第二章 存储器层次结构

存储器的分类

按存储介质分类：半导体存储器，磁表面存储器，磁心存储器和光盘存储器

半导体存储器包括随机存储器和只读存储器

磁表面存储器包括磁盘和磁带

光盘存储器一般叫光盘

按存取方式分（重点）：随机存取存储器，只读存储器，串行访问存储器

随机存取存储器（RAM）：存取时间和存取位置没有关系。分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM），SRAM常被用做高速缓冲寄存器，DRAM常被用做主存。RAM的优点是读写方便，使用灵活，缺点是断电信息丢失。

只读存储器（ROM）：其中存储的内容只能随机的读取而不能写入，断电信息不会丢失，所以一般会将一些固定不变的程序存放在ROM中。ROM包括有掩膜型只读存储器（MROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）快擦除读写存储器（Flash Memory）

串行访问存储器：对存储单元进行读写时，依照物理位置顺序先后读写。如磁盘和磁带等等。

存储器的指标

存储容量 = 存储字长 * 存储单元数

存储周期：连续两次独立地访问存储器操作之间的最小时间间隔

存取时间：启动一次存储器操作到完成该操作所需要的时间，一般小于存储周期

存储器带宽：单位时间内存取信息量

速度：寄存器 > 缓存 > 主存 > 磁盘 > 光盘 > 磁带

存储器层次

CPU -> 缓存 -> 主存 -> 辅存

主存和缓存之间的数据交换对程序员透明，由硬件自动完成

主存和辅存之间的数据交换由硬件和操作系统共同完成

半导体随机存取存储器

分为线选法和重合法（了解）

SRAM使用六管静态MOS存储单元电路，触发器保存信息。SRAM的时序电路图了解即可

DRAM的原理是电容存储电荷，有电荷则是1，没有电荷则是0。由于电荷在电容上并不能长期存在，在2ms内会消失，所以要采用刷新技术来维持电荷的长期存在

对于SRAM和DRAM，其时序图不算考试重点（没怎么考过），但不排除考的可能性

读周期：对芯片两次连续读操作的最小时间间隔

读时间：存储器进行一次读操作的时间

读周期 > 读时间

写周期：对芯片两次连续写操作的最小时间间隔

写时间：存储器进行一次写操作的时间

写周期 > 写时间

DRAM刷新机制（重点）

刷新：将数据读出后，再原样写入。刷新是按行刷新，一行刷新的时间默认为一个存储周期。刷新必须在2ms内完成，即刷新周期为2ms。

（1）集中刷新

在刷新周期内，取一部分存储周期作为集中刷新的时间，这段时间是不能进行读写操作的，因此也称之为死时间，或者访存死区。

（2）分散刷新

将存储周期的定义改变，此时的存储周期：

存储周期 = 读/写周期 + 刷新一行的时间

也就是此时的存储周期是传统存储周期的两倍。此时死时间降低为0，但死时间客观上还是存在的。

（3）异步刷新

将存储周期每行的刷新时间均匀的分配在刷新周期里面。这样可以保证异步刷新的死时间为一个读/写周期（因为不连续，所以只算一块）。

刷新和再生：都是读后恢复；刷新可以理解为对整个存储体要刷新，再生只是对特定读写单元进行读后恢复

只读存储器（ROM）

首先，ROM和RAM都是随机存取方式，只不过只读存储器只能读，而不能写

内存	非易失性	可否写
Flash	是	是
SRAM	不是	是
DRAM	不是	是
ROM	是	不是
PROM	是	不是
EPROM	是	是
EEPROM	是	是

