半导体物理 第七章 金属半导体接触及其能级图

一、金属半导体接触及其能级图

A、金属和半导体的功函数

对于金属而言，在热力学温标零度时，金属中的电子填满了费米能级Ef以下所有的能级，而高于Ef的能级则全部空着；而在一定的温度下，只有Ef附近的少数电子受到热激发，由低于Ef的能级跃迁到高于Ef的能级上去，但是请注意绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外，这便说明了金属中的电子虽然能在金属内自由运动，但所处能级绝大多数是低于体外能级的。而综上所述，想要使得电子可以从金属中逸出，必须由外界给予它足够的能量。

详细如下图所示

金属功函数的定义即是E0与Ef能量之差，用Wm表示，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。其中，E0代表着真空中静止电子的能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱

同理，对于半导体而言，其导带底Ec和价带顶Ev也都一般比E0低几个电子伏特，因此想使得电子逸出半导体，也需要给予其外界能量。

详细如下图所示

和金属类似，也把E0与费米能级之差成为半导体的功函数，用Ws