《模拟电子技术基础（第五版）》第1章常用半导体器件-CSDN博客

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第1章常用半导体器件

1.1半导体基础知识

1.1.1本征半导体

定义与结构：本征半导体是一种纯净的、不含杂质的半导体材料。在常见的半导体材料中，硅（Si）和锗（Ge）是典型代表。它们的原子结构特点是最外层有4个电子，这些原子通过共价键的方式相互结合，形成规则的晶体结构。以硅为例，每个硅原子会与周围的4个硅原子共享电子，形成稳定的晶格结构。
载流子的产生：在绝对零度时，本征半导体中的电子都被束缚在共价键中，没有自由移动的电荷，此时半导体不导电。但在常温下，由于热激发，部分共价键中的电子会获得足够的能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子。同时，在原来电子的位置会留下一个空位，这个空位被称为空穴。空穴带有正电荷，它会吸引附近共价键中的电子来填补，从而产生电子的移动，这种现象就好像空穴在移动一样。自由电子和空穴都是可以导电的载流子，它们在本征半导体中的浓度相等。

1.1.2杂质半导体

N型半导体：在本征半导体中掺入少量的五价元素（如磷），就形成了N型半导体。五价元素的最外层有5个电子，在与硅或锗形成晶体时，会有一个多余的电子。这个电子很容易成为自由电子，使得N型半导体中的自由电子浓度远大于空穴浓度。因此，在N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
P型半导体：当在本征半导体中掺入少量的三价元素（如硼）时，会形成P型半导体。三价元素最外层有3个电子，在与硅或锗形成晶体时，会产生一个空穴。这个空穴很容易吸引电子，使得P型半导体中的空穴浓度远大于自由电子浓度。所以，在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。杂质半导体的导电能力比本征半导体大大增强，这是因为掺入杂质后，多数载流子的浓度大大增加。

1.1.3 PN结

形成过程：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于P区的空穴浓度高，N区的自由电子浓度高，在交界面处会发生载流子的扩散运动。P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散。随着扩散的进行，在交界面附近，P区一侧会留下一些带负电的离子，N区一侧会留下一些带正电的离子。这些离子形成了一个空间电荷区，这个区域就是PN结。空间电荷区会产生一个内电场，方向是从N区指向P区，这个内电场会阻止载流子的进一步扩散。
单向导电性：当在PN结上加正向电压（P区接电源正极，N区接电源负极）时，外电场的方向与内电场方向相反，削弱了内电场，使得扩散运动大于漂移运动，多数载流子能够顺利通过PN结，形成较大的电流，此时PN结处于正向导通状态。当在PN结上加反向电压（P区接电源负极，N区接电源正极）时，外电场与内电场方向相同，加强了内电场，使得漂移运动大于扩散运动，只有少数载流子能够通过PN结，形成的电流非常小，此时PN结处于反向截止状态。这种特性就是PN结的单向导电性。

1.2半导体二极管

1.2.1半导体二极管的几种常见结构

点接触型二极管：由一根金属丝与半导体表面接触，通过特殊工艺形成PN结。这种结构的二极管，PN结的面积很小，所以结电容很小，适用于高频信号的检波和小电流整流。例如，在收音机的检波电路中，利用其高频特性将高频信号中的音频信号提取出来。
面接触型二极管：它的PN结是通过扩散工艺在半导体芯片的大面积上形成的。这种二极管的PN结面积大，能够承受较大的电流，但结电容也较大，适用于低频整流电路。比如，在电源的整流电路中，将交流电转换为直流电，面接触型二极管可以处理较大的电流。
平面型二极管：这种二极管是在平面工艺基础上制造的，其特点是结面积可以做得很小，也可以做得很大，适用于多种应用场合。如果结面积小，可用于高频电路；如果结面积大，可用于大功率整流等应用。

1.2.2二极管的伏安特性

正向特性：当二极管加正向电压时，在电压较低时，由于外电场还不足以克服PN结的内电场，正向电流很小，二极管呈现较大的电阻，这个区域称为死区。硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.1V。当正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流随正向电压的增加而迅速增大，二极管处于正向导通状态。此时，二极管的正向压降基本保持不变，硅二极管约为0.6 - 0.8V，锗二极管约为0.2 - 0.3V。
反向特性：当二极管加反向电压时，在反向电压不超过某一数值时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，这个电流称为反向饱和电流。对于硅二极管，反向饱和电流一般在纳安（nA）级别；对于锗二极管，反向饱和电流稍大，在微安（μA）级别。当反向电压超过某一临界值（称为反向击穿电压）时，反向电流会急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种情况，雪崩击穿是由于载流子在强电场作用下获得足够的能量，与晶格原子碰撞产生新的载流子，导致电流急剧增大；齐纳击穿是在高掺杂的情况下，由于电场强度很高，直接将共价键中的电子拉出来形成大量载流子，使电流迅速增加。

