开漏模式输出:输出寄存器上的 0 激活 N-MOS,而输出寄存器上的 1 将端口 置于高阻状态(P-MOS从不被激活)。
推挽模式输出:输出寄存器上的 0 激活 N-MOS,而输出寄存器上的 1 将激活 P-MOS。
上拉输入:输入高电平,然后接一个上拉电阻(保护作用),读取此时的引脚电平为高电平
下拉输入:指输入接低电平,然后接一个下拉电阻,读取此时的引脚电平为低电平
大端格式(Big-endian、大字节序、高字节序):数据的低位保存在内存的高地址中,数据的高位保存在内存的低地址中。
如16bit的数0x1234在Big-endian下保存,假设地址从0x4000开始存放
内存地址 | 0x4000 | 0x4001 |
存储内容 | 34 | 12 |
注:因为在存储器中,信息的存储单位是:字节(byte);1 bite=8 bit,2^4=16,所以一个存储单元可以保存两个16进制数。
小端格式(Little-endian、小字节序、低字节序):数据的高位保存在内存的高地址中,数据的低位保存在内存的低地址中。
如32bit的数0x12345678在Little-endian下保存,假设地址从0x4000开始存放
内存地址 | 0x4000 | 0x4001 | 0x4002 | 0x4003 |
存储内容 | 12 | 34 | 56 | 78 |