这主要是工艺方面决定的。芯片的在制造时,会在一大块P衬底上做NMOS,如果做PMOS则需加上N-well。
因为所有的NMOS都做在一片衬底上,那么我们就要保证P-sub接的是最低电位。换句话说,NOMS的衬底都接在一起,并不能单独定义。
但是PMOS不同,一般都是一个NMOS一个N-well,这使得每个PMOS的衬底电压可以单独定义的。
而且因为PMOS可以忽略衬偏效应,也就是gmb=0,这也使得其CMRR性能要高于NMOS。所以在差分输入时,很多情况下都用PMOS作为输入级。
这主要是工艺方面决定的。芯片的在制造时,会在一大块P衬底上做NMOS,如果做PMOS则需加上N-well。
因为所有的NMOS都做在一片衬底上,那么我们就要保证P-sub接的是最低电位。换句话说,NOMS的衬底都接在一起,并不能单独定义。
但是PMOS不同,一般都是一个NMOS一个N-well,这使得每个PMOS的衬底电压可以单独定义的。
而且因为PMOS可以忽略衬偏效应,也就是gmb=0,这也使得其CMRR性能要高于NMOS。所以在差分输入时,很多情况下都用PMOS作为输入级。