1.2.3二极管的主要参数

最大整流电流 $I_F$ ：指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。如果实际工作电流超过这个值，二极管会因为过热而损坏。例如，在设计一个电源整流电路时，要根据负载电流的大小来选择二极管，确保二极管的最大整流电流大于负载电流。
最高反向工作电压 $V_{RM}$ ：是二极管在工作时允许承受的最大反向电压。为了保证二极管的安全工作，通常取反向击穿电压的一半作为最高反向工作电压。例如，一个反向击穿电压为100V的二极管，其最高反向工作电压一般设定为50V左右。
反向电流 $I_R$ ：在规定的反向电压和温度下，二极管的反向电流值。反向电流越小，二极管的单向导电性越好。如硅二极管在常温下的反向电流一般比锗二极管小很多，这也是硅二极管应用更广泛的原因之一。
最高工作频率 $f_M$ ：这是由二极管的结电容等因素决定的参数。当工作频率超过最高工作频率时，二极管的单向导电性会变差。例如，点接触型二极管的最高工作频率较高，适用于高频电路；而面接触型二极管的最高工作频率较低，用于低频电路。

1.2.4二极管的等效电路

理想二极管模型：在这种模型中，二极管正向导通时电阻为零，相当于短路；反向截止时电阻为无穷大，相当于开路。这种模型在分析一些简单电路，如只考虑二极管导通和截止两种状态的电路时非常方便。例如，在简单的整流电路中，当判断二极管是否导通来确定输出电压波形时，可以先采用理想二极管模型进行初步分析。
恒压降模型：该模型考虑了二极管正向导通时的压降。当二极管正向导通时，其两端电压视为一个固定的值，硅二极管通常取0.7V，锗二极管取0.3V。在分析对二极管正向压降有一定要求的电路时，如一些精密整流电路，恒压降模型比理想二极管模型更准确。
折线模型：折线模型在恒压降模型的基础上，对二极管的正向特性进行了更细致的描述。它考虑了二极管正向导通时电压和电流的线性关系，通过一段折线来近似表示二极管的伏安特性。这种模型在需要更精确分析二极管电路的情况下使用，比如在分析二极管的小信号特性时。

1.2.5稳压二极管

工作原理：稳压二极管是一种特殊的二极管，它利用了二极管的反向击穿特性来实现稳压功能。当稳压二极管反向击穿后，在一定的电流范围内，其两端的电压几乎保持不变。这是因为在反向击穿区，二极管的动态电阻很小，通过二极管的电流变化时，其两端电压变化很小。例如，一个稳压值为5V的稳压二极管，在反向电流在一定范围内变化时，其两端电压基本稳定在5V左右。
主要参数：
- 稳压电压 $V_Z$ ：指稳压二极管在规定的工作电流下的稳定电压值。不同型号的稳压二极管有不同的稳压电压范围，一般从几伏到几十伏不等。
- 稳定电流 $I_Z$ ：是稳压二极管正常工作时的参考电流值。在这个电流附近，稳压二极管的稳压效果较好。
- 最大稳定电流 $I_{ZM}$ ：是稳压二极管允许通过的最大反向电流。如果超过这个电流，稳压二极管可能会因过热而损坏。
- 动态电阻 $r_Z$ ：是稳压二极管在反向击穿区的等效电阻，定义为 $\Delta V_Z / \Delta I_Z$ 。动态电阻越小，稳压二极管的稳压性能越好。

