了高阶模。

 

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TM式是一种纵向电磁波式,它的电场磁场都是横向的,垂直于波传播方向。在无限长的导体波导中,TM式的磁场电场分布可以通过以下步骤进行推导: 1. 假设波导的横截面为矩形,长为a,宽为b,波导内部填充介质的相对介电常数为εr。 2. 假设TM式的电场分量为Ey(x,y),磁场分量为Hz(x,y),其中x和y分别表示波在矩形横截面内的两个方向。 3. 根据麦克斯韦方程组,可以得到TM式的磁场电场分别满足以下波动方程: ∂2Ey/∂x2 + ∂2Ey/∂y2 + k2εrEy = 0 ∂2Hz/∂x2 + ∂2Hz/∂y2 + k2εrHz = 0 其中k表示波数,k=2π/λ,λ为波长。 4. 假设TM式在波导内的传播方向为z轴方向,可以把横截面内的电场磁场分别表示为: Ey(x,y) = Re[ey(x,y)exp(-jβz)] Hz(x,y) = Re[hz(x,y)exp(-jβz)] 其中Re表示实部,β为传播常数,可以通过解波动方程得到。 5. 把电磁场分量代入波动方程中,可以得到以下两个二阶偏微分方程: ∂2ey/∂x2 + ∂2ey/∂y2 + (k2εr - β2)ey = 0 ∂2hz/∂x2 + ∂2hz/∂y2 + (k2εr - β2)hz = 0 6. 根据波导的边界条件,可以得到电场磁场波导边界上的边界条件: - 对于电场:在矩形横截面的四个边界上,Ey(x,y)的法向分量为0。 - 对于磁场:在矩形横截面的四个边界上,Hz(x,y)的切向分量为0。 7. 根据边界条件,可以得到电场磁场的解析解,并进一步得到它们的分布规律。 具体来说,对于磁场Hz(x,y),它在矩形横截面内的分布规律可以表示为: Hz(x,y) = A sin(mπx/a)sin(nπy/b) 其中A为常数,m和n为正整数,它们的取值决定了Hz(x,y)的分布式。 类似地,对于电场Ey(x,y),它在矩形横截面内的分布规律可以表示为: Ey(x,y) = B sin(mπx/a)sin(nπy/b) 其中B为常数,m和n为正整数,它们的取值也决定了Ey(x,y)的分布式。 需要注意的是,不同的TM式有不同的分布式,即不同的m和n取值。具体的分布式可以通过求解波动方程和边界条件来得到。

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