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模拟IC
W-rich
这个作者很懒,什么都没留下…
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全差分运放中CMFB方面的学习
之前本人一直使用的是根据电流变化,来推断对应MOS管的Vod的变化,进而得到Vout,cm的变化。那么,当上方电流源所定义的电流低于下方电流源所定义电流时,可以近似看作从负载电容中流出差额电流,以满足两个电流源所定义的电流,这样一来就相当于在负载电容上产生了一个负的电压,那么Vout,cm自然也就减小了;其实很简单,如果CMFB的反应速度太慢,就会产生Vout,cm变化并不能得到及时的调整,会对下一级的运放造成影响,那么就相当于这个CMFB的电路是白加的。一.支路电流变化对Vout,cm的影响。原创 2022-11-03 19:17:59 · 1972 阅读 · 0 评论 -
为什么在许多电路中,PMOS的衬底可以直接和源极相连
为什么在很多文章中PMOS的衬底和源极可以直接接在一起原创 2022-10-30 11:06:25 · 3566 阅读 · 3 评论 -
两级放大器中消零电阻Rz的计算问题
两级放大中消零电阻的理解原创 2022-10-14 10:53:24 · 1128 阅读 · 0 评论 -
运用gm/id方法设计两级运放(2-stage)的步骤(只考虑带宽、增益以及相位裕度)
以增益、带宽以及相位裕度的标准,使用gm/id的方法来设计电路原创 2022-10-12 21:07:37 · 6203 阅读 · 0 评论