1.2.6其它类型二极管

发光二极管（LED）：它是一种能够将电能转化为光能的二极管。当正向电流通过发光二极管时，电子与空穴复合，释放出能量以光子的形式发出光。发光二极管具有节能、寿命长、响应速度快等优点，广泛应用于显示、照明等领域。例如，在电子设备的指示灯、显示屏背光源、汽车大灯等地方都能看到发光二极管的身影。
光电二极管：它是一种能够将光信号转换为电信号的二极管。其工作原理是基于光生伏特效应，当光照在光电二极管的PN结上时，光子能量被吸收，产生电子 - 空穴对，从而形成光电流。光电二极管在光通信、光检测、太阳能电池等领域有广泛应用。例如，在光纤通信系统中，光电二极管用于接收光信号并将其转换为电信号进行后续处理。

1.3晶体三极管

1.3.1晶体管的结构及类型

结构：
- 晶体三极管由三个掺杂不同的半导体区域构成，分别是发射区、基区和集电区。这三个区域引出的电极称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。发射区和集电区的半导体类型相同，基区则不同。例如在NPN型晶体管中，发射区和集电区是N型半导体，基区是P型半导体；而在PNP型晶体管中，发射区和集电区是P型半导体，基区是N型半导体。
- 发射区的掺杂浓度很高，目的是能够向基区注入大量的多数载流子。基区很薄且掺杂浓度较低，这样能使从发射区注入的多数载流子在穿越基区时，只有少量与基区的载流子复合。集电区面积较大，有助于收集从基区扩散过来的多数载流子。
类型：
- 按照半导体材料可分为硅晶体管和锗晶体管。硅晶体管的温度稳定性更好，因为硅材料的禁带宽度比锗材料大，在相同温度变化下，硅晶体管的反向饱和电流等参数变化相对较小。在实际应用中，硅晶体管应用更为广泛，不过在一些对温度特性要求不高的特定场景，锗晶体管也会被使用。
- 根据结构类型分为NPN型和PNP型。NPN型晶体管在工作时，多数载流子为电子，电流方向是从集电极流向发射极，基极电流控制集电极电流；PNP型晶体管多数载流子为空穴，电流方向是从发射极流向集电极，同样基极电流起控制作用，只是电流方向和载流子类型与NPN型相反。

1.3.2晶体管的电流放大作用

内部载流子的运动过程：
- 以NPN型晶体管为例，当发射结加正向电压（ $V_{BE}$ 为正，即基极电位高于发射极电位），集电结加反向电压（ $V_{BC}$ 为负，即集电极电位高于基极电位）时，发射区的多数载流子（电子）在正向电压作用下向基区扩散。由于基区很薄且掺杂浓度低，只有少量电子与基区的空穴复合，形成基极电流 $I_B$ 。大部分电子在集电结反向电场的作用下，被吸引到集电区，形成集电极电流 $I_C$ 。发射极电流 $I_E$ 等于基极电流 $I_B$ 和集电极电流 $I_C$ 之和，即 $I_E = I_B + I_C$ 。
电流分配关系：
- 集电极电流 $I_C$ 和基极电流 $I_B$ 之间存在比例关系，这个比例系数称为电流放大倍数 $\beta$ ，用公式表示为 $I_C = \beta I_B$ 。例如，若 $\beta = 100$ ，当基极电流变化 $1\mu A$ 时，集电极电流就会变化 $100\mu A$ ，这体现了晶体管的电流放大作用，通过较小的基极电流变化可以控制较大的集电极电流变化，从而实现信号放大。

1.3.3晶体管的共射特性曲线

输入特性曲线：
- 是在集 - 射极电压 $V_{CE}$ 保持不变的情况下，基极电流 $I_B$ 与基 - 射极电压 $V_{BE}$ 之间的关系曲线。它的形状和二极管的正向伏安特性曲线类似，也存在一个死区。对于硅晶体管，死区电压约为0.5V，当 $V_{BE}$ 超过死区电压后， $I_B$ 随 $V_{BE}$ 的增加而迅速增大。在分析晶体管放大器的输入信号与基极电流的关系时，需要参考输入特性曲线。
输出特性曲线：
- 是在基极电流 $I_B$ 为常数时，集电极电流 $I_C$ 与集 - 射极电压 $V_{CE}$ 之间的关系曲线。可分为三个区域：
  - 截止区：当 $I_B = 0$ 时， $I_C$ 近似为零，晶体管处于截止状态，此时 $V_{CE}$ 近似等于电源电压。在这个区域，集电结和发射结都处于反向偏置，晶体管相当于一个断开的开关，没有电流放大作用。
  - 放大区：在这个区域， $I_C$ 几乎与 $V_{CE}$ 无关，而只与 $I_B$ 有关，并且满足 $I_C=\beta I_B$ 。此时集电结反向偏置，发射结正向偏置，这是晶体管用于信号放大的工作区域。
  - 饱和区：当 $V_{CE}$ 减小到一定程度时， $I_C$ 不再随着 $I_B$ 的增加而线性增加，晶体管进入饱和状态。此时集电结和发射结都处于正向偏置，晶体管相当于一个闭合的开关， $V_{CE}$ 的值很小，一般在0.3V左右。

