qq_41169114的博客

原创 8、电解电容—数据手册解读

在电路设计中，电解电容广泛应用于电源滤波、能量存储等场景。然而，面对数据手册中繁杂的参数，很多工程师可能会感到困惑。本文以电解电容为例，将系统解析电解电容的关键参数。电解电容的寿命通常指 在额定温度、额定电压和额定纹波电流下，电容参数（容值、ESR）劣化至失效标准的时间。从下图可知，在不同的工况下电容的寿命不一样。Vishay的数据手册给的算是比较详细的了，不同工作环境中的寿命都有给出。想其他的一些数据手册仅仅给出2000小时换算成天数也就83天，83天就失效显然不符合常规。

原创 6、运算放大器—共模抑制比（七）

运算放大器（运放）的共模抑制比（Common-Mode Rejection Ratio, CMRR）是衡量其抑制共模信号能力的关键参数，直接影响差分放大电路的精度和抗干扰性能。理想运放：共模增益 Acm=0，CMRR为无穷大（实际运放不可能达到）。实际运放：CMRR通常在80dB~120dB（例如OP07的CMRR约为110dB）。 在运算放大器（运放）的应用中，共模抑制比（CMRR） 是一个关键参数，但它的重要性取决于电路的工作方式。很多人误以为CMRR在所有运放电路中都至关重要，但实际上，

原创 6.运算放大器—增益带宽积（六）

简单来说运放的带宽就是用来衡量一个放大器能处理的信号的频率范围，带宽越高，能处理的信号频率越高，高频特性就越好，否则信号就容易失真，不过这是针对小信号来说的，在大信号时一般用压摆率（或者叫转换速率）来衡量。也可以理解为，超过频率f之后运放的放大倍数已经低于我们需要的增益，这也导致超过此频率闭环系统的放大倍数也会被拉低。从上式可以知，在交点X处，实际输出的幅值与理想输出相比下降了-3dB，也就是0.707倍。其中，蓝线为开环放大倍数曲线，红线为实际的方法倍数曲线，黄线为理想的放大倍数曲线。

原创 6.运算放大器—电源抑制比（五）

PSRR表示运放对电源电压变化的抑制能力，定义为：或者PSRR值越高，运放对电源噪声的抑制能力越强。但是鄙人按照上述方法读数据手册的时候发现不太对。下图为TLV系列运放的数据手册。单位是uV/V，貌似PSRR的值越小越好。再看精密运放MAX44248ASA的数据手册，单位是dB。由此看值越大越好。那么运放datasheet中的PSRR是如何定义的。本本在此做出解释如下：当电源电压发生变化时会影响运放的失调电压参数变化。失调电压增大那么输出误差必然增大。失调电压失调电流在之前的文章讲过。

原创 6.运算放大器—闭环控制框图分析（四）

我们常见的运放电路大多是在闭环状态。那么就必然遵循闭环控制系统的基本原理。闭环控制系统的核心是通过反馈来调节系统的输出，使其更接近期望值。本文从闭环控制系统的角度，画出同相、反相差分电路的经典控制框图。有了控制框图就可以利用经典控制理论分析电路，如零极点分析、相位裕度、赋值裕度等。比如运放的反相输入端和输出端接电容为什么会引发系统震荡？究竟影响了那一部分参数？对于一个运放电路如何分析电路各元件的作用？对电路的作用是什么？又比如以下问题，电阻R1、R2决定了电阻放大电路的增益。

原创 6.运算放大器—数据手册解读（三）

这些器件的工作电压高达 16V， 并提供真正的轨到轨输入/输出、 低失调电压、失调电压漂移以及 11MHz 带宽和高输出驱动。当处于关断状态时，放大器输出进入高阻抗状态，因此将多个通道输出连接在一起时，没有总线争用的风险。此外，输出与输入是隔离的， 因此无须担心每个通道输入处的阻抗与输出处的阻抗相互耦合。此外， 这种拓扑结构使用放大器而不是 MOSFET 开关， 因此消除了多路复用器的其他常见问题， 例如电荷注入或 RON 效应引起的信号误差。注：TI只给出了采样电阻的阻值，这里还需要考虑一个点——功率。

原创 6.运算放大器—数据手册解读(二)

