半导体物理
qq_45703030
这个作者很懒,什么都没留下…
展开
-
半导体物理 第七章 金属半导体接触整流理论
半导体物理 第七章 金属和半导体的接触二、金属半导体接触整流理论A、前言概述(定性分析)B、扩散理论(定量分析)C、热电子发射理论(定量分析)D、镜像力和隧道效应的影响二、金属半导体接触整流理论A、前言概述(定性分析)不知道大家还记不记上一个博客中的一个式子:Vs是表面势,在我们经常讨论的那一个情况当中,Vs < 0;半导体一侧的势垒高度即为qVD = - qVs。若此时,我们外加电压V于紧密接触的金属和半导体之间,由于阻挡层是高阻区域,因此电压主要降落在阻挡层上,原本半导体的表面和内部之间原创 2020-05-31 20:58:44 · 7655 阅读 · 0 评论 -
半导体物理 第七章 金属半导体接触及其能级图
第七章 金属和半导体的接触原创 2020-05-29 00:57:33 · 44151 阅读 · 13 评论