扩充存储器的三大方式（重点）

单个芯片的容量有限，需要将这些芯片按照一定的方式连接在一起，才能达到扩充存储器容量的要求

例题：要求实现一个 8K * 16 的芯片，需要多少 4K * 4 的芯片？

解： 8 * 16 / （4 * 4） = 8 片

（1）位扩充：增加存储字长

将两块 1K * 4 位的芯片组成一个1K * 8 位的芯片，即位扩充

画图略

（2）字扩充：增加存储单元个数

将两片 1K * 4 位的芯片组成一个 2K * 4 位的芯片，即字扩充

画图略。注意字扩充中，有片选信号的情况要注意

（3）字位扩充：既增加存储字长，又增加了存储单元的个数

将四片 1K * 4位 的芯片组成一个 2K * 8 位的芯片。即字位扩充

画图略。要注意逻辑上的先后顺序，是先位扩充成8位，再字扩充成2K

单体多字存储器：指令和数据在内存中连续存放，存储字长被拉长。好处是理论上字长增加，带宽得到了提升，但一般来说，并不一定指令和所需要的数据是连续存放在一起的，所以不太可能达到最大的带宽

多体并行存储器（重点）

采用多个模块组成存储器，这些模块有相同的容量和存取速度，并且有着独立的地址寄存器，数据寄存器，地址译码器和读写电路。可以简单理解为每个模块就是一个独立的存储器。

（1）高位交叉编址：一个体存满数据后，再往下一个体中存储数据，所以可以理解是顺序存储

特点：高位地址表示体号，低位地址表示体内地址

优点：便于存储器的扩充 ，往后面直接加就行了

缺点：每个模块都是一个一个的串行工作，带宽得不到太大的提升

（2）低位交叉编址：程序存放在相邻的存储体中，理解为交叉存储，连续的地址是分到相邻的存储体中，同一个模块的地址是不连续的

特点：高位地址表示体内地址，低位地址表示体号

优点：连续字的成块传送，可以实现多模块流水线并行存取，极大的提高了存储器的带宽性能

高速缓冲寄存器（Cache）

CPU和主存频繁的交换数据，将会严重的拖慢CPU的工作效率。所以提出在CPU和主存间加上一级高速缓冲寄存器，即Cache，将最近或者有很大可能要访问交换的数据放在Cache中，以减少CPU和主存大量的数据交换。

局部性原理：CPU对主存的访问时，经常只会频繁的访问局部地区的数据。所以将这些将会被频繁访问的数据放在Cache中，以方便CPU直接从Cache中存取数据。

常见的Cache一般是采用高速SRAM制作，价格高，容量也比较小，但速度比主存快。

Cache和主存间的数据交换采用块。Cache和主存的块大小保持一致。Cache的块数远小于主存块数。

Cache包括地址映射变换机构，替换机构等等。

Cache中存放的是内存的副本，也就是说Cache并不能增加主存的存储容量。

主存和Cache的地址格式（重点）

主存地址分为两部分：主存块地址和块内地址

主存块地址用来寻找具体是主存中的哪一块，块内地址用来定位块中具体的字或者字节

Cache地址分为两部分：块号和块内地址

块号用来确定具体是哪一块，块内地址用来定位块中具体的字或字节

命中率：当CPU访问的块并不在Cache中时，即发生了未命中的情况。命中率即CPU访问的块在Cache中的比例

平均访问时间：hT + (1 - h) * t，其中h为命中率，T为命中时访问Cache的时间，t为未命中时访问主存的时间

Cache-主存系统效率：e = 命中时间 / 平均访问时间

Cache的命中率只和Cache的容量、Cache的字块长度有关

Cache和主存的三种映射方式（重点）

地址映射变换机构是将CPU送来的主存地址转换成对应的Cache地址，Cache地址和主存地址的块内地址无论是三种映射方式的哪一种，块内地址都是相同的。所以地址映射变换机构主要实现的是主存块号和Cache块号的转换。