绝对值参数、ESD、温度特性和引脚定义这些都很简单这里不再赘述了。这里是总览期间的功能，参数特性那里已经描述过了。与其他运放一样，总共分第三部分。输入级、中间级以及输出级三部分。输入级由差模和共模抑制电路构成，主要功效为对输入信号进行差分放大，以降低干扰并提升。中间级是集成运放电路的核心部件，由多级直接耦合的放大器组成，主要作用是进行放大及。输出级由、级联放大器和负载组成，主要作用是将电压信号转换为信号并对外输出。

原创 7.门极驱动器DRV8353M设计（三）

很多朋友选择直接照抄官方给出的原理图，认为官方给出的是最优值。TI不对该设计授权，也不保证原理图的完整性。PCB layout注意事项（比如特殊走线、焊盘设计等）、热设计（这里主要考虑的是结温）。这些在硬件电路绘制的时候讲解。DRV8353的SPI通信协议的编写、寄存器的配置、以及诊断保护机制处理。这些特性参数在编程的时候进行讲解。本篇博客作为一个过渡性章节，下一步开始着手DRV8353M的外围电路设计。TI给出一些基本计算选型在设计中还是有一定帮助的。这个章节是给出的参考设计规范，如下图所示。

原创 7.门极驱动器DRV8353M设计（二）

在任何时候 VM 引脚上的输入电源电压降至低于 VVM_UV 阈值或 VDRAIN 引脚上的电压降至低于 VVDR_UV，则会禁用所有外部MOSFET，禁用电荷泵，并且nFAULT引脚输出低电平报故障。在任何时候 VCP 引脚（电荷泵）上的电压降至低于 VVCP_UV 阈值或 VGLS 引脚上的电压降至低于 VVGLS_UV 阈值，则会禁用所有外部 MOSFET，并且nFAULT引脚输出低电平报故障。检测到栅极驱动故障后，会禁用所有外部MOSFET，并且会将nFAULT引脚驱动为低电平。

原创 7.门极驱动器DRV8353M设计（一）

这个系列将全面解析DRV8353的功能、配置以及软硬件设计。最后打算设计出原理图和PCB以及FOC程序编写。

原创 6.运算放大器—数据手册解读(一)

运算放大器数据手册参数解析

原创 5.数据手册解读——共模电感

共模电感(Common mode Choke)，也叫共模扼流圈，是在一个闭合磁环上对称绕制方向相反、匝数相同的线圈。理想的共模扼流圈对L（或N）与E之间的共模干扰具有抑制作用，而对L与N之间存在的差模干扰无电感抑制作用。但实际线圈绕制的不完全对称会导致差模漏电感的产生。

原创 电容充放电时间公式推导

由于电容两端的电压不能突变，当向电容两端施加电压的时候，电容的电压会会缓慢上升，同时充电电流也会下降。本文就电容的充电过程推导一下电容的充电电流i(t),充电时间v(t)以及充电时间。本文主要以公式推导为主，描述性的段落较少。电容充电电压随时间变化的曲线电容充电电流随时间变化的曲线电容充电的简化电路如下所示，充电电压为定值,限流电阻为R，C为充电电流。电容两端的电压为。电容充电的简化电路。

原创 mosfet的驱动设计-栅极电阻

虽然贴片电阻短时间内可以扛得住大电流，但是条件允许的话要考虑峰值电流，下面讲的电流限流与本节所讲是相辅相成的。如果栅极电阻过小，在启动时的值电流会很大，有可能会击穿栅极驱动器。考虑寄生电阻因素的栅极驱动回路下图所示，显然这一个RLC串联电路，如果把该电路的传递函数写出来（下周会补上的），就会发现是该电路是一个二阶系统，这就是本节的标题的来源。在查阅的所有资料中几乎都有这一点，由于PCB走线、MOSFET内部的寄生电感等因素的影响，会产生振铃效应。由于寄生电感不光是MOSFET的引起的，所以这个值无法得知。

原创 mosfet的驱动设计-开关损耗

mos管的损耗主要有开关损耗和导通损耗两部分，开关损耗包括mos管开通是消耗的能量和在mos在线性区产生的损耗。导通损耗是由mos的导通电阻电阻消耗的能量。mos的实际模型我们先来感性的认识一下开关损耗。由于mos寄生电容的存在，mos管的开通需要一定的时间，这段时间即为给寄生电容充电的时间。在充电的过程中因为米勒电容的存在，在t2-t4时间段VGS会保持不变，这段区域称为米勒平台。t0-t5为整个充电过程，电容充电必然会消耗能量。

