今天是2021-3-6。
一。存储器分类
存储介质
半导体:易失
磁性:非易失
光盘:非易失
存储方式–存储时间与物理地址的关系
随机:无关(随机存储器,只读存储器)
串行:有关(顺序存储器,直接存储器)
存储功能和速度
寄存器,主存,高速缓存,辅存
二。存储系统的层次结构
三级存储架构
高速缓存,主存,辅存。
主存存储当前正在使用的程序和数据,高速缓存存储经常使用的程序和数据,辅存存储后备程序和数据。
高速缓存与主存组合为cache存储系统,解决了主存的处理速度远低于cpu的问题。
主存与辅存组合为虚拟存储系统,解决了主存容量不够的问题。
程序的局部性原理
存储器中主要存放的就是数据和指令,程序在访问内存时仅会访问内存的很小一部分空间:
- 空间局部性:如果内存中某个区域刚刚被访问,那么其相邻的区域将来也很可能被访问
- 时间局部性:如果内存中某个区域刚刚被访问,那么在接下来一段时间里它可能被重复访问
存储器主要的技术指标
- 存储容量:存储器可以存储的二进制信息总量
- 存储速度:又分为以下三个,存储时间:存储器读出数据或者写入数据的时间;存储周期:连续两次访问存储器的最小时间间隔;存储器带宽:单位时间内存储器读取的信息总量。
- 存储器的可靠性
随机存储器RAM
可以通过指令随机的对任意存储单元进行读写访问的存储器。分为静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。断电后信息会全部丢失。
静态存储器SRAM
最基本的存储单元由6管组成,存储一位二进制数据, 依靠双稳态触发器存储信息。多个基本存储单元可以组成SRAM存储器,包含多个存储单元组合成的存储体、地址译码电路、I/O电路、控制电路。
操作流程:输入存储体中某个存储单元对应的地址信号,经过行、列的地址译码器找到对应的存储单元;由控制电路控制I/O电路对该存储单元的数据进行读/写操作,最后由输出驱动提供大电流支撑操作。
动态存储器DRAM
最基本的存储单元由4管组成,存储一位二进制数据,依靠栅源电容存储信息。因为电容会自动放电,所以存储的信息有时限,需要定时的按行刷新–补充电荷。