【多电压流程 Multivoltage Flow】- 3.电源意图规范（Power Intent Specification）（12.N阱和P阱偏置）

一些工艺技术允许使用专用电压供应，而不是正常的轨电压，应用于芯片的n阱和p阱区域。对阱施加偏置电压会改变阱中晶体管的阈值电压，影响性能和漏电流。

综合和物理实现工具提供了一种可选模式，使用UPF命令指定n阱和p阱偏置供电基础设施。在此模式下，工具会自动将供电连接到n阱和p阱偏置引脚。

要启用基于UPF的阱偏置模式，请在UPF命令文件中将enable_bias设计属性设置为true，如下所示：

set_design_attributes -elements {.} -attribute enable_bias true

或者在IC Compiler II或Fusion Compiler工具中：

set_app_options –name mv.upf.upf_bias_support -value true

将enable_bias设计属性设置为true后，可以使用电源集和电源集句柄来指定偏置供电连接。对于标准单元、宏单元和其他类型的单元，阱偏置引脚以及电源和地引脚会自动连接。

阱偏置的目的