原创 4.数据手册解读——MOSFET

数据手册开篇给出了核心参数，用于快速了解该器件的性能边界和应用限制。VDSS=100V这是MOSFET的最大漏-源电压（Drain-SourceVoltage），也称为击穿电压。当漏极和源极之间的电压超过100V时，MOSFET将可能失效或击穿。RDS(on)=44mΩ这是MOSFET在开启状态时漏极到源极的导通电阻（On-Resistance），单位是毫欧（mΩ）。

原创 3.数据手册解读——普通二极管

二极管的基本参数1. 反向电压（reverse voltage） VR2 重复性峰值反向电压（Repetitive peak reverse voltage）VRRM3 反向电流（reverse current） IR4 正向电压/压降（forward voltage）VF5 正向电流 (forward current IF)6 非重复正向峰值浪涌电流/浪涌电流(non-repetitive peak forward current) IFSM7 repetitive peak fo

原创 运算放大器失调电流和平衡电阻的计算

运算放大器是一种高增益的差分输入放大器，通常在闭环（负反馈）模式下工作。最早，它被用在信号处理领域，比如加法、减法、积分和微分等运算功能，因此被称为“运算放大器”，简称“运放”。由于其性能优异，运放在现代电子电路中有着非常广泛的应用。在设计运放电路时，我们常常会在输入端加入一种叫做“平衡电阻”的元件。运放电路中是否需要添加平衡电阻？平衡电阻的主要作用是什么？平衡电阻的具体阻值该如何选择？带着这些问题，我们接下来逐一分析平衡电阻的用途和设计中的注意事项。

原创 去耦电容的容值计算

去耦（decoupling）电容也称退耦电容，一般都安置在元件附近的电源处，用来滤除高频噪声，使电压稳定干净，保证元件的正常工作。先来简单说一下去耦电容作用，去耦电容中的“耦合”就是相互影响的意思。耦合电容的意义在于减少电源对负载的影响，同时也降低负载对电源的影响。去耦，就是减少耦合，减少互相影响。与之对应的还有一个词叫耦合电容。这个我们以后再讲。这次我们主要讲一下耦合电容的取值。

原创 2.数据手册解读——贴片电容（MLCC）

II类型的电容器是用钛酸钡制成的，这种材料的介电常数比一类材料高得多，大约是一类材料的1000到10000倍。Ⅰ类陶瓷的温度容量特性（TCC）非常小，被认为是“超稳定”的电容器，单位往往在ppm/℃，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。感性的认识就是在该频率下能量在电容和电感中来回倒，电容和电感对该频率的阻抗抵消。电容的阻抗（Impedance）是电容在电路中对电流产生阻碍的总效果，包括电抗和寄生参数的影响。电容在工作时，无论是直流、交流、脉冲，其最大值均不能超过电容的额定电压，否则电容有击穿的风险。

原创 1.数据手册解读——贴片电阻

封装有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。也就是在电阻上施加的电压不能找过这个值，否则会击穿电阻，这个参数表示允许电阻在短时间内承受高于最大工作电压的电压，但是不能持续工作，否则电阻会被烧坏。值得注意的是图中出现了一个Jumper

原创 STM32 串口 printf

【代码】STM32 串口 printf。

原创 手撕Boost！Boost公式推导及实验验证

当然，也不是说铝电解电容不能用，因为我举的例子负载电流达到了1.667A的，这个算是比较大的，如果负载电流减小到三分之一，输出纹波（包括毛刺振荡）噪声也降低了，如下图，降低到了110mV左右，纹波要求不严格的话也可以用了。整个电路稳定之后，因为负载电流恒定，那么一个周期时间之内，在开关导通时电感电流增加的量，要等于开关截止时，电感电流减小的量，即电感充了多少电就要放多少电，不然负载的电流或者电压就要发生变化。显然，放电的时候更好计算，因为放电电流就是负载电流，是恒定的，为Io=Vo/RL。

原创 手撕Buck Buck公式推导过程

并且在Ton时间内，电感电流走的是MOS管通路，因此，Mos管电流最大也是IL+△IL/2。，电感原本从二极管续流，变成了从MOS管续流，因为之前电感一直在放电，所以切换时电感电流最小，等于IL-△IL/2，在整个Ton时间段内，电感是被充电的，所以电感电流一直在增大，直到达到峰值电流IL+△IL/2。整个电路稳定之后，因为负载电流恒定，那么一个周期时间之内，在开关导通时电感电流增加的量，要等于开关截止时，电感电流减小的量，即电感充了多少电就要放多少电，不然负载的电流或者电压就要发生变化。

