计算机组成原理——存储子系统

明月出天山_

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分类专栏：计算机组成原理文章标签：硬件架构

于 2023-04-11 20:53:38 首次发布

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概述

存储器的层次结构

主存（内存）：CPU 可直接编程访问，存放 CPU 当前执行所需要的指令和数据。其特点是：能随机访问、存取速率快、具有一定的存储容量（受地址位数制约）。

一般由动态随机存储器DRAM组成，少量用于保存固化程序和数据的只读存储器ROM。
辅存（外存）：存放大量的后备程序和数据。特点：速度较慢、容量大。
高速缓冲存储器(Cache)：存放 CPU 在当前一小段时间内多次使用的程序和数据，以缓解CPU 和主存的速度差异。特点：速度很快、容量小。

通常由存取速率较高的的静态随机访问存储器SRAM构成。

存储器的分类

按存储介质（物理存储机制）分类：

（1）半导体存储器

静态存储器SRAM（静态MOS型）：利用双稳态触发器存储信息，功耗较大，速度快，做 Cache。非破坏性读出。

动态存储器DRAM（动态MOS型）：依靠电容上的电荷暂存信息，功耗较小，容量较大，速度较快，做主存。

刷新：在MOS管断开之后，电容总存在泄漏通路，难以使泄漏电阻达到无穷大。时间过长，电容上的电荷会通过泄漏电路放电，使所存储的信息丢失。为此，经过一定时间后就需要对存储内容重写一遍，也就是对存1的电容重新充电，称为刷新。

重写(再生)：对于单管动态MOS存储单元而言，读操作后C上的电荷将发生变化，属于破坏性读出，需要读后对存1的电容补充电荷，称为重写(再生)。这一过程，由芯片内的外围电路自动实现。

动态MOS四管存储单元电路：非破坏性读出，读出就是刷新，需定期向电容补充电荷（动态刷新）。

单管单元是破坏性读出，读出后需重写。

（2）磁表面存储器：磁带、存盘、硬盘

利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。特点：存储容量大；非破坏性读出、永久保存；读写速度比半导体存储器慢；适合用于外存。

（3）光盘存储器

利用光斑的有无存储信息，特点：容量大；非破坏性读出、永久保存；速度慢；适合用于外存。

按存取方式分类

（1）随机存取存储器(RAM，ROM、Flash memory)

主存和Cache采取随机存取方式。

随机存取：可按地址访问存储器中的任一单元，与访问时间和单元地址无关。

技术指标：存取周期、存取时间

（2）顺序存取存储器（SAM）

访问时读/写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。

例如，磁带机 — 与磁带录音机工作原理类似, 但存储信息为数字信息, 而非模拟信息。

技术指标：平均存取时间、数据传输率

（3）直接存取存储器（DAM）

访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关，适合调用较频繁的外存，如硬盘，还有磁盘、光盘也是直接存取。

技术指标：平均定位/寻道时间、平均等待/旋转时间、数据传输率

关于动态刷新

刷新和重写的区别：刷新是动态存储芯片，需补充电荷以保持原信息；重写是破坏性读出后重写，以恢复原来的信息。
刷新原因：动态存储器依靠电容电荷存储信息。电容电荷随时间推移会缓慢泄放，需定期向电容补充电荷，以保持信息不变。
最大刷新间隔：2ms 内，必须对所有动态单元刷新一遍。
刷新方法：各 DRAM 芯片同时刷新，片内按行刷新，每次刷新一行所用时间为一个刷新周期。

刷新周期(存取周期)：刷新一行所用的时间。

刷新周期数：刷新一块芯片所需的周期数，由芯片矩阵的行数决定。

刷新周期的安排方式：

（1）集中刷新

（2）分散刷新

（3）异步刷新：每隔一定时间(2ms/芯片的行数)提出一次刷新请求（DMA 请求），刷新一行。

技术指标的计算

数据传输率DTR：
$\frac{W}{T_m}$
R为数据传输率，单位为KB/s或MB/s，W为存储器一次读写数据的位数，T为存取周期。
磁盘存储器：

非格式化容量=内圈位密度×内圈周长×道数/面×面数

格式化容量=字节数/扇区×扇区数/道×道数/面×面数

圆柱面：各记录面上相同序号的磁道构成一圆柱面。（柱面数=道数/面）

道数=柱面数×盘面数

数据传输率 = 磁道容量×转速（bps）

**例题：**某计算机字长为32位，CPU主频为500MHz，磁盘共有16个盘面，512个柱面，每磁道包含100个扇区，每个扇区512字节，该磁盘旋转速度为12000 RPM。

（1）计算该磁盘总容量，则正确的计算结果是________MB

（2）如果计算该磁盘的数据传输率，则正确结果是________bps。

答案：‎400，81920000

16×152×100×512=400MB

100×512×8×200=81920000bps