裸机：NandFlash和iNand

NandFlash 介绍

NandFlash 是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅（Floating Gate）晶体管设计。它通过浮栅来锁存电荷，电荷在无电源供应的情况下仍然可以保持，从而实现数据的长期存储。NandFlash 的数据存储和读取基于电荷的存储和测量，数据的表示以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值 Vth 来决定。
主要特点：
1.存储单元：NandFlash 的最小存储单元是存储单元（Cell），通常是一个晶体管和一个浮动栅组成，可以存储 1bit 或多 bit 数据（如 SLC、MLC、TLC 等）。
2.数据组织：NandFlash 的数据存储以页（Page）为单位进行组织，页由多个存储单元组成，通常为数百至数千个。页再按块（Block）组织，块是擦除的最小单位。
3.访问方式：NandFlash 是块设备，访问时需要以页为单位进行读写，而擦除操作则以块为单位进行。
4.寿命与耐久性：NandFlash 的寿命主要通过 P/E cycle（编程/擦除周期）来表征，随着擦写次数的增加，存储单元的耐久性会逐渐降低。

NandFlash的常见操作及流程分析

坏块检查

(1)Flash使用之前要先统一擦除（擦除的单位是块）。Flash类设备擦除后里面全是1，所以擦干净之后读出来的值是0xff。
(2)检查坏块的思路就是：先块擦除，然后将整块读出来，依次检测各自节是否为0xff，如果是则表明不是坏块，如果不是则表明是坏块。

页写（program）操作/ 页读（read）操作

(1)写之前确保这个页是被擦除干净的。如果不是擦除干净的（而是脏的、用过的）页，写进去的值就是错的，不是你想要的结果。
(2)写操作（write）在flash的操作中就叫编程（program）
(3)SoC写Flash时通过命令线、IO线依次发送写命令、写页地址、写数据等进入NandFlash。
(4)写的过程：SOC通过Nand控制器和Nand芯片完成顺序对接，然后按照时序要求将一页数据发给Nand芯片内部的接口电路。接口电路先接收收据到自己的缓冲区，然后再集中写入Nand芯片的存储区域中。Nand接口电路将一页数据从缓冲区中写入Nand存储系统中需要一定的时间，这段时间Nand芯片不能再响应SOC发过来的其他命令，所以SoC要等待Nnad接口电路忙完。等待方法是SoC不断读取状态寄存器（这个状态寄存器有2种情况：一种是SoC的Nand控制器自带的，另一种是SoC通过发命令得到命令响应得到的），然后通过检查这个状态寄存器的状态位就能知道Nand接口电路刚才写的那一页数据写完了没、写好了没。直到SoC收到正确的状态寄存器响应才能认为刚才要写的那一页数据已经ok。（如果SoC收到的状态一直不对，可以考虑重写或者认为这一页所在的块已经是坏块，或者整个Nand芯片已经挂掉了）。
(5)正常情况下到了第四步就已经完了。但是因为Nand的读写有不靠谱情况，因此我们为了安全会去做ECC校验。ECC校验有硬件式校验和软件式校验2种。软件式校验可以采用的策略有很多，其中之一（Nand芯片手册上推荐的方式是）：将刚才写入的1页数据读出来，和写入的内容进行逐一对比。如果读出的和写入的完全一样，说明刚才的写入过程正确完成了；如果读出来的和写入的不完全一样那就说明刚才的写入有问题。
(6)硬件式ECC：SoC的Nand控制器可以提供硬件式ECC（这个也是比较普遍的情况）。硬件式ECC就是在Nand的控制器中有个硬件模块专门做ECC操作。当我们操作Nand芯片时，只要按照SoC的要求按时打开ECC生成开关，则当我们写入Nand芯片时SoC的Nand控制器的ECC模块会自动生成ECC数据放在相应的寄存器中，然后我们只需要将这生成的ECC数据写入Nand芯片的带外数据区即可；在将来读取这块Nand芯片时，同样要打开硬件ECC开关，然后开始读，在读的过程当中硬件ECC会自动计算读进来的一页数据的ECC值并将之放到相应的寄存器中。然后我们再读取带外数据区中原来写入时存入的ECC值，和我们刚才读的时候得到的ECC值进行校验。校验通过则说明读写正确，校验不通过则说明不正确（放弃数据或者尝试修复）。

