电阻,
消耗电能转化为内能
电容,
通交流阻直流,产生电场,储存电场能量
电感,
通直流阻交流,滤波,具有感性与容性,产生磁场,储存磁场能量
磁珠滤波、消除噪声
肖特基二极管,
正向导通压降更低,用在供电电源上可以更低电源损耗
稳压二极管(齐纳二极管)
反向击穿之前呈高阻抗,过高电压则瞬间放电。用于保护电路不受热插拔影响
TVS二极管
反向高压冲击可瞬间吸收浪涌功率,钳住电压使其满足预定值。击穿电压偏差小。
三极管电流放大作用(电流控制电流
MOS管开关作用(电压控制电流,信号电平转换、反向控制
MOS管,N沟道negative(电流D--->S),Vg >Vs导通,(Vds越大,导通的电流会越偏大 ,V输出=Vdd-Vds,电流增大,内阻消耗下,Vds也越大,那么最终输出的电流就越小,如果想要输出高电平,那么此时可能会无法达到目标电平;因此单片机IO口会有最大电流限制)
P沟道 positive(电流S--->D),Vg <Vs导通
- NMOS:导通电阻小,发热低,允许通过电流大,型号多,成本低。常用于正激,反激,推挽,半桥,全桥等拓扑电路。
- PMOS:型号少,成本高。常用于电源开关电路。
逻辑器件:
逻辑驱动器、电平转换器、模拟开关;有的可以增强信号传输过程中信号的驱动能力,有的充当缓冲器。
所谓高电平低电平在各种逻辑器件之间标准存在差异(阈值不一样),所以逻辑器件之间相连接时,要注意一个器件的电平能否能满足另一个器件的电平判断标准从而驱动另一个器件。如果不能直接互联,则需要额外选择一个中间器件转换电平。
LDO:低压差线性稳压器(只能降压且降压范围小)
LDO PCB设计注意事项:电容按照从大到小顺序排放,大电流电路要线宽粗一点,过孔数量也要多打,芯片底部最大的GND焊盘必须打过孔散热,背面需要开阻焊窗
回流路径尽量短; 所有的输入输出的GND应该接在一起.
DC-DC
DC-DC:开关电源,用于输入输出压差大的升压降压设计;升压为boost电路,降压buck电路
(DC/DC)Buck、Boost电路原理、电源调制方式、芯片内部、设计参数-电子发烧友网
PWM控制器输出控制好占空比的方波+mos开关随着电流波动进行开关通断+功率电感储存能量和释放电流,与续流二极管构成新回路,给负载供电.至于是升压还是降压,取决于占空比大小,占空比大,电感蓄能时间长,供电电压就大
同步DCDC:用mos与控制mos不同时开启的控制器代替续流二极管;效率高
非同步DCDC:用续流二极管;可靠性高
RS232,
传输速率较低,抗噪声干扰弱,传输距离15m左右,只能点对点传输.
RS422,全双工通信协议,速率最高50Mbps,差分传输信号(两线路信号振幅相同相位相反,压差在某一个范围内,判断为高电平1,在某一个范围内,判断为低电平0)
RS485,半双工通信协议(同一时刻要么只能收要么只能发),传输距离1200m,在rs422的基础上,稳定性更高
终端电阻:降低传输的反射与功率损耗 ; 终端电阻阻抗与差分对的传输线的特性阻抗一致 , 在两根线末端跨接.
SPI
全双工(可以同时双向收发),无应答机制,只能单个主机控制
MOSI主设备输出,从设备输入
MISO主设备输入,从设备输出
SCLK时钟信号,spi数据传输就是在sclk控制下,主从设备的双向移位寄存器进行数据交换
SS从设备使能信号
时钟极性(时钟空闲状态电平)0低,1高
相位0(第一个跳边沿采样数据),1(第二个跳边沿采样数据)