CMOS逻辑电路
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PMOS管和NMOS管
PMOS，指的是利用空穴來传导电性信号的金氧半导体。PMOS的电路符号如下图，而其结构则如右图所示，是由正型掺杂形成的漏极(drain)及源极(source)，与闸极(gate)及闸极下面的氧化层所构成。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
NMOS，指的是利用电子来传导电性信号的金氧半晶体管。NMOS的电路符号如下图，而其结构图如左图所示，是由负型掺杂形成的漏极与源极，与在氧化层上的闸极所构成。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
CMOS管
CMOS是Complementary Metal Oxide
Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。CMOS管有NMOS管和PMOS管构成，也称为反相器。具有低功耗，抗干扰能力强特点。
反相器电路，当V-in输入为低电平时，PMOS导通，电容充电，V-out输出为高；当V-in为高电平时，PMOS管截至，NMOS管导通，电容放电，V-out输出为低。
非门
非门对输入信号求反。
NMOS管非门：
输入X为高，NMOS导通，f输出为低。
输入X为低，NMOS截至，f输出为高。
CMOS管非门：
输入X为高，PMOS管截至，NMOS导通，f输出为低。
输入X为低，PMOS管导通，NMOS截至，f输出为高。
与非门
NMOS管与非门：
输入X1和X2都为高，NMOS导通，f输出为低。
其他情况，X1或X2有一个截至，f输出为高。
CMOS管与非门：
输入X1和X2都为高，两个PMOS管截至，两个NMOS导通，f输出为低。
其他情况，X1或X2有一个截至，f输出为高。
或非门
A和B有一个为1，输出为低。
三态门
输出除了0和1，还可以输出高阻态。
传输门
组合与时序逻辑电路
任何时刻输出仅取决于该时刻输入，没有记忆功能。
时序逻辑电路
任何时刻输出不仅取决于该时刻输入，而且与之前状态有关，有记忆功能。
双稳态概念
锁存器和触发器
R-S锁存器
特征方程
时序图
同步RS锁存器
时钟信号到达时，触发器状态才发生变化。
特征方程（CP=1）
真值表（CP=1）
时序图
空翻现象
D锁存器
JK触发器
真值表
时序图
维持阻塞式D触发器
真值表
时序图
CMOS边沿D触发器
编码器
用n位二进制代码对N=2^N个信号进行编码的电路。
逻辑电路
译码器
3-8译码器
逻辑电路
参考：电路基础课件
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