原创 Proteus添加库中没有的元器件（以STM32F103VET6为例）

Proteus添加库中没有的元器件（以STM32F103VET6为例） - 知乎

原创 Linux i2c和spi（十二）

构建i2c_driver构建i2c_msg发送数据之前要先构建好i2c_msg发送数据读取寄存器数据最后用client->adaptermsg2函数发送。

原创 Linux 中断（十一）

下半部：如果中断处理过程比较耗时，那么就将这些比较耗时的代码提出来，交给下半部去执行，这样中断处理函数就会快进快出。，那些处理过程比较快，不会占用很长时间的处理就可以放在上半部完成。3、 free_irq 函数。：中断标志，//在文件。：要申请中断的中断号。里面查看所有的中断标志。5、设备树中断信息节点。

原创 Linux MISC 驱动实验（十）

设备驱动最终是需要使用用户提供的。就是字符设备的操作集合，函数向系统中注册一个。

原创 Linux 并发与竞争（九）

3.使用的时候判断原子变量的值。1.定义一个原子变量。

原创 linux - timer定时器（八）

* 将设备结构体作为参数 */（传递给回调函数function的参数）function 就是定时器超时以后的定时处理函数，我们要做的工作就放到这个函数里面，需要我们编写这个定时处理函数。器，那么这个定时器的超时时间就是 jiffies+(2*HZ)，因此 expires=jiffies+(2*HZ)del_timer_sync 函数是 del_timer 函数的同步版，会等待其他处理器使用完定时器再删除，内核定时器并不是周期性运行的，Linux 内核使用 timer_list 结构体表示内核定时器。

原创 Linux MISC 驱动（七）

注册设备用 misc_register。MISC 设备 misc_deregister。其他和设备树使用一样，就是省去了创建cdev。设备驱动最终是需要使用用户提供的。就是字符设备的操作集合，

原创 linux内核自带的LED驱动（六）

选择“LED Support for GPIO connected LEDs”，将其编译进 Linux 内核此选项上按下“Y”键，使此选项前面变为“”⑤可以设置“default-state”属性值，可以设置为 on、 off 或 keep，为 on 的时候 LED 灯默。认打开，为 off 的话 LED 灯默认关闭，为 keep 的话 LED 灯保持当前模式。heartbeat： LED 灯作为心跳指示灯，可以作为系统运行提示灯。timer： LED 灯周期性闪烁，由定时器驱动，闪烁频率可以修改。

原创 Platform-设备树（五）

【代码】Platform-设备树。

原创 linux GPIO（四）

打开 imx6ull-alientekemmc.dts，4.进入“/proc/device-tree”目录中，检查节点是否存在。在根节点“/”下创建 LED 灯节点，节点名为“gpioled”子节点下创建一个名为“pinctrl_led”的子节点，LED 灯使用了 GPIO1_IO03 这个 PIN。3.检查PIN是否被其他外设使用。1、添加 pinctrl 节点。2、添加 LED 设备节点。LED 灯驱动程序编写。

原创 linux设备树-LED（三）

1.打开 imx6ull-alientek-emmc.dts,在根节点下创建子节点。定义一个结构体、实现init初始化、write写函数、exit出口函数。2 make dtbs 编译设备树，发送到开发板。子节点reg存放的是是寄存器地址。

原创 QT 添加槽函数的方法

1.右键转到槽2.选择触发信号。

原创 C++基础知识（一）

在类里面定义了一个函数，但是没有给出具体定义。全局变量和局部变量定义成一样的。3.作用域分解运算符 函数定义。不同的类里面的成员名称可能相同。1.（类）作用域符号。4、命名空间作用域符号。二、C++中 ：：作用。

原创 Type C 母座引脚定义

原创 linux设备树（二）

i2c1 表示要访问 i2c1 这个 label 所对应的节点，也就是 imx6ull.dtsi 中的“i2c1:i2c@021a0000”make dtbs。从驱动函数中调用设备树值。

原创 linux设备树(一)

unit-address”一般表示设备的地址或寄存器首地址，如果某个节点没有地址或者寄存器的话“unit-address”可以不要。在驱动程序中，如果设备节点的 compatible 属性值和 OF 匹配表中的任何一个值相等，那么就表示设备可以使用这个驱动。“兼容性”属性，compatible 属性的值格式如下所示："manufacturer,model"。#address-cells 属性值决定了子节点 reg 属性中。#size-cells 属性值决定了子节点 reg 属性中。