3.1存储器概述

1.存储系统基本概念

1.1存储器的层次化结构

1.2存储器的分类

1.2.1层次

1.2.2存储介质

★1.2.3存取方式

1.2.4信息的可更改性

1.2.5信息的可保存性

1.3存储器的性能指标

2.主存储器的基本组成

3.★SRAM和DRAM

3.1DRAM的刷新

4.只读存储器ROM

RAM芯片——易失性，断电后数据消失
ROM芯片——非易失性，断电后数据不会丢失

4.1MROM

MROM（Mask Read-Only Memory）——掩模式只读存储器
厂家按照客户需求，在芯片生产过程中直接写入信息，之后任何人不可重写（只能读出）
可靠性高、灵活性差、生产周期长、只适合批量定制

4.2PROM

PROM（Programmable Read-Only Memory）——可编程只读存储器
用户可用专门的PROM写入器写入信息，写一次之后就不可更改

4.3EPROM(随机存取)

EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）——可擦除可编程只读存储器
允许用户写入信息，之后用某种方法擦除数据，可进行多次重写
UVEPROM（ultraviolet rays）——用紫外线照射8~20分钟，擦除所有信息
EEPROM（也常记为E2PROM，第一个E是Electrically）——可用“电擦除”的方式，擦除特定的字

4.4Flash Memory（随机存储）

Flash Memory ——闪速存储器（注：U盘、SD卡就是闪存）
在EEPROM 基础上发展而来，断电后也能保存信息，且可进行多次快速擦除重写
注意：由于闪存需要先擦除在写入，因此闪存的“写”速度要比“读”速度更慢。

4.5SSD（随机存储）

SSD（Solid State Drives）—— 固态硬盘
由控制单元+存储单元（Flash 芯片）构成，与闪速存储器的核心区别在于控制单元不一样，但存储介质都类似，可进行多次快速擦除重写。SSD速度快、功耗低、价格高。目前个人电脑上常用SSD取代传统的机械硬盘

5.补充

1. 磁带和光盘是顺序存取，磁盘是直接存取
2. 存取时间（T)是指从存储器读出或写入一次信息所需要的平均时间;存取周期（T。）是指连续两次访问存储器之间所必需的最短时间间隔。
3. 相联存储器是按内容指定方式和地址指定方式相结合进行寻址的存储器。
4. 内存储器采用RAM和ROM，ROM存储BIOS
5. 分散刷新不存在死时间，其余两种有
6. DRAM采用地址复用技术，而SRAM 不采用。采用地址复用技术时，行通选和列通选分行、列两次传送地址信号，地址线减半，数据线仍为原来数目;行通选和列通选代替片选线。
7. U盘采用 Flash Memory技术,属于ROM 的一种。注意:随机存取与随机存取存储器（RAM)不同，只读存储器《ROM)也是随机存取的。因此，支持随机存取的存储器并不一定是RAM。
8. DRAM一般是按行刷新的,
9. RAM和ROM都采用随机存取方式进行信息访问