动态RAM的集中刷新、分散刷新、异步刷新

为什么要刷新？ —— 长期不进行存储器 读/写 ，其存储单元内的原信息将慢慢消失。

一般是多长时间？——一般 2ms，对动态RAM的全部基本单元电路进行一次刷新。

注意：刷新只针对行地址

以下都以 128*128 矩阵的存储芯片为例：

1、集中刷新

存储周期：0.5μs
刷新周期：2ms
死时间：128 * 0.5μs = 64μs
死时间率：64 / 2000 * 100% = 3.2%

2、分散刷新

读写周期：0.5μs
存储周期：1μs
时间间隔：128 * 1μs = 128μs

3、异步刷新

存取周期：0.5μs
每隔 2ms / 128 = 15.6μs 刷新一行，每行刷新的时间为0.5μs（实际上刷新用的总时间：0.5μs * 128 = 64μs））
时间间隔：2ms