擦除（erase）操作

(1)擦除时必须给块对齐的地址。如果给了不对齐的地址，结果是不可知的（有些Nand芯片没关系，它内部会自动将其对齐，而有些Nand会返回地址错误）。
(2)读写时给的地址也是一样，要求是页对齐地址。如果给了不对齐的，也是有可能对有可能错。

S5PV210的NandFlash控制器

SoC的Nand控制器的作用
(1)Nand芯片本身通过Nand接口电路来存取数据，Nand接口电路和SOC之间通过Nand接口时序来通信。Nand接口时序相对复杂，如果要SoC完全用软件来实现Nand接口时序有一些不好（主要是：第一很难保证时序能满足、容易不稳定；第二代码很难写）。解决方案是：在SoC内部集成一个Nand控制器（实质就是一块硬件电路，这个硬件电路完全满足Nand接口时序的操作，然后将接口时序的操作寄存器化）。
(2)SOC和Nand芯片之间通信，在SoC没有Nand控制器时需要SoC自己来处理接口时序，编程很麻烦，需要程序员看Nand芯片的接口时序图，严格按照接口时序图中编程（尤其要注意各个时间参数）；在SoC有Nand控制器时SoC只需要编程操控Nand控制器的寄存器即可，Nand控制器内部硬件会根据寄存器值来生成合适的Nand接口时序和Nand芯片通信。所以在有Nand控制器时编程要简单很多，我们读写Nand芯片时再也不用关注Nand接口时序了，只要关注SoC的Nand控制器的寄存器即可。
(3)扩展来讲，现在的技术趋势就是：几乎所有的外设在SoC内部都有对应的控制器来与其通信，那么SoC内部集成的各种控制器（也就是各种内部外设）越多，则SoC硬件能完成的功能越多，将来用这个SoC来完成相应任务时软件编程越简单。譬如说图形处理和图像处理领域，2D图像编码（jpeg编码）、视频编码（h.264编码），现在大部分的application级别的SoC都有集成的内部编码器（像S5PV210就有、更复杂的譬如4418、6818就更不用说了，只会更多更先进），我们可以利用这些硬件编码器来进行快速编解码，这样软件工作量和难度降低了很多（这就是所谓的硬件加速）。

iNand 介绍

iNand 是 SanDisk 公司研发的存储芯片，可以看作是 SD 卡或 MMC 卡芯片化的产物。iNand 内部采用 MLC（多层单元）存储颗粒，并提供了复杂的接口电路和完善的功能，如 ECC 校验、Cache 机制等。
主要特点：
1.接口协议：iNand 提供了 eMMC 接口协议，与 SoC（系统级芯片）的 eMMC 控制器进行配对通信，简化了与 SoC 的连接和交互。
2.性能提升：iNand 内置了 Cache 模块，能够显著提高小容量文件的存储速度，并且具有接近 SLC 的读写速度。
3.简化管理：iNand 自行完成了存储系统的 ECC 功能和坏块管理等工作，减轻了 SoC 的负担，提高了系统的整体性能。
4.兼容性与灵活性：iNand 的封装一致，不同容量的产品具有相同的封装尺寸和引脚布局，便于产品的升级和替换。

iNand/eMMC/SDCard/MMCCard的关联

(1)最早出现的是MMC卡，卡片式结构，按照MMC协议设计。（相较于NandFlash芯片来说，MMC卡有2个优势：第一是卡片化，便于拆装；第二是统一了协议接口，兼容性好。）
(2)后来出现SD卡，兼容MMC协议。SD卡较MMC有一些改进，譬如写保护、速率、容量等。
(3)SD卡遵守SD协议，有多个版本。多个版本之间向前兼容。
(4)iNand/eMMC在SD卡的基础上发展起来，较SD卡的区别就是将SD卡芯片化了（解决卡的接触不良问题，便于设备迷你化）。
(5)iNand和eMMC的关联：eMMC是协议，iNand是Sandisk公司符合eMMC协议的一种芯片系列名称。