1.3.4晶体管的主要参数

电流放大倍数：
- 共射电流放大倍数 $\beta$ ：定义为集电极电流变化量与基极电流变化量之比，即 $\beta=\Delta I_C / \Delta I_B$ 。它反映了晶体管的电流放大能力，不同型号的晶体管 $\beta$ 值不同，一般在几十到几百之间。例如，在音频放大电路中，根据所需的放大倍数选择合适 $\beta$ 值的晶体管。
- 共基电流放大倍数 $\alpha$ ：定义为集电极电流变化量与发射极电流变化量之比，即 $\alpha=\Delta I_C / \Delta I_E$ 。 $\alpha$ 和 $\beta$ 之间存在关系 $\beta=\alpha /(1 - \alpha)$ 。
极间反向电流：
- 集 - 基极反向饱和电流 $I_{CBO}$ ：是指发射极开路时，集电结的反向电流。这个电流受温度影响较大，它的大小反映了晶体管的热稳定性。在设计高精度、高稳定性的电路时，要选择 $I_{CBO}$ 小的晶体管。
- 集 - 射极穿透电流 $I_{CEO}$ ：是指基极开路时，从集电极穿透到发射极的电流。 $I_{CEO}$ 与 $I_{CBO}$ 之间的关系为 $I_{CEO}=(1 + \beta)I_{CBO}$ ，它也是衡量晶体管质量和热稳定性的重要参数。
极限参数：
- 集电极最大允许电流 $I_{CM}$ ：当集电极电流超过这个值时，晶体管的 $\beta$ 值会明显下降，可能导致晶体管性能变差甚至损坏。例如，在功率放大电路中，要确保集电极电流不超过 $I_{CM}$ ，以免损坏晶体管。
- 集 - 射极反向击穿电压 $V_{(BR)CEO}$ ：是指基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。当 $V_{CE}$ 超过这个值时，晶体管会发生反向击穿。在电源电路等设计中，要考虑这个参数，避免晶体管被击穿。
- 集电极最大允许耗散功率 $P_{CM}$ ：它是指晶体管在工作时，集电极允许消耗的最大功率。当 $P_C = I_CV_{CE}$ 超过 $P_{CM}$ 时，晶体管会因为过热而损坏。在设计电路时，要根据晶体管的散热条件和工作电流、电压来计算实际功耗，确保不超过 $P_{CM}$ 。

1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响

对 $I_{CBO}$ 和 $I_{CEO}$ 的影响：温度升高时， $I_{CBO}$ 和 $I_{CEO}$ 都会增大。这是因为温度升高，本征激发产生的载流子增多，使得反向电流增大。由于 $I_{CEO}=(1 + \beta)I_{CBO}$ ，所以 $I_{CEO}$ 的增加更为明显。这种变化会导致晶体管的热稳定性变差，在高温环境下，电路的性能可能会受到影响。
对 $\beta$ 的影响：温度升高时， $\beta$ 值会增大。这是因为温度升高，载流子的运动速度加快，基区复合的载流子减少，使得集电极电流相对基极电流的放大倍数增加。在设计高精度放大电路时，需要考虑这种变化，因为温度变化可能会导致放大倍数的不稳定。
对 $V_{BE}$ 的影响：温度升高时， $V_{BE}$ 会减小。这是因为温度升高，半导体的本征激发增强，在相同的电流下，所需的正向电压降低。在一些对偏置电压敏感的电路中，需要对温度引起的 $V_{BE}$ 变化进行补偿。

1.3.6光电三极管

工作原理：光电三极管的基极 - 集电极结相当于一个光电二极管。当光照在这个结上时，光子能量被吸收，产生电子 - 空穴对，形成光电流。这个光电流相当于基极电流，在晶体管的放大作用下，集电极电流会随着光电流的变化而放大。例如，在光线强度增加时，光生基极电流增大，集电极电流会以 $\beta$ 倍放大，从而实现光信号到电信号的转换和放大。
应用场景：光电三极管在光控电路中应用广泛，如自动照明控制系统、光通信的接收端等。在自动照明控制系统中，当环境光线暗到一定程度时，光电三极管接收到的光强减弱，其集电极电流减小，通过后续电路可以触发照明设备开启。

