读/写周期、读/写时间、存储周期和存储时间之间的关系

读/写周期、读/写时间、存储周期和存储时间之间的关系

参考SRAM的时序电路图


读周期指对芯片两次连续读操作的最小时间间隔（图中的tRC）;读时间表示进行一次存储器读操作的时间（图中tA）,显然读时间小于读周期

写周期指对芯片两次连续写操作的最小时间间隔（对应图中的tWC）;写时间表示进行一次存储器写操作的时间（对应图中的tW）,显然写时间小于写周期

众所周知，计算机的时序控制是十分严格的，不能出一点差错，那么可以看到，图中tA这段时间完成以后，实际上有效数据已经输出到了数据线上，需要这些数据的部件已经得到数据了，那么读操作是不是就该立刻结束呢？不行，读操作远没有结束，因为根据实际各种因素的需要，这些数据信号要在线路上停留一段时间，即tOTD。地址线上的地址失效时刻才是读周期真正完成它使命的时刻（换句话说，就是地址信号在，读周期在；地址信号亡，读周期亡）综上所述，读时间应当小于读周期

写周期和写时间之间的关系也是一样的，读写周期都是存储周期，而存储时间可以是读时间也可以是写时间。