电路基础
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这个作者很懒,什么都没留下…
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寄存器 SRAM DRAM存储单元区别
寄存器寄存器的功能是存储二进制代码,它是由具有存储功能的触发器组合起来构成的。一个触发器可以存储1位二进制代码,故存放n位二进制代码的寄存器,需用n个触发器来构成。寄存器是CPU内部用来存放数据的一些小型存储区域,用来暂时存放参与运算的数据和运算结果。其实寄存器就是一种常用的时序逻辑电路,但这种时序逻辑电路只包含存储电路。寄存器的存储电路是由锁存器或触发器构成的,因为一个锁存器或触发器能存储1...原创 2019-11-21 11:37:09 · 8671 阅读 · 0 评论 -
锁存器和触发器区别
锁存器锁存器(Latch)是一种对脉冲电平敏感的存储单元电路,它们可以在特定输入脉冲电平作用下改变状态。锁存,就是把信号暂存以维持某种电平状态。锁存器的最主要作用是缓存,其次完成高速的控制器与慢速的外设的不同步问题,再其次是解决驱动的问题,最后是解决一个I/O口既能输出也能输入的问题。锁存器是利用电平控制数据的输入,它包括不带使能控制的锁存器和带使能控制的锁存器。触发器lip-flop:触...原创 2019-11-21 11:06:45 · 7468 阅读 · 0 评论 -
DRAM原理
1. Storage CapacitorDRAM Storage Cell 使用 Storage Capacitor 来存储 Bit 信息。从原理层面上看,一个最简单的,存储一个 Bit 信息的 DRAM Storage Cell 的结构如下图所示:由以下 4 个部分组成:Storage Capacitor,即存储电容,它通过存储在其中的电荷的多和少,或者说电容两端...转载 2019-11-20 16:11:35 · 21357 阅读 · 2 评论 -
PLD PLA PAL GAL
PLD可编程逻辑器件 英文全称为:programmable logic device 即 PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。目前常用EEPROM,CPLD,FPGA。 PLA,PAL,GAL是早期的可编程器件,已经淘汰。可编程逻辑器件PLD(Programmable Logic Dev...原创 2019-11-20 12:52:49 · 9263 阅读 · 0 评论 -
SRAM存储原理
概念静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory),这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是...原创 2019-11-19 17:59:28 · 26730 阅读 · 9 评论 -
NOR FLASH和NAND FLASH基本结构和特点
非易失性存储元件有很多种,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前两者已经基本被淘汰了,因此我仅关注后两者,本文对FLASH的基本存储单元结构、写操作、擦除操作和读操作的技术进行了简单介绍,对了NOR和NAND由存储结构决定的特性和应用场合的差异,对后续的硬件设计和驱动编程起到铺垫作用。1 FLASH基本存储单元---浮栅场效应管 NOR FLASH和N...转载 2019-11-19 17:04:35 · 3636 阅读 · 0 评论 -
EPROM工作原理2
PROM是可编程器件,主流产品是采用双层栅(二层poly)结构,其中有EPROM和EEPROM等,工作原理大体相同,主要结构如图所示:浮栅中没有电子注入时,在控制栅加电压时,浮栅中的电子跑到上层,下层出现空穴。由于感应,便会吸引电子,并开启沟道。如果浮栅中有电子的注入时,即加大的管子的阈值电压,沟道处于关闭状态。这样就达成了开关功能。如图2所示,这是EPROM的写入...转载 2019-11-18 21:01:37 · 3591 阅读 · 0 评论 -
EEPROM工作原理1
EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory)即电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失(不挥发)存储芯片。EERPOM的基本结构有几种,这里讲解比较常用的FLOTOX管结构,如下图所示: FLOTOX(Floating Gate Tunnel...转载 2019-11-18 21:00:26 · 2378 阅读 · 0 评论 -
半导体存储器ROM
存储分类存储原理与地址译码掩膜ROMMacroRead Only Memory,中文全称“掩膜式只读存储器”。掩膜式只读存储器中的信息是已经被生产厂家制作到芯片中的,是不可更改的,使用者不能对其进行编写。可编程只读存储器(PROM)可擦除可编程只读存储器(EPROM)电擦除可编程ROM(EEPROM)FLASH MEMORY 闪存参考:htt...原创 2019-11-18 20:53:36 · 1430 阅读 · 0 评论 -
浮栅晶体管
浮栅晶体管世界上第一个EPROM,是一个浮栅型器件,是通过使用高度参杂的多晶硅(poly-Si)作为浮栅材料而制成的,它被称为浮栅雪崩注入型MOS存储器(FAMOS)。它的门极氧化层厚度为100nm, 由此保护电荷流向substrate。 对存储器的编程是通过对漏极偏压到雪崩极限使得电子在雪崩中从漏极区域被注入到浮栅中。这种存储器的擦除只能通过紫外线照射或X光照射。如今,这种EPROM的封装形...原创 2019-11-18 19:05:12 · 15655 阅读 · 1 评论 -
常用电路符号表示
常用逻辑门符号原创 2019-11-17 22:11:55 · 600 阅读 · 0 评论 -
CMOS和TTL电路区别
1、CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路)2、COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差4、CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)5、CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容...原创 2019-11-17 19:31:48 · 7467 阅读 · 1 评论 -
CMOS逻辑电路
CMOS逻辑电路目 录1 PMOS管和NMOS管 32 CMOS管 43 非门 54 与非门 65 或非门 86 三态门 87 传输门 98 组合与时序逻辑电路 109 R-S触发器 1010 同步RS触发器 1111 JK触发器 1312 维持阻塞式D触发器 1513 CMOS边沿D触发器 1714 编码器 1815 译码器 19PMOS管和NMOS管PMOS...原创 2019-11-16 13:39:47 · 5174 阅读 · 1 评论 -
晶体二极管 三极管 MOS原理
目 录1 概念2 PN结3 晶体二极管4 晶体三极管5 MOS晶体管概念• 导体:很容易导电的物体,如金、银、铜、铁等。• 绝缘体:不容易导电或者完全不导电的物体,如塑料、橡胶、陶瓷、玻璃等。• 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)、金属氧化物等。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。• N型半导体:在纯净半导体硅或锗(4价)中掺入磷...原创 2019-10-26 15:51:41 · 1428 阅读 · 0 评论