1.4场效应管

1.4.1结型场效应管

结构与工作原理：
- 结型场效应管（JFET）有N沟道和P沟道两种类型。以N沟道JFET为例，它是在一块N型半导体材料的两侧制作了两个高掺杂的P型区域，这两个P型区域称为栅极（G），中间的N型区域分别引出源极（S）和漏极（D）。当在栅极和源极之间加反向电压时，会在栅极附近形成一个耗尽层。随着反向电压的增大，耗尽层变厚，沟道变窄，从而控制从源极到漏极的电流大小。
特性曲线与参数：
- 其输出特性曲线是在栅 - 源电压 $V_{GS}$ 为常数时，漏极电流 $I_D$ 与漏 - 源电压 $V_{DS}$ 之间的关系曲线。可以分为可变电阻区、恒流区和击穿区。在恒流区， $I_D$ 主要由 $V_{GS}$ 决定，类似于晶体管的放大区。其主要参数包括夹断电压 $V_{P}$ （当 $V_{GS}=V_{P}$ 时，沟道被夹断， $I_D$ 近似为零）、饱和漏极电流 $I_{DSS}$ （当 $V_{GS}=0$ 时的漏极电流）等。

1.4.2绝缘栅型场效应管

结构与工作原理：
- 绝缘栅型场效应管（MOSFET）也有N沟道和P沟道之分。以N沟道增强型MOSFET为例，它是在一块P型半导体衬底上制作了两个N型区域作为源极和漏极，在衬底表面有一层绝缘的二氧化硅层，在二氧化硅层上制作金属电极作为栅极。当在栅极和源极之间加正向电压时，会在衬底表面形成一个反型层（N型导电沟道），从而使源极和漏极之间导通。
特性曲线与参数：
- 输出特性曲线同样分为几个区域。其主要参数有开启电压 $V_{TN}$ （对于N沟道增强型，使沟道形成的最小栅 - 源电压）、跨导 $g_m$ （反映栅 - 源电压对漏极电流的控制能力， $g_m=\Delta I_D / \Delta V_{GS}$ ）等。与JFET相比，MOSFET的输入电阻更高，因为其栅极和沟道之间是绝缘的。

1.4.3场效应管的主要参数

直流参数：包括夹断电压 $V_{P}$ （JFET）、开启电压 $V_{TN}$ 或 $V_{TP}$ （MOSFET）、饱和漏极电流 $I_{DSS}$ 等，这些参数用于描述场效应管在直流工作状态下的特性，比如在设计直流偏置电路时需要考虑这些参数来确定场效应管的工作点。
交流参数：主要是跨导 $g_m$ ，它表示栅 - 源电压对漏极电流的控制作用在交流小信号情况下的灵敏度。在设计场效应管放大器等交流放大电路时，跨导是一个重要的参数，它决定了电路的电压放大倍数等性能指标。
极限参数：如最大漏 - 源电压 $V_{(BR)DS}$ 、最大栅 - 源电压 $V_{(BR)GS}$ 和最大耗散功率 $P_{DM}$ 。这些参数限制了场效应管的工作范围，超过这些极限可能会导致场效应管损坏。

1.4.4场效应管与晶体管的比较

控制方式：晶体管是电流控制型器件，通过基极电流控制集电极电流；场效应管是电压控制型器件，通过栅 - 源电压控制漏极电流。
输入电阻：场效应管的输入电阻很高，MOSFET的输入电阻可达 $10^{12}\Omega$ 以上，因为其栅极和沟道之间是绝缘的；而晶体管的输入电阻相对较低。
噪声特性：场效应管的噪声系数一般比晶体管小，在对噪声要求较高的电路（如音频前置放大电路）中更具优势。
温度特性：场效应管的温度稳定性比晶体管好，例如场效应管的参数受温度变化的影响相对较小。
制造工艺和集成度：场效应管制造工艺相对简单，便于集成，在大规模集成电路中应用广泛；晶体管在一些需要高电流放大倍数等特定性能的电路中仍有重要地位。