（1）直接映射方式：每一部分的Cache块号对应一个“轮回”的主存块号，对应的画图略。

其转换地址的数学公式为：i = j mod C

其中，i是Cache块号，j是主存块号，C是Cache的块数。

直接映射方式不需要替换算法，因为每一块的位置已经固定，当需要替换时，直接替换掉Cache中对应位置的块即可。

优点：实现简单

缺点：不灵活，可能在一个“轮回”中有空闲的情况，却不能往里面放数据；冲突概率高

（2）全相联映射方式

允许主存的每一个字块可以映射到Cache的任意块上。

优点：既然可以映射到任意块上，则Cache的命中率很高，并且冲突概率也很低

缺点：要增加标记位数，访问Cache时要对比全部的标记才能找到对应的块；并且在物理实现上复杂，难度高

（3）组相联映射

直接映射和全相联映射的折中方案。可以理解为组间直接映射，组内全相联映射，比如二路组相联映射，就是分成的每个组中都有两块数据，所以当组相联每组中只有一块时，即直接映射；只有一组时，即为全相联映射。

组相联映射的主存地址共有三部分：字块标记，组号和块内地址。

【2009年408真题】某计算机的Cache一共有16块，采用二路组相联映射方式。每个主存块大小32B，按照字节编址。主存129号单元所在的主存块应该被装入到的Cache组号是（）

A、0

B、2

C、4

D、6
补充：标记位

有效位：Cache中有无该块

脏位：写回法中需要用到

替换控制位：替换算法中需要用到

标记位：相当于主存地址中的标记字段

Cache替换算法

（1）先进先出算法【FIFO】

类似队列，没有考虑局部性原理，所以不能提高Cache的命中率。

（2）近期最少使用算法【LRU】

随时记录Cache中所有字块的使用情况，才能确定是否为近期最少使用的块。一般只记录每个块最近一次的使用时间。

（3）随机法

随机的确定要被替换的块，很明显这种方式也没有考虑局部性原理，也就不能提高Cache的命中率。

Cache写操作

所谓写操作，是因为Cache和主存的内容应该保持一致，而CPU对Cache的操作将会改变Cache中的数据，这就需要考虑Cache具体实现的不同写操作策略。

（1）写回法

命中：先写入Cache中，当被修改的Cache块换出的时候再修改主存中对应的数据块

未命中：先写进主存中去。需要换进Cache中时，根据相应的替换算法换出对应的数据块；不需要换进则结束

这种方式由于不需要频繁的访问主存，所以减少访存次数，提高了计算机的运行效率

上面的提到的标记位中，有一个脏位，其目的就是标记写回法中，某个Cache被换出时，根据脏位是0或者1判断是否被修改过了。

（2）全写法

命中：Cache和主存中的对应块内容都要同时修改

未命中：先写入主存中去。需要换入Cache中时，直接替换掉对应的数据块即可；不需要换进Cache中则结束

（3）写一次法

前面两种方式的结合，只要求第一次写命中时要写入主存，其他则和写回法一样，不必着急写入主存中。

外存储器（重点）

硬盘存储器可以简单理解为硬盘，其主要由磁记录介质、磁盘控制器和磁盘驱动器组成。

磁盘分类

（1）是否可换

可分为可换盘磁盘存储器和固定盘磁盘存储器

（2）磁头是否可动

可分为移动磁头磁盘存储器和固定磁头磁盘存储器

硬盘存储器的指标

（1）记录密度

a.道密度：磁盘沿半径方向单位长度的磁道数。相邻磁道的间距称为道距。

b.位密度：单位长度磁道所能记录的二进制信息的位数。

（2）存储容量

外存所能存储的最大二进制信息的容量

（3）平均寻址时间

平均寻址时间 = 平均寻道时间 + 平均等待时间

（4）数据传输速率

单位时间内磁表面存储器向计算机传输的信息位数/字节数

（5）误码率

出错数据量/ 传输数据量

（6）平均存取时间
平均存取时间 = 寻道时间 + 旋转延迟时间（磁盘旋转半圈的时间） + 传输时间

柱面号即为磁道号，磁头号即为盘面号

扇区是磁盘寻址的最小单位

定长记录格式的磁盘地址分为四个部分：台号 + 磁道号 + 盘面号 + 扇区号

磁盘阵列RAID

RAID即由多个小容量磁盘代替一个大容量磁盘。

RAID 0：将数据分块送到不同的磁盘存储，使用时再拼接成一份完整的数据

RAID 1：镜像备份，在两个硬盘上各自保留一份完整的数据