计算机组成原理 DRAM的集中刷新，分散刷新，异步刷新

3.用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器，设存储器读/写周期为0.5μs，CPU在1μs内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？

先求存储单元是几行几列的（按芯片算），16K=2¹⁴B=(2⁷)²B=(128×128)B。得存储单元是128×128。

DRAM最大刷新周期：2ms，8ms，16ms等（DRAM在这些时间内会丢失电容，所以必须刷新），疑似默认按2ms计算？

集中刷新：快到2ms时，停止一切对内存的读取操作，用0.5μs×128=64μs的时间对128行依次刷新。在这64μs内，内存只进行刷新，阻塞其他操作。死时间：64μs，不满足条件。

分散刷新：在每个读写操作后面绑定一个刷新操作，（读写周期=刷新周期，刷新的过程与一次读写相同，只是没在总线上输入输出）则存取周期变为0.5μs+0.5μs=1μs，1μs内只能访问一次，显然不满足题目要求的1μs至少访问一次。

异步刷新：对每行以2ms为刷新周期，下一次刷新循环到这一行需要128次刷新周期。
概念区分：每次刷新周期（间隔）：对内存单元来说多久刷新一次。特定某行的刷新周期：下一次对这一行进行刷新的间隔，期间要经过128次内存刷新周期。
过128次刚好保证每行的刷新周期为2ms，刷新间隔为2ms÷128=15.6μs

因集中刷新和分散刷新均不能满足条件，只能采取异步刷新。
两次刷新的最大时间间隔为15.6μs，可取刷新信号周期为15.5或15（必须为刷新时间0.5的倍数），对全部存储单元刷新一遍所需时间为15×128=1920μs。