半导体随机存储器RAM
半导体的类型和特点
关于DRAM的问题
1.DRAM多久需要刷新?
刷新周期:一般为2ms
2.每次刷新多少存储单元?
以行为单位,每次刷新一行存储单元。
3.为什么要用行列地址?
减少选通线的数量;
存储器的简单模型是以行模型,n位地址需要用2^n根选通线;
而行列地址译码器将地址拆分为(DRAM行,列地址等长),则n位地址只需要2^n/2(行) +2^n/2(列)。
4.刷新的过程怎么实现的?
有硬件支持,读出一行的信息后重新写入,占用一个读/写周期
5.在什么时候刷新?
假设DRAM内部结构排列构成128x128的形式,读写周期(存储周期)0.5us;则在2ms内有2ms/0.5us=4000个周期
我们有三个思路:分散刷新,集中刷新,异步刷新
SRAM的读写
CS:片选线。