机组概念——RAM

半导体随机存储器RAM

半导体的类型和特点

关于DRAM的问题

1.DRAM多久需要刷新？

刷新周期：一般为2ms

2.每次刷新多少存储单元？

以行为单位，每次刷新一行存储单元。

3.为什么要用行列地址？

减少选通线的数量；
存储器的简单模型是以行模型，n位地址需要用2^n根选通线；
而行列地址译码器将地址拆分为（DRAM行，列地址等长），则n位地址只需要2^n/2(行) +2^n/2(列)。

4.刷新的过程怎么实现的？

有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用一个读/写周期

5.在什么时候刷新？

假设DRAM内部结构排列构成128x128的形式，读写周期（存储周期）0.5us；则在2ms内有2ms/0.5us=4000个周期
我们有三个思路：分散刷新，集中刷新，异步刷新

SRAM的读写

CS：片选线。