2.数据手册解读——贴片电容（MLCC）

qq_41169114

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分类专栏：数据手册解读文章标签： matlab 开发语言

于 2024-12-12 22:14:13 首次发布

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简介：我们常说的贴片电容（SMD Capacitor）又叫“片式固定电容器”（Chip Fixed Capacitor），是一种广泛应用于电子产品中的无源元件。贴片电容具有小型化、高精度、高可靠性和优良电气性能的特点，适用于表面贴装技术（SMT）。按制造工艺与材料的不同，可分为陶瓷贴片电容（Multilayer Ceramic Chip Capacitor，MLCC）、钽电容（Tantalum Capacitor）、铝电解贴片电容（Aluminum Electrolytic Capacitor）等。其中，MLCC 是使用最广泛的一类。本文重点解读MLCC的参数特性。

0 贴片电容的封装尺寸

同贴片电阻的封装相同，不在赘述

1 贴片电容应用范围

在数据手册的开头会有一端文字介绍改电容的应用场合，比如我看的这个电容主要应用在嵌入式设备中。

2 贴片电容结构

该电容器由一个陶瓷介质矩形块组成，内部包含多层交错的金属电极。这种结构使单位体积内的电容量较高。内部电极连接到两端的端接处，并最终覆盖一层镀锡（NiSn）。端接部分无铅。其结构的剖面如所示。

3 贴片电容选型表

这张表介绍了该系列的电容的容值、封装和耐压值，一般公司官网上会单独给出一个pdf涵盖所有的电容型号以便选型。值得注意的是表格开头有一个”X7R”的标识，同电阻一样这也是电容的国际标准，这部分后面讲。

4 贴片电容的电气特性

这部分一开始给出了电容电气参数的测试条件.

除非另有规定，所有测试和测量应在 IEC 60068-1 第 5.3 条中规定的标准大气条件下进行：

温度：15 °C 至 35 °C
相对湿度：25% 至 75%
气压：86 kPa 至 106 kPa

在进行测量之前，电容器应在测量温度下存放足够的时间，以使整个电容器达到该温度。测试结束时规定的恢复时间通常足以满足这一要求。

以下是该系列电容的一些电气参数

4.1 容值范围

容值范围指的是该系列的电容分布情况，即该系列的电容有哪些可选的值。

4.2 容值误差

电容的容值误差是指实际电容值与标称电容值之间的允许偏差范围，用来衡量电容器制造精度的一个指标。通常以百分比表示，例如±5%、±10%等。

容值误差的含义

标称电容值：电容器上标示的额定值，表示设计时期望的电容值。

实际电容值：电容器在测量时的实际电容值。

容值误差：实际电容值与标称电容值的差异范围，计算公式如下：

4.3 *耗散因子

耗散因子是衡量电容器电性能的重要参数之一，表示电容器中储能与损耗的比值，通常用百分比或小数表示。

物理意义

耗散因子反映了电容器在工作时因内耗而损失的能量与其储存的能量的比值。较低的耗散因子表示电容器能量损失较小，效率较高。

4.3.1 电容的实际模型

在普通电路设计中，通常只需要关注电容的容值、精度、耐压值、封装、工作温度、温漂等参数。但是，在高速电路或者电源系统中，以及一些对电容要求很高的时钟电路中，需要考虑电容的各种寄生参数。此时的电容是由一个等效串联电阻ESR、等效串联电感ESL组成的电路。

注：实际上还有一个等效并联电阻Rleak，对耗散因子的计算影响不大

电容的等效模型如下图所示

4.3.2 ERS

ESR为电容的等效串联电阻，这个寄生参数并非是一成不变的，而是随着频率变化。如下图所示，点线为ESR随频率的变化曲线。对于电容的等效串联电感ESL一般数据手册没有给出，但是给出了电容的阻抗特性曲线。

