ROM、RAM和Flash的特点

ROM：Read-Only Memory(只读存储器)，系统掉电后可保存数据。
RAM：Random Access Memory（随机存取存储器），掉电后丢失数据。

ROM分类

PROM：可编程只读存储器 （Programmable read-only memory），缩写为 PROM 或 FPROM，它允许使用称为PROM编程器的硬件将数据写入设备中。在PROM被编程后，它就只能专用那些数据，并且不能被再编程。通常会用于电子游戏机、或电子词典这类可翻译语言的产品之上。也就是说PROM是一次性的，不能被反复擦写。
EPROM：Erasable Programmable Read Only Memory，可擦除可编程只读存储器。一旦经过编程，EPROM只有在强紫外线的照射下才能够进行擦除。为了进行擦除，EPROM的陶瓷封装上具有一个小的石英窗口，这个石英窗口一般情况下使用不透明的粘带覆盖，当擦除时将这个粘带揭掉，然后放置在强紫外线下大约20分钟。
EEPROM：electrically erasable programmable read-only,是一种电可擦除可编程只读存储器，并且其内容在掉电的时候也不会丢失。在平常情况下，EEPROM与EPROM一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快。

RAM分类

其中，DDRRAM可以一个时钟读写两次数据，目前电脑中用的最多的内存都是采用DDR RAM.

FLASH

闪存，结合了ROM和RAM的长处，具备EEPROM电可擦除的性能，掉电数据不丢失，同时可快速读写数据。
Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1。所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF。因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反。

1. 接口
   NOR Flash：地址线，数据线分开；
   NAND Flash：地址线，数据线公用。
2. 读写单位
   NOR Flash：字节；
   NAND Flash：页；
3. 组成结构
   NOR Flash：扇区、字节；
   NAND Flash：块、页。
4. 擦除单位
   NOR Flash：扇区；
   NAND Flash：块。

NOR Flash特点：应用简单，无需专门的接口电路，传输效率高，应用程序可直接在NOR Flash内运行，不比把代码读到系统RAM中。
NAND Flash特点：提供极高的单元密度，写入擦除也很快，但是需要特殊的系统接口来管理。
小容量用NOR Flash，大容量用NAND Flash。