iNand/eMMC的结构框图及其与NandFlash的区别

(1)iNand内部也是由存储系统和接口电路构成（和Nand结构特性类似，不同之处在于接口电路功能不同）。
(2)iNand的接口电路挺复杂，功能很健全。譬如：
第一，提供eMMC接口协议，和SoC的eMMC接口控制器通信对接。
第二，提供块的ECC校验相关的逻辑，也就是说iNand本身自己完成存储系统的ECC功能，SoC使用iNand时自己不用写代码来进行ECC相关操作，大大简化了SoC的编程难度。（NandFlash分2种：SLC和MLC，SLC更稳定，但是容量小价格高；MLC容易出错，但是容量大价格低）
第三，iNand芯片内部使用MLC Nand颗粒，所以性价比很高。
第四，iNand接口电路还提供了cache机制，所以inand的操作速度很快。

iNand/eMMC的物理接口和SD卡物理接口的对比

(1)S5PV210芯片本身支持4通道的SD/MMC，在X210中实际是在SD/MMC0通道接了iNand芯片，而SD/MMC2接了SD卡（SD/MMC3也接了SD卡）。
(2)对比inand和SD卡接线，发现：这两个接线几乎是一样的，唯一的区别就是SD卡IO线有4根，而iNand的IO线有8根。
(3)这个告诉我们，我们在实际操作iNand芯片时和操作SD卡时几乎是一样的（物理接线几乎一样，软件操作协议几乎一样）。

结论：iNand/eMMC其实就是芯片化的SD/MMC卡，软件操作和SD卡相同。
分析iNand芯片的操作代码时，其实就是以前的SD卡的操作代码。一些细节的区别就是为了区分各种不同版本的SD卡、iNand的细节差异。

SD卡/iNand操作

1.11.7.1、硬件接口：DATA、CLK、CMD
(1)iNand的IO线有8根，支持1、4、8线并行传输模式；SD卡IO线有4根，支持1、4线并行传输模式。
(2)CMD线用来传输命令、CLK线用来传输时钟信号。
(3)接口有CLK线，工作时主机SoC通过CLK线传输时钟信号给SD卡/iNand芯片，说明：SD/iNand是同步的，SD/iNand的工作速率是由主机给它的CLK频率决定的。

命令响应的操作模式

(1)SD协议事先定义了很多标准命令（CMD0、CMD1·····），每个命令都有它的作用和使用条件和对应的响应。SD卡工作的时候就是一个一个的命令周期组合起来的，在一个命令周期中，主机先发送CMD给SD卡，然后SD卡解析这个命令并且执行这个命令，然后SD卡根据结果回发给主机SoC一个响应。（有些命令是不需要响应的，这时SD卡不会给主机回发响应，主机也不用等待响应）。标准的命令+响应的周期中，主机发完一个命令后应该等待SD卡的响应而不是接着发下一条命令。

SD/iNand的体系结构图

(1)SD卡内部有一个接口控制器，这个控制器类似于一个单片机，这个单片机的程序功能就是通过CMD线接收外部主机SoC发给SD卡的命令码，然后执行这个命令并且回发响应给主机SoC。这个单片机处理命令及回发响应遵循的就是SD协议。这个单片机同时可以控制SD卡内部的存储单元，可以读写存储单元。

SD/iNand的寄存器（重点是RCA寄存器）

(1)注意这里说的是SD卡内部的寄存器，而不是主机SoC的SD控制器的寄存器。（很多外置芯片内部都是有寄存器的，这些寄存器可以按照一定的规则访问，访问这些寄存器可以得知芯片的一些信息）。
(2)RCA（relative address，相对地址寄存器）。我们在访问SD卡时，实际上SD卡内部每个存储单元的地址没有绝对数字，都是使用相对地址。相对地址由SD卡自己决定的，存放在RCA寄存器中。

SoC的SD/MMC/iNand控制器简介

(1)不同的SoC可能在SD/MMC/iNand等支持方面有差异，但是如果支持都是通过内部提供SD控制器来支持的。
(2)S5PV210的SD卡控制器在Section8.7部分

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来源：朱老师物联网大课堂