1.5集成电路中的元件

1.5.1集成双极型管

在集成电路中，集成双极型管的结构与分立元件的晶体管有所不同。它通常是在同一芯片上通过扩散等工艺制作而成。其特点是尺寸小、性能一致性好，并且可以通过特殊的电路设计来实现一些特殊的功能，如在模拟集成电路中的差分对管，利用两个性能匹配良好的双极型管来实现差分放大功能。

1.5.2集成单极型管

主要是指集成的场效应管，在集成电路中，它同样有尺寸小、便于集成的优点。例如，在CMOS（互补金属 - 氧化物 - 半导体）集成电路中，N沟道和P沟道的MOSFET互补使用，可以实现低功耗、高集成度的电路设计。

1.5.3集成电路中的无源元件

电阻：集成电路中的电阻通常是通过半导体的体电阻或扩散电阻来实现。其阻值范围有一定限制，并且精度相对分立电阻较低。但由于是在芯片内部集成，与其他元件的匹配性较好，适用于对精度要求不是极高的电路。
电容：主要有MOS电容和PN结电容。MOS电容是利用MOS结构的电容特性制作的，PN结电容则是利用PN结的势垒电容。集成电路中的电容容量一般较小，在需要大容量电容时，通常需要外接电容。
电感：在集成电路中实现电感比较困难，因为电感需要占用较大的芯片面积，所以在集成电路中电感的应用相对较少。当需要电感功能时，一般通过外接电感或采用特殊的电路结构来模拟电感的功能。

1.5.4集成电路中元件的特点

小型化和高集成度：集成电路中的元件尺寸小，可以在很小的芯片面积上集成大量的元件，实现复杂的电路功能。
性能一致性好：由于是在同一工艺过程中制作，元件之间的性能差异较小，有利于提高电路的性能和可靠性。
参数范围有限：与分立元件相比，集成电路中的元件参数（如电阻阻值、电容容量）范围相对较窄，在设计电路时需要考虑这一特点。

1.6 Multisim应用举例

1.6.1半导体器件特性曲线测试方法的研究

（一）测试环境搭建

Multisim软件介绍：Multisim是一款功能强大的电子电路仿真软件，它提供了直观的图形化界面，方便用户进行电路设计和仿真。在这个软件中，有丰富的电子元件库，包括各种半导体器件、电阻、电容、电感等，并且还配备了多种虚拟仪器，如示波器、万用表、信号发生器等，这些工具可以帮助我们有效地测试半导体器件的特性曲线。
电路搭建基本步骤：首先，打开Multisim软件，在元件库中找到要测试的半导体器件。例如，若要测试晶体管的特性曲线，就从晶体管库中选择合适的晶体管型号。将所选器件放置在工作区后，开始连接电源、测量仪器等其他元件。一般需要连接一个可变电源来提供不同的电压或电流输入，再连接电流表和电压表用于测量流经器件的电流和器件两端的电压。

（二）特性曲线测试方法

直流特性曲线测试
- 输入特性曲线测试（以晶体管为例）：在电路中，将晶体管的集 - 射极电压 $V_{CE}$ 保持在一个固定值，通过可变电源改变基 - 射极电压 $V_{BE}$ ，同时用电流表测量基极电流 $I_B$ 。在Multisim中，可以设置电源电压的变化范围和步长，软件会自动记录每个 $V_{BE}$ 对应的 $I_B$ 值。将这些数据记录下来后，以 $V_{BE}$ 为横轴， $I_B$ 为纵轴，就可以绘制出晶体管的输入特性曲线。
- 输出特性曲线测试（以晶体管为例）：固定基极电流 $I_B$ 为不同的值，通过可变电源改变集 - 射极电压 $V_{CE}$ ，同时用电流表测量集电极电流 $I_C$ 。同样，在Multisim中设置好电源电压的变化范围和步长，记录不同 $V_{CE}$ 下的 $I_C$ 值。以 $V_{CE}$ 为横轴， $I_C$ 为纵轴，绘制出不同 $I_B$ 对应的输出特性曲线。
交流特性曲线测试
- 小信号特性测试（以晶体管为例）：在晶体管的偏置电路基础上，加入一个小信号交流源。这个交流源的频率和幅值要根据具体的测试需求来设置。例如，对于音频频段的测试，可以设置频率在20Hz - 20kHz之间。通过示波器观察输入小信号和输出信号的波形变化，测量输入信号和输出信号的幅值和相位差，从而得到晶体管在交流小信号下的放大倍数、输入电阻和输出电阻等参数随频率的变化曲线。