4.3.3 电容的阻抗

电容的阻抗（Impedance）是电容在电路中对电流产生阻碍的总效果，包括电抗和寄生参数的影响。阻抗是一个复数，用 Z表示，其大小和相位由电容的频率特性决定。

实际电容器的阻抗不仅由容抗决定，还受到 等效串联电阻（ESR）和 等效串联电感（ESL）的影响，其等效阻抗可以表示为：

$Z = R + j\omega L + \frac{1}{{j\omega C}}$

如下图所示，实线为电容阻抗Z随频率的变化曲线。

4.3.4 串联谐振

从上图可以看到在3MHz的时候ESR和阻抗Z相等，这是因为在该点发生的串联写成。感性的认识就是在该频率下能量在电容和电感中来回倒，电容和电感对该频率的阻抗抵消。

简单做一下定量分析：

电容的总阻抗为

$Z = R + j\omega L + \frac{1}{{j\omega C}}$

将上式化简得到

$Z = R + j(\omega L - \frac{1}{{\omega C}})$

频率对阻抗的影响：

在某一特定频率下（谐振频率）：感抗与容抗相等且方向相反，相互抵消，阻抗达到最小值，由 ESR 主导。

4.3.5 D参数

D 参数、DF（Dissipation Factor）、损耗因子和 tanδ 是用来衡量电容器损耗的重要指标，这些参数都是一个意思

无功功率 是电容、电感周期性吸收和释放的能量。

有功功率 指等效串联电阻（ESR）消耗的能量

注：类似的，电感有一个品质因数Q,和损耗因子是倒数的关系，这个等讲将电感的时候再说

损耗因数的公式如下：

δ 是损耗角，表示实际电容的电流与理想电容的电流之间的相位差。tanδ（损耗角正切），是损耗角 δ的正切值，本质上等于 D 参数。表达的意义都是一样的，有机会再补充这一点。

显然：

D 参数或 tanδ 越小：

电容器的损耗越低，性能越接近理想电容。
特别适用于滤波、储能等要求低损耗的场景。

D 参数或 tanδ 越大：

电容器的损耗越高，表现为更多的能量被转换为热能而不是有效的储能或传输。
在高频电路中，大的 tanδ 会导致较大的发热和效率降低。

4.4 温度系数

在国巨的数据手册给出了温度系数的计算公式，在下图可以看到温度系数有两个计算公式，分别对应着class1、class2。

多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。Class 1是温度补偿型，Class 2是温度稳定型和普通应用的。

Ⅰ类陶瓷的温度容量特性（TCC）非常小，被认为是“超稳定”的电容器，单位往往在ppm/℃，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。美国电子工业协会（EIA）标准采用“字母+数字+字母” 这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。比如常见的C0G。

Class II 的代表型号为X7R和X5R，这两种电容看起来相似，但是Il类的温度系数名称不同，主要是因为材料组完全不同。II类型的电容器是用钛酸钡制成的，这种材料的介电常数比一类材料高得多，大约是一类材料的1000到10000倍。这么大的电容是有代价的，它在温度上不稳定。

上面提到C0G、X7R和X5R，这些标识是电容的标准。他们的含义如下：

I类型电容标准

II类型电容标准

4.5 工作温度

通过下图可以看到无论是高温还是低温，电容的容量都会减小（下图是II类型电容的温度曲线）

4.6 直流偏置电压

电容的标称容值符合我们的实际需求，随着电压的升高容值也会下降。下图为村田的MLCC。标称0.1uf/50V的电容，虽然额定电压为50V,但是在DC50V下的容值大约只有0.05uf。

4.7 交流特性

电容的特性是隔直通交。随着交流电压均方根值的增大，电容的容值成升高趋势。

电容在工作时，无论是直流、交流、脉冲，其最大值均不能超过电容的额定电压，否则电容有击穿的风险。

4.8 老化曲线

随着时间的推移，电容的容值会减小，从下图中可以看到，I类型的电容器（C0G）还是比较稳定的。

注：X轴的时间表示电容工作的时间