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RSS订阅原创 DRAM PPR learning note -2
HBM设计中使用IEEE1500接口访问PPR功能，其中SOFT-REPAIR和HARD-REPAIR分别对应了之前的sPPR和hPPR。JESD-238A 中与之相关的insturction有HS_REP_CAP，SELF_REP和SELF_REP_RESULTS。HS_REP_CAP能够检测对应bank中redundancy的资源情况。
2024-08-07 16:36:39
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原创 DRAM PPR learning note
在芯片出厂前的工程阶段，工程测试人员得知缺陷行信息后，会先进行sPPR操作将其临时修复。如果在对应的sPPR操作后，原缺陷地址能够正常的访问读写，那么会再将此缺陷信息用hPPR的操作将其永久保存。修复之后，如需访问原先有缺陷的行，芯片内部的逻辑，会将其跳转至冗余的行进行操作。hPPR会将缺陷信息存储至FUSE的结构，这使得hPPR的信息将永久保存，不受重新上电和reset的影响。sPPR会将缺陷信息存储至寄存器的结构，这使得重新上电或者reset后，sPPR的信息将清除。
2024-08-06 15:23:50
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空空如也
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