计算机组成原理——存储子系统_某计算机字长为32位,cpu主频为500mhz,磁盘共有16个盘面,512个柱面,每磁道包含100-CSDN博客

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本文介绍了计算机存储器的层次结构，包括主存（内存）、Cache和辅存（外存）的作用和特点。主存主要由DRAM构成，Cache使用SRAM提高速度。存储器按介质分类有半导体、磁表面和光盘存储器，按存取方式分为随机存取、顺序存取和直接存取。动态刷新是DRAM保持信息的关键，需要定期补充电荷。

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概述

主存（内存）：CPU 可直接编程访问，存放 CPU 当前执行所需要的指令和数据。其特点是：能随机访问、存取速率快、具有一定的存储容量（受地址位数制约）。

一般由动态随机存储器DRAM组成，少量用于保存固化程序和数据的只读存储器ROM。
辅存（外存）：存放大量的后备程序和数据。特点：速度较慢、容量大。
高速缓冲存储器(Cache)：存放 CPU 在当前一小段时间内多次使用的程序和数据，以缓解CPU 和主存的速度差异。特点：速度很快、容量小。

通常由存取速率较高的的静态随机访问存储器SRAM构成。

（1）半导体存储器

静态存储器SRAM（静态MOS型）：利用双稳态触发器存储信息，功耗较大，速度快，做 Cache。非破坏性读出。

动态存储器DRAM（动态MOS型）：依靠电容上的电荷暂存信息，功耗较小，容量较大，速度较快，做主存。

刷新：在MOS管断开之后，电容总存在泄漏通路，难以使泄漏电阻达到无穷大。时间过长，电容上的电荷会通过泄漏电路放电，使所存储的信息丢失。为此，经过一定时间后就需要对存储内容重写一遍，也就是对存1的电容重新充电，称为刷新。

重写(再生)：对于单管动态MOS存储单元而言，读操作后C上的电荷将发生变化，属于破坏性读出，需要读后对存1的电容补充电荷，称为重写(再生)。这一过程，由芯片内的外围电路自动实现。

动态MOS四管存储单元电路：非破坏性读出，读出就是刷新，需定期向电容补充电荷（动态刷新）。

单管单元是破坏性读出，读出后需重写。

（2）磁表面存储器：磁带、存盘、硬盘

利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。特点：存储容量大；非破坏性读出、永久保存；读写速度比半导体存储器慢；适合用于外存。

（3）光盘存储器

利用光斑的有无存储信息，特点：容量大；非破坏性读出、永久保存；速度慢；适合用于外存。

（1）随机存取存储器(RAM，ROM、Flash memory)

主存和Cache采取随机存取方式。

随机存取：可按地址访问存储器中的任一单元，与访问时间和单元地址无关。

技术指标：存取周期、存取时间

（2）顺序存取存储器（SAM）

访问时读/写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。

例如，磁带机 — 与磁带录音机工作原理类似, 但存储信息为数字信息, 而非模拟信息。

技术指标：平均存取时间、数据传输率

（3）直接存取存储器（DAM）

访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关，适合调用较频繁的外存，如硬盘，还有磁盘、光盘也是直接存取。

技术指标：平均定位/寻道时间、平均等待/旋转时间、数据传输率

刷新周期(存取周期)：刷新一行所用的时间。

刷新周期数：刷新一块芯片所需的周期数，由芯片矩阵的行数决定。

（1）集中刷新

（2）分散刷新

（3）异步刷新：每隔一定时间(2ms/芯片的行数)提出一次刷新请求（DMA 请求），刷新一行。