（三）测试结果分析与应用

结果分析方法：对于测试得到的特性曲线，需要进行分析。比如，在分析晶体管的输入特性曲线时，如果发现曲线斜率发生变化，可能意味着晶体管的工作状态发生了改变，或者晶体管本身的性能存在问题。对于输出特性曲线，观察曲线的平坦程度可以判断晶体管是否处于放大区，以及放大倍数的稳定性。在交流特性曲线中，观察放大倍数随频率的变化情况，可以确定晶体管的带宽等性能指标。
在电路设计中的应用：通过对半导体器件特性曲线的研究，我们可以在实际电路设计中更好地选择和使用这些器件。例如，在设计一个放大器电路时，根据晶体管的电流放大倍数 $\beta$ 随电流 $I_C$ 的变化曲线，选择合适的工作点，以确保放大器有稳定的放大倍数。同时，根据器件的频率特性曲线，设计合适的补偿电路，以满足电路对带宽的要求。

1.6.2半导体二极管特性的研究

（一）正向特性研究

实验设置：在Multisim中搭建一个简单的电路，将二极管与一个可变电源串联，再并联一个电压表。将电源电压从0V开始缓慢增加，同时观察电压表和电流表的读数。
现象观察与分析
- 死区电压：可以发现，当电源电压较低时，二极管中几乎没有电流通过，这个区域对应的电压就是死区电压。对于硅二极管，死区电压约为0.5V，锗二极管约为0.1V。这是因为在死区内，外加电场还不足以克服二极管内部PN结的内电场，多数载流子还不能顺利地通过PN结。
- 正向导通特性：当电压超过死区电压后，二极管的电流随着电压的增加而迅速增大。硅二极管正向导通后的压降约为0.6 - 0.8V，锗二极管约为0.2 - 0.3V。在这个阶段，二极管的电阻变得很小，呈现出低阻导通状态。这是因为外加电场削弱了PN结的内电场，使得多数载流子能够大量地通过PN结，形成较大的正向电流。

（二）反向特性研究

实验设置：将二极管反向连接到电源上，即二极管的正极连接电源负极，负极连接电源正极。在电路中串联电流表，并联电压表，改变电源电压并观察读数。
现象观察与分析
- 反向饱和电流：在反向电压较低时，二极管中会有一个很小的反向电流，这个电流在一定范围内几乎不随反向电压的变化而变化，称为反向饱和电流。硅二极管的反向饱和电流一般在纳安（nA）级别，锗二极管的反向饱和电流稍大，在微安（μA）级别。这是因为在反向电压下，少数载流子在电场作用下形成反向电流，而少数载流子的数量相对稳定，所以反向电流也比较稳定。
- 反向击穿特性：当反向电压增大到一定程度时，会发现反向电流急剧增大，这就是二极管的反向击穿现象。反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是由于反向电场很强，少数载流子在运动过程中获得足够的能量，与晶格原子碰撞产生新的载流子，这些载流子又会碰撞产生更多的载流子，像雪崩一样，导致反向电流急剧增加。齐纳击穿则是在高掺杂的情况下，PN结的耗尽层很窄，电场强度很高，直接将共价键中的电子拉出来形成大量载流子，使反向电流迅速增大。不同二极管的反向击穿电压不同，这是一个重要的参数，在实际应用中，要避免二极管工作在反向击穿状态，以免损坏二极管。

（三）温度对二极管特性的影响研究

实验设置：在Multisim中可以通过设置环境温度参数来研究温度对二极管特性的影响。分别在不同温度下，重复上述正向和反向特性的测试过程。
现象观察与分析
- 正向特性影响：温度升高时，二极管的正向压降会减小。这是因为温度升高，半导体的本征激发增强，在相同的电流下，所需的正向电压降低。例如，对于硅二极管，温度每升高1℃，正向压降大约降低2 - 2.5mV。
- 反向特性影响：温度升高会使二极管的反向饱和电流增大。这是因为温度升高，本征激发产生的少数载流子增多，导致反向电流增大。而且，反向击穿电压也会随着温度的升高而降低，这在设计高温环境下的电路时需要特别注意，要考虑到二极管可能更容易发生反向击穿的情况。